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三极管/MOS管/晶体管
数字晶体管
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FJNS3202RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92S
编码:
YHSC02787240
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
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FJN4310RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02788044
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
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BCR196TE6327
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02787727
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):70mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@5mA,5V
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FJV3113RMTF-ON
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC02787770
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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FJV4101RMTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC02787637
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V
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无
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FJY3003R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02788853
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
详细:
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PDTC114YM315
分类:
数字晶体管
品牌:
NXP(恩智浦)
封装:
DFN-3(1x0.6)
编码:
YHSC02791289
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):250mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
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FJY3008R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02791149
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
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FJV3111RMTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC02791216
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
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FJV4110RMTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC02792118
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
无
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FJN4309RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02791513
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
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FJX4002RTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SC-70-3
编码:
YHSC02792490
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
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BCR135TE6327
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SC-75
编码:
YHSC02792308
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
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FJX3007RTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SC-70(SOT-323)
编码:
YHSC02792671
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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MUN2234T1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
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-
编码:
YHSC02793925
描述:
无
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无
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BCR133TE6327
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-23-3-11
编码:
YHSC02793636
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
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FJNS4206RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92S
编码:
YHSC02792700
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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FJN4303RTA-ON
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02793085
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
详细:
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FJY3009R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02794837
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
无
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MUN2216T1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
-
编码:
YHSC02794021
描述:
无
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