型号/分类/品牌/封装
参数
阶梯价格(含税)
库存交期
数量
操作
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00229713
描述:
详细:
1+
¥638.1834
200+
¥246.9726
500+
¥238.2924
1000+
¥234.0084
现货仓: 15948
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00238149
描述:
详细:
1+
¥638.1834
200+
¥246.9726
500+
¥238.2924
1000+
¥234.0084
现货仓: 16638
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00242060
描述:
详细:
1+
¥638.1834
200+
¥246.9726
500+
¥238.2924
1000+
¥234.0084
现货仓: 17096
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00248449
描述:
详细:
1+
¥638.1834
200+
¥246.9726
500+
¥238.2924
1000+
¥234.0084
现货仓: 14311
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00250301
描述:
详细:
1+
¥638.1834
200+
¥246.9726
500+
¥238.2924
1000+
¥234.0084
现货仓: 18161
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00232496
描述:
详细:
1+
¥688.2144
200+
¥266.3322
500+
¥256.9686
1000+
¥252.348
现货仓: 18648
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: UB-3(3.09x2.45)
编码: YHSC00235719
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):8mA@15V; 漏源导通电阻(RDS(on)):60Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥688.2144
200+
¥266.3322
500+
¥256.9686
1000+
¥252.348
现货仓: 15155
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00243866
描述:
详细:
1+
¥688.2144
200+
¥266.3322
500+
¥256.9686
1000+
¥252.348
现货仓: 13950
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00247615
描述:
详细:
1+
¥688.2144
200+
¥266.3322
500+
¥256.9686
1000+
¥252.348
现货仓: 19643
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00251019
描述:
详细:
1+
¥688.2144
200+
¥266.3322
500+
¥256.9686
1000+
¥252.348
现货仓: 15826
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00233032
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):30mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):30Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥705.2892
200+
¥272.9418
500+
¥263.3538
1000+
¥258.6108
现货仓: 17037
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00247359
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):8mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):80Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥705.2892
200+
¥272.9418
500+
¥263.3538
1000+
¥258.6108
现货仓: 13812
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00249025
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):15mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):50Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥705.2892
200+
¥272.9418
500+
¥263.3538
1000+
¥258.6108
现货仓: 14542
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00236613
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):15mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):50Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥706.4928
200+
¥273.411
500+
¥263.8026
1000+
¥259.0494
现货仓: 10361
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00246988
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):8mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):80Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥706.4928
200+
¥273.411
500+
¥263.8026
1000+
¥259.0494
现货仓: 14468
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00248241
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):30mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):30Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥706.4928
200+
¥273.411
500+
¥263.8026
1000+
¥259.0494
现货仓: 13006
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00235963
描述: FET类型:N沟道
详细:
1+
¥730.7994
200+
¥282.8154
500+
¥272.8704
1000+
¥267.9642
现货仓: 16784
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00242880
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):8mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):80Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥730.7994
200+
¥282.8154
500+
¥272.8704
1000+
¥267.9642
现货仓: 17310
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00244714
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):30mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):30Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥730.7994
200+
¥282.8154
500+
¥272.8704
1000+
¥267.9642
现货仓: 16877
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00237773
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):30mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):30Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥732.003
200+
¥283.2744
500+
¥273.3192
1000+
¥268.4028
现货仓: 11137
最快4小时发货
金额: -
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