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符合条件商品：共
144件
型号/分类/品牌/封装
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分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
-
编码：
YHSC00237983
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：8mA@20V;
漏源导通电阻(RDS(on))：80Ω;
功率(Pd)：360mW
详细： 无
1+
￥732.003
200+
￥283.2744
500+
￥273.3192
1000+
￥268.4028
现货仓：
12862
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
-
编码：
YHSC00248868
描述： FET类型：N沟道
详细： 无
1+
￥732.003
200+
￥283.2744
500+
￥273.3192
1000+
￥268.4028
现货仓：
19235
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
Microsemi(美高森美)
封装：
SMD-4P
编码：
YHSC00240811
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：15mA@20V;
漏源导通电阻(RDS(on))：50Ω;
功率(Pd)：360mW
详细： 无
1+
￥937.9818
200+
￥362.9874
500+
￥350.2272
1000+
￥343.9236
现货仓：
19205
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
Microsemi(美高森美)
封装：
-
编码：
YHSC00233288
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：8mA@20V;
漏源导通电阻(RDS(on))：80Ω;
功率(Pd)：360mW
详细： 无
1+
￥970.7442
200+
￥375.666
500+
￥362.4672
1000+
￥355.9392
现货仓：
14240
最快4小时发货
个
金额：
-
