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IRFU3910PBF是N极性MOS管,IRFU3910PBF主要特征:
-超低导通电阻
-表面镶入
-直接运行
-先进的工艺技术
-快速切换
-完全Avalanche额定
-无铅
IRFU3910PBF基本描述:
来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的加工技术,以实现最低的可能的通电阻每硅面积。这一优点,加上HEXFET场效应晶体管功率MOSFETs管广为人知的快速开关速度的器件设计,为设计人员提供了一种极为高效的设备,可用于各种应用。
D-PAK是专为表面安装使用蒸汽移相器,红外,或波峰焊接技术,直引线版本(IRFU系列)是通过孔安装应用。在典型的表面安装应用中,功耗可能高达1.5瓦。
IRFU3910PBF核心参数:
Vds-漏源极击穿电压: 100V
Id-连续漏极电流: 16A
Rds On-漏源导通电阻: 115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20V, + 20V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4V
Qg-栅极电荷: 44 nC
最小工作温度: -55°C
最大工作温度: +175°C
Pd-功率耗散: 79W
封装: TO-251-3
高度: 6.22 mm
长度: 6.73 mm
宽度: 2.38 mm
正向跨导-最小值: 6.4S
下降时间: 25ns
上升时间: 27ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 37ns
典型接通延迟时间: 6.4ns
单位重量: 4g