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三极管/MOS管/晶体管
数字晶体管
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FJY4012R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02794491
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
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FJV3113RMTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02795033
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
无
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MMUN2133LT1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
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编码:
YHSC02795292
描述:
无
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BCR183WE6327
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-323-3
编码:
YHSC02795825
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):250mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
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无
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FJY3011R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02795580
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
无
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FJN3310RBU
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02796490
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
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FJV4104RMTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC02795640
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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FJY4004R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02796939
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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FJY3010R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02797304
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
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MUN2113T1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
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编码:
YHSC02798120
描述:
无
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FJX3003RTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SC-70-3
编码:
YHSC02798136
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
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无
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FJNS3206RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92S
编码:
YHSC02798167
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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FJN3310RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02798192
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
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FJN4301RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02797802
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V
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MUN2213T1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SC-59
编码:
YHSC02797975
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):338mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):500nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
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无
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FJY4007R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02798043
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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无
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FJN4310RBU
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02798304
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
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FJY4008R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02798349
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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BCR135WE6327
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-323-3
编码:
YHSC02798471
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):250mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
详细:
无
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500+
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BCR166
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-323-3
编码:
YHSC02798793
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):250mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
详细:
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200+
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