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分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
HARRIS(哈利斯)
封装：
TO-71
编码：
YHSC00232295
描述： FET类型：2个N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：50V
详细： 无
1+
￥44.37
200+
￥17.1768
500+
￥16.575
1000+
￥16.269
现货仓：
19740
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
TO-18(TO-206AA)
编码：
YHSC00236349
描述： FET类型：P沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：2mA@5V;
功率(Pd)：300mW
详细： 无
1+
￥89.4336
200+
￥34.6188
500+
￥33.3948
1000+
￥32.793
现货仓：
13212
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
TI(德州仪器)
封装：
SOIC-8
编码：
YHSC00423578
描述： 无
详细： 无
1+
￥44.1864
10+
￥39.0456
30+
￥35.904
100+
￥33.2826
现货仓：
15047
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
HARRIS(哈利斯)
封装：
TO-72
编码：
YHSC00238696
描述： FET类型：2个N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：3mA@15V;
漏源导通电阻(RDS(on))：17mΩ;
功率(Pd)：360mW
详细： 无
1+
￥93.4116
200+
￥36.1488
500+
￥34.884
1000+
￥34.2516
现货仓：
17237
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
Microsemi(美高森美)
封装：
TO-18
编码：
YHSC00230867
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：175mA@15V;
漏源导通电阻(RDS(on))：25Ω;
功率(Pd)：360mW
详细： 无
1+
￥106.182
200+
￥41.0958
500+
￥39.6474
1000+
￥38.9334
现货仓：
14937
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
-
编码：
YHSC00239007
描述： 无
详细： 无
1+
￥213.9756
200+
￥82.8036
500+
￥79.8966
1000+
￥78.4584
现货仓：
18392
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
-
编码：
YHSC00237570
描述： 无
详细： 无
1+
￥223.4208
200+
￥86.4654
500+
￥83.4258
1000+
￥81.9264
现货仓：
10831
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
-
编码：
YHSC00246126
描述： 无
详细： 无
1+
￥223.4208
200+
￥86.4654
500+
￥83.4258
1000+
￥81.9264
现货仓：
18528
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
-
编码：
YHSC00251177
描述： 无
详细： 无
1+
￥223.4208
200+
￥86.4654
500+
￥83.4258
1000+
￥81.9264
现货仓：
15660
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
TO-18(TO-206AA)
编码：
YHSC00250829
描述： FET类型：P沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V;
漏源导通电阻(RDS(on))：100Ω;
功率(Pd)：500mW
详细： 无
1+
￥285.0492
200+
￥110.313
500+
￥106.437
1000+
￥104.5194
现货仓：
12569
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
-
编码：
YHSC00241731
描述： 无
详细： 无
1+
￥326.5428
200+
￥126.3678
500+
￥121.9308
1000+
￥119.7378
现货仓：
11829
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
UB-3(3.09x2.45)
编码：
YHSC00231120
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：8mA@20V;
漏源导通电阻(RDS(on))：80Ω;
功率(Pd)：360mW
详细： 无
1+
￥352.8078
200+
￥136.5372
500+
￥131.7432
1000+
￥129.3666
现货仓：
11677
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
UB-3(3.09x2.45)
编码：
YHSC00237183
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：30mA@20V;
漏源导通电阻(RDS(on))：30Ω;
功率(Pd)：360mW
详细： 无
1+
￥378.4302
200+
￥146.4516
500+
￥141.3006
1000+
￥138.7608
现货仓：
13430
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
-
编码：
YHSC00230203
描述： FET类型：P沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：25mA@15V;
漏源导通电阻(RDS(on))：175Ω;
功率(Pd)：500mW
详细： 无
1+
￥417.282
200+
￥161.4864
500+
￥155.8152
1000+
￥153.0102
现货仓：
17161
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
-
编码：
YHSC00234127
描述： FET类型：P沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：60mA@15V;
漏源导通电阻(RDS(on))：100Ω;
功率(Pd)：500mW
详细： 无
1+
￥417.282
200+
￥161.4864
500+
￥155.8152
1000+
￥153.0102
现货仓：
19432
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
TO-18(TO-206AA)
编码：
YHSC00233873
描述： FET类型：P沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：30mA@18V;
漏源导通电阻(RDS(on))：75Ω;
功率(Pd)：500mW
详细： 无
1+
￥431.5212
200+
￥166.9944
500+
￥161.1294
1000+
￥158.2224
现货仓：
17385
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
TO-18
编码：
YHSC00249286
描述： FET类型：P沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：5mA@15V;
漏源导通电阻(RDS(on))：175Ω;
功率(Pd)：500mW
详细： 无
1+
￥431.5212
200+
￥166.9944
500+
￥161.1294
1000+
￥158.2224
现货仓：
10992
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
-
编码：
YHSC00250503
描述： FET类型：P沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：90mA@18V;
漏源导通电阻(RDS(on))：75Ω;
功率(Pd)：500mW
详细： 无
1+
￥437.1006
200+
￥169.1568
500+
￥163.2102
1000+
￥160.2726
现货仓：
15361
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
MICROCHIP(美国微芯)
封装：
TO-18(TO-206AA)
编码：
YHSC00249813
描述： FET类型：P沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：15mA@15V;
漏源导通电阻(RDS(on))：100Ω;
功率(Pd)：500mW
详细： 无
1+
￥517.8846
200+
￥200.4198
500+
￥193.3716
1000+
￥189.8934
现货仓：
14774
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
Microsemi(美高森美)
封装：
TO-18
编码：
YHSC00247162
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：30mA@20V;
漏源导通电阻(RDS(on))：30Ω;
功率(Pd)：360mW
详细： 无
1+
￥540.9876
200+
￥209.355
500+
￥202.0008
1000+
￥198.3594
现货仓：
13375
最快4小时发货
个
金额：
-
