型号/分类/品牌/封装
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分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523(SC-75)
编码: YHSC02794491
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):40V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC02795033
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
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¥0.057714
现货仓: 17647
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: -
编码: YHSC02795292
描述:
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: Infineon(英飞凌)
封装: SOT-323-3
编码: YHSC02795825
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):250mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523(SC-75)
编码: YHSC02795580
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):40V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
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现货仓: 13197
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: TO-92-3
编码: YHSC02796490
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):300mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):40V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-23-3
编码: YHSC02795640
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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现货仓: 14468
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523(SC-75)
编码: YHSC02796939
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523(SC-75)
编码: YHSC02797304
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):40V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: -
编码: YHSC02798120
描述:
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SC-70-3
编码: YHSC02798136
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
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现货仓: 14183
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: TO-92S
编码: YHSC02798167
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):300mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
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¥0.1574
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500+
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现货仓: 15675
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: TO-92-3
编码: YHSC02798192
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):300mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):40V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
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¥0.1574
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现货仓: 10645
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: TO-92-3
编码: YHSC02797802
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):300mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V
详细:
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¥0.1574
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现货仓: 16702
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SC-59
编码: YHSC02797975
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):338mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):500nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
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现货仓: 18243
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523(SC-75)
编码: YHSC02798043
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
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¥0.1574
200+
¥0.060913
500+
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¥0.057714
现货仓: 13756
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: TO-92-3
编码: YHSC02798304
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):300mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):40V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
1+
¥0.1574
200+
¥0.060913
500+
¥0.058772
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¥0.057714
现货仓: 17419
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523(SC-75)
编码: YHSC02798349
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
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¥0.1574
200+
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现货仓: 19530
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: Infineon(英飞凌)
封装: SOT-323-3
编码: YHSC02798471
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):250mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
详细:
1+
¥0.1574
200+
¥0.060913
500+
¥0.058772
1000+
¥0.057714
现货仓: 10587
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: Infineon(英飞凌)
封装: SOT-323-3
编码: YHSC02798793
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):250mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
详细:
1+
¥0.1574
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¥0.060913
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现货仓: 11903
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