IRF540场效应管参数、引脚图和代换型号

　　IRF540基本描述：
　　IRF540是N极性mos管, IRF540使用第三代MOSFETs快速开关的最佳组合，坚固的设备设计，低通电阻和成本效益。在功率耗散水平约为50w, TO-220AB封装是所有商业和工业应用的普遍首选。TO-220AB的低热阻和低廉的封装成本使其在整个行业中被接受。

　　IRF540主要特征：
　　动态dV/dt等级
　　重复雪崩等级
　　175℃操作温度
　　快速切换
　　易于并行
　　驱动器要求简单
　　符合RoHS指令2002/95/EC

　　IRF540核心参数：
　　额定电压(DC): 100 V
　　额定电流: 28.0 A
　　漏源极电阻: 77.0 mΩ
　　极性: N-Channel
　　耗散功率: 150 W
　　漏源极电压(Vds): 100 V
　　漏源击穿电压: 100 V (min)
　　栅源击穿电压: -20.0 V to 20.0 V
　　连续漏极电流(Ids): 28.0 A
　　上升时间: 44.0 ns
　　安装方式: Through Hole
　　封装: TO-220