综合排序
价格
库存
销量
新品
-
-
清空 搜索
符合条件商品：共
144件
型号/分类/品牌/封装
参数
阶梯价格(含税)
库存交期
数量
操作
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC02673582
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：35V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：20mA@15V;
漏源导通电阻(RDS(on))：30Ω;
功率(Pd)：350mW
详细： 无
1+
￥2.695
10+
￥2.189
30+
￥1.969
100+
￥1.694
500+
￥1.386
现货仓：
19402
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
TO-92-3
编码：
YHSC02672391
描述： 无
详细： 无
5+
￥2.38326
50+
￥1.96801
150+
￥1.77474
1000+
￥1.55276
2000+
￥1.45387
5000+
￥1.39458
现货仓：
13584
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
TO-236-3
编码：
YHSC00944190
描述： FET类型：N沟道;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：16mA@5V;
功率(Pd)：200mW
详细： 无
1+
￥4.2432
200+
￥1.6422
500+
￥1.5912
1000+
￥1.5606
现货仓：
13908
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
SC-59-3
编码：
YHSC00102003
描述： 无
详细： 无
1+
￥3.1926
10+
￥2.6112
30+
￥2.3562
100+
￥2.04
500+
￥1.7136
1000+
￥1.632
现货仓：
16980
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC02673550
描述： 无
详细： 无
5+
￥2.24961
50+
￥1.99386
150+
￥1.88419
500+
￥1.74746
3000+
￥1.68663
6000+
￥1.65
现货仓：
16736
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC00760769
描述： 无
详细： 无
1+
￥2.55
10+
￥2.1114
30+
￥1.9176
现货仓：
10811
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
Innoscience(英诺赛科)
封装：
DFN(5x6)
编码：
YHSC00093314
描述： 无
详细： 无
1+
￥3.8148
10+
￥3.1518
30+
￥2.8254
100+
￥2.4888
500+
￥2.2134
1000+
￥2.1114
现货仓：
15863
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC02449108
描述： FET类型：N沟道
详细： 无
1+
￥3.905
10+
￥3.234
30+
￥2.893
100+
￥2.563
500+
￥2.365
1000+
￥2.255
现货仓：
15725
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
MCPH-3
编码：
YHSC00375343
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V;
功率(Pd)：150mW
详细： 无
1+
￥7.8132
200+
￥3.0294
500+
￥2.9172
1000+
￥2.8662
现货仓：
15917
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
HARRIS(哈利斯)
封装：
TO-72-4
编码：
YHSC00244417
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：4mA@15V;
功率(Pd)：300mW
详细： 无
1+
￥8.1804
200+
￥3.1722
500+
￥3.06
1000+
￥2.9988
现货仓：
10946
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
SC-59-3
编码：
YHSC00793041
描述： 无
详细： 无
1+
￥5.4774
10+
￥4.5594
30+
￥4.1004
100+
￥3.6414
500+
￥3.3762
1000+
￥3.2334
现货仓：
16499
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
TO-92-3
编码：
YHSC02500474
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：25V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：40mA@15V;
漏源导通电阻(RDS(on))：12Ω;
功率(Pd)：625mW
详细： 无
1+
￥6.083
10+
￥5.038
30+
￥4.51
100+
￥3.993
500+
￥3.674
1000+
￥3.52
现货仓：
16005
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC02502167
描述： FET类型：N沟道
详细： 无
1+
￥4.73
10+
￥3.949
30+
￥3.564
现货仓：
15173
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
SOT-23-3L
编码：
YHSC02449198
描述： 无
详细： 无
1+
￥4.906
10+
￥4.103
30+
￥3.707
现货仓：
17452
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
TO-92-3
编码：
YHSC00265167
描述： 无
详细： 无
1+
￥5.406
10+
￥4.4982
30+
￥4.0494
现货仓：
19050
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
Innoscience(英诺赛科)
封装：
DFN(5x6)
编码：
YHSC00093506
描述： 栅源击穿电压(V(BR)GSS)：7V
详细： 无
1+
￥8.2518
10+
￥6.9972
30+
￥6.3138
100+
￥5.5284
500+
￥4.9674
1000+
￥4.8144
现货仓：
13388
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
onsemi(安森美)
封装：
TO-236-3
编码：
YHSC00944083
描述： 无
详细： 无
1+
￥8.3028
10+
￥7.0788
30+
￥6.4056
现货仓：
13935
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
Innoscience(英诺赛科)
封装：
DFN(8x8)
编码：
YHSC00093107
描述： 无
详细： 无
1+
￥8.8638
10+
￥7.5174
30+
￥6.7728
现货仓：
17031
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
TI(德州仪器)
封装：
SC-70-5
编码：
YHSC00234893
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：24mA@10V
详细： 无
1+
￥23.4498
250+
￥9.078
500+
￥8.7618
1000+
￥8.5986
现货仓：
13971
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
结型场效应管(JFET)
品牌：
HARRIS(哈利斯)
封装：
TO-72
编码：
YHSC00239635
描述： FET类型：N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：6.5V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：5mA@15V;
功率(Pd)：330mW
详细： 无
1+
￥43.7886
200+
￥16.9524
500+
￥16.3506
1000+
￥16.065
现货仓：
18586
最快4小时发货
个
金额：
-
