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结型场效应管(JFET)
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FJZ594JBTF
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-623F
编码:
YHSC00231529
描述:
FET类型:N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):20V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):150uA@5V;
功率(Pd):100mW
详细:
无
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
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1000+
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TF222B-B4-TL-E-ON
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
-
编码:
YHSC00232645
描述:
无
详细:
无
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
¥0.054498
1000+
¥0.053516
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14214
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FJZ594JCTF
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-623F
编码:
YHSC00240479
描述:
FET类型:N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):20V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):150uA@5V;
功率(Pd):100mW
详细:
无
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
¥0.054498
1000+
¥0.053516
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18232
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FJX597JHTF
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SC-70-3
编码:
YHSC00246359
描述:
FET类型:N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):20V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):150uA@5V;
功率(Pd):100mW
详细:
无
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
¥0.054498
1000+
¥0.053516
现货仓:
16222
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TF2123G-E5-AQ3-R
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
UTC(友顺)
封装:
SOT-723
编码:
YHSC02451914
描述:
无
详细:
无
20+
¥0.165068
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¥0.135268
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¥0.118713
2000+
¥0.10878
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¥0.084818
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TF218THC-5-TL-H
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
-
编码:
YHSC00243688
描述:
无
详细:
无
1+
¥0.291909
200+
¥0.112965
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¥0.107034
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14172
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PF53012
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00245561
描述:
FET类型:N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):30uA@10V
详细:
无
1+
¥0.364884
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¥0.133791
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11413
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TF2123G-E3-AQ3-R
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
UTC(友顺)
封装:
SOT-723
编码:
YHSC00833997
描述:
无
详细:
无
20+
¥0.202747
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¥0.141343
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17900
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PN4391
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00233544
描述:
FET类型:N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):50mA@20V;
漏源导通电阻(RDS(on)):30Ω;
功率(Pd):625mW
详细:
无
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¥0.437862
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PN4091
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00239158
描述:
FET类型:N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):30mA@20V;
漏源导通电阻(RDS(on)):30Ω;
功率(Pd):625mW
详细:
无
1+
¥0.437862
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¥0.169448
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U1898
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00239339
描述:
FET类型:N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):15mA@20V;
漏源导通电阻(RDS(on)):50Ω;
功率(Pd):625mW
详细:
无
1+
¥0.437862
200+
¥0.169448
500+
¥0.163492
1000+
¥0.16055
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16830
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2N5638
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00248600
描述:
FET类型:N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):50mA@20V;
漏源导通电阻(RDS(on)):30Ω;
功率(Pd):350mW
详细:
无
1+
¥0.437862
200+
¥0.169448
500+
¥0.163492
1000+
¥0.16055
现货仓:
17889
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J176_D74Z
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00232865
描述:
FET类型:P沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V;
漏源导通电阻(RDS(on)):250Ω;
功率(Pd):350mW
详细:
无
1+
¥0.510839
200+
¥0.197688
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13562
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PN4118
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00249532
描述:
FET类型:N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):80uA@10V;
功率(Pd):350mW
详细:
无
1+
¥0.510839
200+
¥0.197688
500+
¥0.190741
1000+
¥0.187309
现货仓:
16527
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MMBF4392
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC00242230
描述:
FET类型:N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):25mA@20V;
漏源导通电阻(RDS(on)):60Ω;
功率(Pd):350mW
详细:
无
1+
¥0.656792
200+
¥0.254171
500+
¥0.245238
1000+
¥0.240824
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MMBF4119
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC00240167
描述:
FET类型:N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V;
功率(Pd):225mW
详细:
无
1+
¥0.72977
200+
¥0.282411
500+
¥0.272487
1000+
¥0.267583
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J176
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00246574
描述:
FET类型:P沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):2mA@15V;
漏源导通电阻(RDS(on)):250Ω;
功率(Pd):350mW
详细:
无
1+
¥0.72977
200+
¥0.282411
500+
¥0.272487
1000+
¥0.267583
现货仓:
13615
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2SK3666G-3-AE3-R
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
UTC(友顺)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00914987
描述:
无
详细:
无
5+
¥0.530733
50+
¥0.428733
150+
¥0.377733
500+
¥0.339483
3000+
¥0.308883
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16872
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PN5432
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00241505
描述:
FET类型:N沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):25V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):150mA@15V;
漏源导通电阻(RDS(on)):5Ω;
功率(Pd):350mW
详细:
无
1+
¥0.875723
200+
¥0.338894
500+
¥0.326983
1000+
¥0.321099
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14481
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J175
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92
编码:
YHSC00247743
描述:
FET类型:P沟道;
栅源击穿电压(V(BR)GSS):30V;
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):7mA@15V;
漏源导通电阻(RDS(on)):125Ω;
功率(Pd):350mW
详细:
无
1+
¥0.875723
200+
¥0.338894
500+
¥0.326983
1000+
¥0.321099
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