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存储器
动态随机存取存储器(DRAM)
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IS42S16160G-6TLI
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TSOPII-54
编码:
YHSC02797178
描述:
无
详细:
无
1+
¥52.602
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¥42.394
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S27KL0641DABHI020
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
CYPRESS(赛普拉斯)
封装:
VBGA-24
编码:
YHSC00574744
描述:
无
详细:
无
1+
¥54.8454
10+
¥48.3378
30+
¥44.37
现货仓:
12260
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IS49NLC36800-33WBLI
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00960290
描述:
存储器构架(格式):RLDRAM;
存储容量:288Mbit;
工作电压:1.7V~1.9V
详细:
无
1+
¥249.1962
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¥96.441
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IS49NLC36800-25WBL
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00959277
描述:
无
详细:
无
1+
¥257.04
200+
¥99.4704
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IS49NLC18320A-33WBL
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00957947
描述:
无
详细:
无
1+
¥257.6112
200+
¥99.6948
500+
¥96.1962
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IS49NLS18320A-33WBL
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00041776
描述:
存储器构架(格式):RLDRAM;
存储容量:32Mbit;
工作电压:1.7V~1.9V
详细:
无
1+
¥274.3698
200+
¥106.182
500+
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IS49NLC96400A-33WBL
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00041946
描述:
无
详细:
无
1+
¥274.3698
200+
¥106.182
500+
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IS49NLS96400A-33WBL
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00041672
描述:
无
详细:
无
1+
¥274.3698
200+
¥106.182
500+
¥102.4488
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现货仓:
16817
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IS49NLC36800-25EWBLI
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00026766
描述:
无
详细:
无
1+
¥280.5408
200+
¥108.5688
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¥104.754
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现货仓:
12535
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IS49NLS93200-33WBLI
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00027026
描述:
无
详细:
无
1+
¥288.3846
200+
¥111.5982
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IS49NLC18160-33WBLI
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00032762
描述:
存储器构架(格式):RLDRAM;
存储容量:288Mbit;
工作电压:1.7V~1.9V
详细:
无
1+
¥288.3846
200+
¥111.5982
500+
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IS49NLS93200-25WBLI
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00025284
描述:
无
详细:
无
1+
¥296.2182
200+
¥114.6378
500+
¥110.6088
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¥108.6198
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IS49NLC93200-25WBLI
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00025396
描述:
无
详细:
无
1+
¥296.2182
200+
¥114.6378
500+
¥110.6088
1000+
¥108.6198
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K4F6E304HB-MGCJ
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
SAMSUNG(三星半导体)
封装:
SMD
编码:
YHSC02805455
描述:
无
详细:
无
1+
¥319.121
200+
¥123.497
500+
¥119.163
1000+
¥117.018
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MT44K16M36RB-107E:B
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
micron(镁光)
封装:
BGA-168(13.5x13.5)
编码:
YHSC00024995
描述:
无
详细:
无
1+
¥321.3918
200+
¥124.3788
500+
¥120.003
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¥117.8508
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MT49H16M36SJ-25E:B
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
micron(镁光)
封装:
FBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00024897
描述:
无
详细:
无
1+
¥334.0602
200+
¥129.285
500+
¥124.7358
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¥122.4918
现货仓:
12341
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MT49H32M18SJ-25E:B
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
micron(镁光)
封装:
FBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00963620
描述:
无
详细:
无
1+
¥334.0602
200+
¥129.285
500+
¥124.7358
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¥122.4918
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IS49NLS96400A-25WBL
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00041450
描述:
无
详细:
无
1+
¥368.6178
200+
¥142.6572
500+
¥137.6388
1000+
¥135.1602
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IS49NLC96400A-25WBL
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00041599
描述:
无
详细:
无
1+
¥368.6178
200+
¥142.6572
500+
¥137.6388
1000+
¥135.1602
现货仓:
17303
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IS49NLC18320A-25WBL
分类:
动态随机存取存储器(DRAM)
品牌:
ISSI(美国芯成)
封装:
TWBGA-144(11x18.5)
编码:
YHSC00043929
描述:
存储器构架(格式):RLDRAM;
存储容量:32Mbit;
工作电压:1.7V~1.9V
详细:
无
1+
¥368.6178
200+
¥142.6572
500+
¥137.6388
1000+
¥135.1602
现货仓:
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