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三极管/MOS管/晶体管
数字晶体管
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FJN4303RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00364566
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
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无
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FJV3104RMTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC00365415
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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无
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FJNS3201RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92S
编码:
YHSC00366296
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V
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FJN4314RBU
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00367544
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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BCR158W
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-323-3
编码:
YHSC00368699
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):250mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
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无
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FJN3309RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00370105
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
无
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12080
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FJN4303RBU
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00377783
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
详细:
无
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DTA114ECAHZGT116
分类:
数字晶体管
品牌:
ROHM(罗姆)
封装:
SST-3
编码:
YHSC02785813
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):350mW;
集电极电流(Ic):100mA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
详细:
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DTA143ECAHZGT116
分类:
数字晶体管
品牌:
ROHM(罗姆)
封装:
SST-3
编码:
YHSC02788699
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):350mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集电极截止电流(Icbo):500nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V
详细:
无
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DTC144ECAHZGT116
分类:
数字晶体管
品牌:
ROHM(罗姆)
封装:
SST-3
编码:
YHSC02789562
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置+二极管;
功率(Pd):350mW;
集电极电流(Ic):100mA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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无
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DTC023YEBTL
分类:
数字晶体管
品牌:
ROHM(罗姆)
封装:
SOT-416FL
编码:
YHSC02799728
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):150mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
详细:
无
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¥0.146857
200+
¥0.056833
500+
¥0.054835
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DTC143ZE
分类:
数字晶体管
品牌:
TC(德昌)
封装:
SOT-523-3
编码:
YHSC00841725
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):150mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):350@10mA,5V
详细:
无
50+
¥0.115103
500+
¥0.092612
3000+
¥0.071471
6000+
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24000+
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51000+
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DTC143ZE
分类:
数字晶体管
品牌:
TWGMC(台湾迪嘉)
封装:
SOT-523
编码:
YHSC00054530
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):150mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V
详细:
无
50+
¥0.11067
500+
¥0.08772
3000+
¥0.07191
6000+
¥0.06426
24000+
¥0.05763
51000+
¥0.05406
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DTC114EE
分类:
数字晶体管
品牌:
TWGMC(台湾迪嘉)
封装:
SOT-523
编码:
YHSC00127907
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):150mW;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
详细:
无
50+
¥0.11067
500+
¥0.08772
3000+
¥0.07191
6000+
¥0.06426
24000+
¥0.05763
51000+
¥0.05406
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MMUN2235
分类:
数字晶体管
品牌:
WPMtek(维攀微)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00046124
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
详细:
无
20+
¥0.110759
200+
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600+
¥0.07503
3000+
¥0.064312
9000+
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21000+
¥0.054104
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DTA144EMFHAT2L
分类:
数字晶体管
品牌:
ROHM(罗姆)
封装:
VMT-3
编码:
YHSC00345232
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):150mW;
集电极电流(Ic):100mA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
无
1+
¥0.153251
200+
¥0.059307
500+
¥0.057222
1000+
¥0.056193
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PDTA124TU,115
分类:
数字晶体管
品牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-323(SC-70)
编码:
YHSC02516040
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V
详细:
无
20+
¥0.123129
200+
¥0.098964
600+
¥0.085539
3000+
¥0.067283
9000+
¥0.060302
21000+
¥0.056543
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DTA014EUBTL
分类:
数字晶体管
品牌:
ROHM(罗姆)
封装:
-
编码:
YHSC00837039
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):50mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V
详细:
无
1+
¥0.105475
10+
¥0.084529
30+
¥0.072893
100+
¥0.065911
500+
¥0.05986
1000+
¥0.056602
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PRMH13Z
分类:
数字晶体管
品牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-1268
编码:
YHSC00769206
描述:
晶体管类型:2个NPN-预偏置;
功率(Pd):480mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
详细:
无
1+
¥0.155693
200+
¥0.060251
500+
¥0.058134
1000+
¥0.057087
现货仓:
14306
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PRMH9Z
分类:
数字晶体管
品牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-1268
编码:
YHSC00769308
描述:
晶体管类型:2个NPN-预偏置;
功率(Pd):480mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
详细:
无
1+
¥0.155693
200+
¥0.060251
500+
¥0.058134
1000+
¥0.057087
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