IRF250场效应管参数、引脚图和代换型号

　　IRF250是N极性MOS管，IRF250主要特征：
　　-重复Avalanche评级
　　-动态dv / dt评级
　　-密封保护
　　-简单驱动要求
　　-防静电等级:3A/ MIL-STD-750, 1020方法

　　IRF250基本描述：
　　HEXFET®MOSFET技术是先进的关键技术功率MOSFET晶体管线。有效几何和独特的处理这最新的“艺术状态”设计实现:非常低的通态电阻结合高反式电导;优越的反向能量和二极管恢复dv/dt能力。
　　HEXFET晶体管还具有所有成熟的特性MOSFETs的优点如电压控制，非常快开关和温度的电气参数的稳定性。它们非常适合用于开关电源，采购产品供应，电机控制，逆变器，斩波，音频放大器以及高能脉冲电路等应用。
　　IRF250核心参数：
　　Vds-漏源极击穿电压:200 V
　　Id-连续漏极电流:30 A
　　Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms
　　Vgs-栅极-源极电压:-20V, +20V
　　最小工作温度:-55°C
　　最大工作温度:+150°C
　　Pd-功率耗散:150 W
　　封装:TO-204AE
　　晶体管极性: N
　　高度:7.74 mm
　　长度:39.37 mm
　　宽度:25.53 mm
　　下降时间:130 ns
　　上升时间:190 ns
　　典型关闭延迟时间:170 ns
　　典型接通延迟时间:35 ns