IRF3205场效应管参数、引脚图和代换型号

　　IRF3205主要特征：
　　· 先进的工艺技术
　　· 超低导通电阻
　　· 动态的dv / dt评级
　　· 操作温度175°C
　　· 快速切换
　　· 重复Avalanche程序将会到达Tjmax

　　IRF3205是N极性MOS管，IRF3205基本描述：
　　IRF3205采用了国际先进的HEXFET?功率MOSFETs标准，这项整流器标准采用先进的加工技术来实现极低的通阻每硅面积。IRF3205结合快速的切换速度和坚固的器件设计，六场效应晶体管功率MOSFET为设计师提供了一个极具知名度的设备高效可靠，适用于各种场合应用程序。
　　TO-220包装是商业和工业的首选。在功耗方面的应用电平大约为50瓦。较低的热电阻和低包装成本的TO-220使其在整个行业中得到广泛接受。

　　IRF3205核心参数：
　　Vds-漏源极击穿电压: 55 V
　　Id-连续漏极电流: 110 A
　　Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
　　Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
　　最小工作温度: - 55 C
　　最大工作温度: + 175 C
　　Pd-功率耗散: 200 W
　　封装 / 箱体: TO-220-3
　　晶体管极性: N-Channel
　　晶体管类型: 1 N-Channel
　　通道数量: 1 Channel
　　高度: 15.65 mm
　　长度: 10 mm
　　宽度: 4.4 mm
　　下降时间: 65 ns
　　上升时间: 101 ns
　　典型关闭延迟时间: 50 ns
　　典型接通延迟时间: 14 ns
　　单位重量: 6 g