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三极管/MOS管/晶体管
数字晶体管
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PDTC114EMB,315
分类:
数字晶体管
品牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-883-3
编码:
YHSC00754883
描述:
无
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无
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¥0.054195
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PUMH19,115
分类:
数字晶体管
品牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-363
编码:
YHSC00772510
描述:
晶体管类型:2个NPN-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
无
1+
¥0.140041
200+
¥0.054195
500+
¥0.05229
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¥0.051349
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DTC113ZCA
分类:
数字晶体管
品牌:
PSI(宝力芯)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC00514908
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V
详细:
无
50+
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PDTC114EU,135
分类:
数字晶体管
品牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-323-3
编码:
YHSC00755056
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):1uA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
详细:
无
1+
¥0.14214
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SMUN2212T1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
-
编码:
YHSC00338802
描述:
无
详细:
无
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
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FJY4014R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00341788
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
无
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FJY4001R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00341585
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V
详细:
无
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¥0.145953
200+
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BCR196WE6327
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-323-3
编码:
YHSC00344782
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):250mW;
集电极电流(Ic):70mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@5mA,5V
详细:
无
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MMUN2116LT1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
-
编码:
YHSC00346026
描述:
无
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无
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BCR198TE6327
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
编码:
YHSC00345422
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
详细:
无
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BCR158WE6327
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
编码:
YHSC00348284
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):250mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
详细:
无
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FJX3001RTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SC-70-3
编码:
YHSC00349912
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V
详细:
无
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FJY3012R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00351285
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
无
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14782
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FJY3005R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00351494
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
详细:
无
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¥0.145953
200+
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FJNS4202RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92S
编码:
YHSC00354790
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
详细:
无
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¥0.145953
200+
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BCR185WE6327
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
编码:
YHSC00356922
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):250mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
详细:
无
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FJY4013R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00356406
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
无
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¥0.145953
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FJY3014R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00357604
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
无
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BCR166WE6327
分类:
数字晶体管
品牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
编码:
YHSC00360644
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):250mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
详细:
无
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¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
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现货仓:
17442
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FJY3007R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00363257
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
无
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
¥0.054498
1000+
¥0.053516
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