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17688件
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HL(富海微)
封装：
SOT23
编码：
YHSC02164164
描述： 无
详细： 无
50+
￥0.06996
500+
￥0.05511
3000+
￥0.04686
6000+
￥0.04191
24000+
￥0.03762
51000+
￥0.03531
现货仓：
17082
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
TMC(台懋)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC02130720
描述： 无
详细： 无
50+
￥0.0726
500+
￥0.05775
3000+
￥0.0495
6000+
￥0.04455
24000+
￥0.04026
51000+
￥0.03795
现货仓：
18295
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
TMC(台懋)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC02132856
描述： 无
详细： 无
50+
￥0.0726
500+
￥0.05775
3000+
￥0.0495
6000+
￥0.04455
24000+
￥0.04026
51000+
￥0.03795
现货仓：
10139
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
TF(拓锋)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01888453
描述： 无
详细： 无
50+
￥0.075669
500+
￥0.060819
3000+
￥0.050589
6000+
￥0.045639
24000+
￥0.041349
51000+
￥0.039039
现货仓：
14989
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MSKSEMI(美森科)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC00933200
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：300mA;
功率(Pd)：350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@10V,300mA
详细： 无
50+
￥0.076755
500+
￥0.06069
3000+
￥0.051765
6000+
￥0.04641
24000+
￥0.041769
51000+
￥0.03927
现货仓：
14169
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KUU
封装：
SOT-23
编码：
YHSC00238501
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：115mA;
功率(Pd)：225mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,100mA;
类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：115mA;
功率(Pd)：225mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,100mA
详细： 无
50+
￥0.084737
500+
￥0.068665
3000+
￥0.051784
6000+
￥0.046427
24000+
￥0.041785
51000+
￥0.039285
现货仓：
11122
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
TF(拓锋)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01888582
描述： 无
详细： 无
50+
￥0.081661
500+
￥0.066811
3000+
￥0.050919
6000+
￥0.045969
24000+
￥0.041679
51000+
￥0.039369
现货仓：
14229
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HL(富海微)
封装：
SOT23
编码：
YHSC02164277
描述： 无
详细： 无
50+
￥0.074019
500+
￥0.059169
3000+
￥0.050919
6000+
￥0.045969
24000+
￥0.041679
51000+
￥0.039369
现货仓：
16917
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC02108022
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：300mA;
功率(Pd)：350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.3A
详细： 无
50+
￥0.04632
500+
￥0.041461
3000+
￥0.040695
6000+
￥0.039543
现货仓：
16995
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
-
编码：
YHSC01785460
描述： 无
详细： 无
1+
￥0.108214
200+
￥0.041878
500+
￥0.040406
1000+
￥0.039679
现货仓：
19556
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KUU
封装：
SOT-23
编码：
YHSC00523840
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：115mA;
功率(Pd)：225mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,100mA;
类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：115mA;
功率(Pd)：225mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2mΩ@10V,100mA
详细： 无
50+
￥0.08624
500+
￥0.069824
3000+
￥0.052531
6000+
￥0.047059
24000+
￥0.042317
51000+
￥0.039763
现货仓：
18502
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
TF(拓锋)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01163354
描述： 无
详细： 无
50+
￥0.083545
500+
￥0.06622
3000+
￥0.054285
6000+
￥0.04851
24000+
￥0.043505
51000+
￥0.04081
现货仓：
15664
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
GOODWORK(固得沃克)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01631163
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：340mA;
功率(Pd)：350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA
详细： 无
50+
￥0.082775
500+
￥0.06545
3000+
￥0.055825
6000+
￥0.05005
24000+
￥0.045045
51000+
￥0.04235
现货仓：
19104
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
DOWO(东沃)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC01638047
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：3.3A;
功率(Pd)：700mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@4.5V,3A
详细： 无
50+
￥0.08502
500+
￥0.066802
3000+
￥0.05668
6000+
￥0.050608
24000+
￥0.045344
51000+
￥0.042511
现货仓：
16944
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC02107851
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：300mA;
功率(Pd)：350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.3A
详细： 无
50+
￥0.08514
500+
￥0.06732
3000+
￥0.05742
6000+
￥0.05148
24000+
￥0.046332
51000+
￥0.04356
现货仓：
18106
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MSKSEMI(美森科)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC00040167
描述： 无
详细： 无
50+
￥0.089352
500+
￥0.070992
3000+
￥0.058344
6000+
￥0.052224
24000+
￥0.04692
51000+
￥0.044064
现货仓：
11604
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01888984
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：2A;
功率(Pd)：960mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@4.5V,2A
详细： 无
50+
￥0.086312
500+
￥0.068492
3000+
￥0.058212
6000+
￥0.052272
24000+
￥0.047124
51000+
￥0.044352
现货仓：
11870
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC00892445
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：2.8A;
功率(Pd)：900mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,2.8A
详细： 无
50+
￥0.085629
500+
￥0.066351
3000+
￥0.05612
6000+
￥0.049694
24000+
￥0.047124
51000+
￥0.04541
现货仓：
19989
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
JSMSEMI(杰盛微)
封装：
SOT-23-3
编码：
532000120017
描述： 漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：115mA;
额定功率(Pd)：200mW;
通道：N通道;
最小包装数量：3000;
商品标签：无铅
详细： 无
50+
￥0.087965
500+
￥0.067769
3000+
￥0.058793
6000+
￥0.052061
24000+
￥0.049368
51000+
￥0.047573
现货仓：
0
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
RealChip(正芯半导体)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC02292898
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：300mA;
功率(Pd)：350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,250mA
详细： 无
50+
￥0.07161
500+
￥0.056265
3000+
￥0.04774
现货仓：
11289
最快4小时发货
个
金额：
-
