FQPF9N25C场效应管参数、引脚图和代换型号

　　FQPF9N25C是N极性MOS管，FQPF9N25C主要特征：
　　8.8,250 V, Rds(on) = 0.43Ω@Vgs=10 V
　　低闸极电荷(典型26.5nC)
　　低反向传输电容(典型的45.5 pF)
　　快速交换
　　Avalanche测试100%通过
　　改善dv / dt的能力

　　FQPF9N25C基本描述：
　　这些N通道增强模式的功率场效应晶体管是使用飞兆公司的专利平面条纹生产的。DMOS结构技术这种先进的技术是特别量身定制的，以最小化开态电阻，提供优越的开关性能，并承受高能量脉冲Avalanche和换向模式。
　　这些设备非常适用于高效率的开关DC/DC转换器、开关模式电源、不间断电源的DC- ac转换器和电机控制。

　　FQPF9N25C核心参数：
　　Vds-漏源极击穿电压: 250 V
　　Id-连续漏极电流: 8.8 A
　　Rds On-漏源导通电阻: 430 mOhms
　　Vgs-栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
　　Qg-栅极电荷: 35 nC
　　最小工作温度: -55°C
　　最大工作温度: +150°C
　　Pd-功率耗散: 38 W
　　封装: TO-220-3
　　高度: 16.07 mm
　　长度: 10.36 mm
　　宽度: 4.9 mm
　　正向跨导-最小值: 7 S
　　下降时间: 65 ns
　　上升时间: 85 ns
　　工厂包装数量: 1000
　　典型关闭延迟时间: 90 ns
　　典型接通延迟时间: 15 ns
　　单位重量: 2.270 g