IRF640场效应管参数、引脚图和代换型号

　　IRF640是N极性MOS管, IRF640基本描述:
　　IRF640是利用了公司基于MESH OVERLAY™为标准的元器件，与其他来源的标准件相比，该技术的性能得到了更好的兼容和升级。

　　IRF640主要特征：
　　· 极好的dv/dt能力
　　· 极低的本征电容
　　· 闸门电荷最小化

　　IRF640核心参数：
　　Vds-漏源极击穿电压: 200 V
　　Id-连续漏极电流: 18 A
　　Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
　　Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
　　Pd-功率耗散: 125 W
　　晶体管极性: N-Channel
　　封装: TO-220-3
　　通道数量: 1 Channel
　　通道模式: Enhancement
　　晶体管类型: 1 N-Channel
　　类型: MOSFET
　　宽度: 4.6 mm
　　正向跨导-最小值: 11 S
　　下降时间: 25 ns
　　上升时间: 27 ns
　　典型接通延迟时间: 13 ns
　　单位重量: 330 mg