型号/分类/品牌/封装
参数
阶梯价格(含税)
库存交期
数量
操作
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00231339
描述:
详细:
1+
¥544.2618
200+
¥210.63
500+
¥203.2248
1000+
¥199.563
现货仓: 16950
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00229891
描述:
详细:
1+
¥545.4756
200+
¥211.089
500+
¥203.6736
1000+
¥200.0118
现货仓: 11403
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00234376
描述:
详细:
1+
¥545.4756
200+
¥211.089
500+
¥203.6736
1000+
¥200.0118
现货仓: 15981
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00237388
描述:
详细:
1+
¥545.4756
200+
¥211.089
500+
¥203.6736
1000+
¥200.0118
现货仓: 13016
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00241914
描述:
详细:
1+
¥545.4756
200+
¥211.089
500+
¥203.6736
1000+
¥200.0118
现货仓: 18634
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00243275
描述:
详细:
1+
¥545.4756
200+
¥211.089
500+
¥203.6736
1000+
¥200.0118
现货仓: 15142
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: TO-18(TO-206AA)
编码: YHSC00230537
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):30mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):30Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥548.097
200+
¥212.109
500+
¥204.6528
1000+
¥200.9706
现货仓: 18232
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: TO-18(TO-206AA)
编码: YHSC00241068
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):15mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):50Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥548.097
200+
¥212.109
500+
¥204.6528
1000+
¥200.9706
现货仓: 19488
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: TO-18(TO-206AA)
编码: YHSC00245279
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):8mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):80Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥548.097
200+
¥212.109
500+
¥204.6528
1000+
¥200.9706
现货仓: 11097
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00230030
描述:
详细:
1+
¥550.29
200+
¥212.9556
500+
¥205.4688
1000+
¥201.7764
现货仓: 11886
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00232016
描述:
详细:
1+
¥550.29
200+
¥212.9556
500+
¥205.4688
1000+
¥201.7764
现货仓: 16162
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00241303
描述:
详细:
1+
¥550.29
200+
¥212.9556
500+
¥205.4688
1000+
¥201.7764
现货仓: 19327
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: TO-18(TO-206AA)
编码: YHSC00243498
描述: FET类型:P沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V; 功率(Pd):300mW
详细:
1+
¥564.519
200+
¥218.4636
500+
¥210.783
1000+
¥206.9886
现货仓: 12908
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: TO-18(TO-206AA)
编码: YHSC00239931
描述: FET类型:P沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V; 功率(Pd):300mW
详细:
1+
¥602.0652
200+
¥232.9986
500+
¥224.808
1000+
¥220.7586
现货仓: 15604
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: TO-18(TO-206AA)
编码: YHSC00247985
描述: FET类型:P沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):1mA@5V; 功率(Pd):300mW
详细:
1+
¥602.0652
200+
¥232.9986
500+
¥224.808
1000+
¥220.7586
现货仓: 18252
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00236166
描述:
详细:
1+
¥617.7222
200+
¥239.0472
500+
¥230.6526
1000+
¥226.5012
现货仓: 19376
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00242676
描述:
详细:
1+
¥617.7222
200+
¥239.0472
500+
¥230.6526
1000+
¥226.5012
现货仓: 12186
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: -
编码: YHSC00250090
描述:
详细:
1+
¥617.7222
200+
¥239.0472
500+
¥230.6526
1000+
¥226.5012
现货仓: 11044
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: TO-18(TO-206AA)
编码: YHSC00234592
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):8mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):80Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥624.6174
200+
¥241.7196
500+
¥233.223
1000+
¥229.0308
现货仓: 12430
最快4小时发货
金额: -
分类: 结型场效应管(JFET)
品牌: MICROCHIP(美国微芯)
封装: TO-18(TO-206AA)
编码: YHSC00242487
描述: FET类型:N沟道; 栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V; 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):30mA@20V; 漏源导通电阻(RDS(on)):30Ω; 功率(Pd):360mW
详细:
1+
¥624.6174
200+
¥241.7196
500+
¥233.223
1000+
¥229.0308
现货仓: 14388
最快4小时发货
金额: -
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