IRF1404场效应管参数、引脚图和代换型号

　　IRF1404是N极性MOS管，IRF1404基本描述：
　　-先进的工艺技术
　　-超低导通电阻
　　-动态的dv / dt评级
　　-操作温度175°C
　　-快速切换
　　-完全Avalanche额定

　　IRF1404主要特征：
　　第七代HEXFET®功率MOSFETs从整流器采用国际先进加工工艺技术，以实现极低的通阻每硅区域。这个好处，加上快开关速度快，设备设计坚固耐用六场效应晶体管功率MOSFET是众所周知的，提供该设计具有极高的效率和可靠性用于广泛应用的装置，包括汽车。

　　IRF1404核心参数：
　　Vds-漏源极击穿电压：40 V
　　Id-连续漏极电流：162 A
　　Rds On-漏源导通电阻：4 mOhms
　　Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V
　　Qg-栅极电荷：160 nC
　　Pd-功率耗散:333 W
　　晶体管极性：N-Channel
　　封装 / 箱体:TO-220-3
　　通道数量：1 Channel
　　最小工作温度：- 55 C
　　最大工作温度：+ 175 C
　　高度：15.65 mm
　　长度：10 mm
　　晶体管类型：1 N-Channel
　　宽度：4.4 mm
　　下降时间：33 ns
　　上升时间：190 ns
　　典型关闭延迟时间：46 ns
　　典型接通延迟时间：17 ns
　　单位重量: 6 g