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62件
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分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
SAMSUNG(三星半导体)
封装：
BGA-178
编码：
YHSC00786318
描述： 无
详细： 无
1+
￥378.42
200+
￥146.4414
500+
￥141.3006
1000+
￥138.7608
现货仓：
13107
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
TWBGA-144(11x18.5)
编码：
YHSC00043793
描述： 存储器构架(格式)：RLDRAM;
存储容量：16Mbit;
工作电压：1.7V~1.9V
详细： 无
1+
￥387.0492
200+
￥149.787
500+
￥144.5238
1000+
￥141.9228
现货仓：
10595
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00028723
描述： 无
详细： 无
1+
￥434.6118
200+
￥168.1878
500+
￥162.282
1000+
￥159.3648
现货仓：
15412
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00028157
描述： 无
详细： 无
1+
￥451.5948
200+
￥174.7668
500+
￥168.6264
1000+
￥165.5868
现货仓：
10748
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00029807
描述： 无
详细： 无
1+
￥451.5948
200+
￥174.7668
500+
￥168.6264
1000+
￥165.5868
现货仓：
15649
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00027852
描述： 无
详细： 无
1+
￥452.5944
200+
￥175.1544
500+
￥168.9936
1000+
￥165.954
现货仓：
14670
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00027964
描述： 存储器构架(格式)：RLDRAM;
存储容量：576Mbit;
工作电压：1.28V~1.42V
详细： 无
1+
￥452.5944
200+
￥175.1544
500+
￥168.9936
1000+
￥165.954
现货仓：
15940
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
SAMSUNG(三星半导体)
封装：
BGA-178
编码：
YHSC00919805
描述： 无
详细： 无
1+
￥193.086
30+
￥176.256
现货仓：
17934
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00028404
描述： 存储器构架(格式)：RLDRAM;
存储容量：576Mbit;
工作电压：1.28V~1.42V
详细： 无
1+
￥483.5616
200+
￥187.1394
500+
￥180.5604
1000+
￥177.3066
现货仓：
12028
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00961893
描述： 存储器构架(格式)：RLDRAM;
存储容量：576Mbit;
工作电压：1.28V~1.42V
详细： 无
1+
￥483.5616
200+
￥187.1394
500+
￥180.5604
1000+
￥177.3066
现货仓：
12979
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00961695
描述： 无
详细： 无
1+
￥483.5616
200+
￥187.1394
500+
￥180.5604
1000+
￥177.3066
现货仓：
17593
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00961542
描述： 存储器构架(格式)：RLDRAM;
存储容量：576Mbit;
工作电压：1.28V~1.42V
详细： 无
1+
￥502.554
200+
￥194.4834
500+
￥187.6494
1000+
￥184.2732
现货仓：
12100
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00961610
描述： 无
详细： 无
1+
￥502.554
200+
￥194.4834
500+
￥187.6494
1000+
￥184.2732
现货仓：
15754
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00034821
描述： 无
详细： 无
1+
￥535.5204
200+
￥207.2436
500+
￥199.9608
1000+
￥196.3602
现货仓：
14136
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00035152
描述： 无
详细： 无
1+
￥535.5204
200+
￥207.2436
500+
￥199.9608
1000+
￥196.3602
现货仓：
11818
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00034688
描述： 存储器构架(格式)：RLDRAM;
存储容量：576Mbit;
工作电压：1.28V~1.42V
详细： 无
1+
￥536.52
200+
￥207.6312
500+
￥200.328
1000+
￥196.7274
现货仓：
12455
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00033694
描述： 无
详细： 无
1+
￥536.52
200+
￥207.6312
500+
￥200.328
1000+
￥196.7274
现货仓：
17971
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00034445
描述： 无
详细： 无
1+
￥557.5014
200+
￥215.7504
500+
￥208.1616
1000+
￥204.4182
现货仓：
13564
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00034347
描述： 无
详细： 无
1+
￥584.3376
200+
￥226.134
500+
￥218.1882
1000+
￥214.2612
现货仓：
14879
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌：
ISSI(美国芯成)
封装：
BGA-168
编码：
YHSC00960123
描述： 无
详细： 无
1+
￥592.467
200+
￥229.2756
500+
￥221.2176
1000+
￥217.2396
现货仓：
19310
最快4小时发货
个
金额：
-
