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三极管/MOS管/晶体管
数字晶体管
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MUN2237T1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
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编码:
YHSC02782657
描述:
无
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SMUN2232T1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
-
编码:
YHSC02783410
描述:
无
详细:
无
1+
¥0.1574
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¥0.060913
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FJNS3215RBU
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92S
编码:
YHSC02783234
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@10mA,5V
详细:
无
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FJN3306RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02783314
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
无
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FJN3304RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02783806
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
无
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FJY4009R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02784897
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
无
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FJY4010R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02784690
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
无
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FJY3006R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02783967
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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无
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SMUN2233T1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
-
编码:
YHSC02784537
描述:
无
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无
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FJN3304RBU
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02784607
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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无
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FJY3001R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02786164
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@10mA,5V
详细:
无
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FJV4113RMTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC02785308
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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BCR158
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-323-3
编码:
YHSC02785507
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):250mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
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BCR141W
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-323-3
编码:
YHSC02786657
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):250mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@5mA,5V
详细:
无
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FJY4003R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02786721
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
详细:
无
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FJV4109RMTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC02786781
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
无
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FJY4011R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02786958
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
无
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FJY3015R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02786311
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@10mA,5V
详细:
无
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BCR133WE6327
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
编码:
YHSC02786421
描述:
无
详细:
无
1+
¥0.1574
200+
¥0.060913
500+
¥0.058772
1000+
¥0.057714
现货仓:
14012
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MMUN2132LT1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
-
编码:
YHSC02787196
描述:
无
详细:
无
1+
¥0.1574
200+
¥0.060913
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¥0.058772
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