ANHI(安海)
2019年12月接受济南市政府投资1.8亿元。海外实验室：美国加州圣何塞主营业务：功率器件产品及模块的设计与生产、工艺开发、销售以及技术服务在山东科达量产国内第一款商业化的IGBT单管产品功率器件：MOSFET/超结MOSFET/IGBT/SICMOSFET持有沟槽SiCMOSFET功率芯片关键专利自主知识产权之工艺器件技术和产品技术服务国内新能源，动力系统驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案构建国内首个专注于高效能第三代功率半导体公司，做高压、特高压功率器件全球最先进的公司。
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-252
编码：
YHSC02238916
描述： 漏源电压(Vdss)：80V;
连续漏极电流(Id)：60A;
功率(Pd)：150W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ
详细： 无
1+
￥2.563
10+
￥2.112
30+
￥1.925
100+
￥1.727
500+
￥1.606
1000+
￥1.529
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-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
DFN-8(5x6)
编码：
YHSC02238941
描述： 漏源电压(Vdss)：80V;
连续漏极电流(Id)：60A;
功率(Pd)：74W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ
详细： 无
1+
￥2.563
10+
￥2.112
30+
￥1.925
100+
￥1.727
500+
￥1.606
1000+
￥1.529
现货仓：
11094
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
SOT-223-2
编码：
YHSC02238724
描述： 漏源电压(Vdss)：750V;
连续漏极电流(Id)：6A;
功率(Pd)：37W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：950mΩ
详细： 无
1+
￥2.673
10+
￥2.211
30+
￥2.002
100+
￥1.804
500+
￥1.672
1000+
￥1.584
现货仓：
16975
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-220F
编码：
YHSC02238449
描述： 漏源电压(Vdss)：700V;
连续漏极电流(Id)：6A;
功率(Pd)：27W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：850mΩ
详细： 无
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￥2.695
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￥2.222
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￥1.815
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￥1.683
现货仓：
11289
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-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-252
编码：
YHSC02238649
描述： 漏源电压(Vdss)：700V;
连续漏极电流(Id)：6A;
功率(Pd)：74W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：850mΩ
详细： 无
1+
￥2.717
10+
￥2.266
30+
￥2.079
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￥1.892
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￥1.76
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现货仓：
15934
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
DFN-8(5x6)
编码：
YHSC02239106
描述： 漏源电压(Vdss)：100V;
连续漏极电流(Id)：123A;
功率(Pd)：151W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mΩ
详细： 无
1+
￥3.014
10+
￥2.508
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￥2.255
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￥2.057
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￥1.881
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￥1.793
现货仓：
12369
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-220
编码：
YHSC02238897
描述： 漏源电压(Vdss)：85V;
连续漏极电流(Id)：60A;
功率(Pd)：30W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.2mΩ
详细： 无
1+
￥2.937
10+
￥2.42
50+
￥2.2
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￥1.98
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￥1.837
现货仓：
11874
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-220F
编码：
YHSC02238958
描述： 漏源电压(Vdss)：80V;
连续漏极电流(Id)：35A;
功率(Pd)：188W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ
详细： 无
1+
￥2.937
10+
￥2.42
50+
￥2.2
100+
￥1.98
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￥1.837
现货仓：
14319
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-263
编码：
YHSC02238841
描述： 漏源电压(Vdss)：80V;
连续漏极电流(Id)：60A;
功率(Pd)：150W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ
详细： 无
1+
￥3.025
10+
￥2.497
30+
￥2.266
100+
￥2.035
500+
￥1.892
现货仓：
15837
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-263
编码：
YHSC02238859
描述： 漏源电压(Vdss)：85V;
连续漏极电流(Id)：60A;
功率(Pd)：150W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.2mΩ
详细： 无
1+
￥3.025
10+
￥2.497
50+
￥2.266
100+
￥2.035
500+
￥1.892
现货仓：
15076
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-252
编码：
YHSC02238697
描述： 漏源电压(Vdss)：750V;
连续漏极电流(Id)：8A;
功率(Pd)：86W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：600mΩ
详细： 无
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￥3.168
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￥2.673
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￥2.42
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￥2.233
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￥2.057
1000+
￥1.969
现货仓：
11268
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-220
编码：
YHSC02239323
描述： 漏源电压(Vdss)：100V;
连续漏极电流(Id)：123A;
功率(Pd)：175W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.4mΩ
详细： 无
1+
￥3.267
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￥2.695
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￥2.453
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￥2.035
现货仓：
15471
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
DFN-8(5x6)
编码：
YHSC02238988
描述： 漏源电压(Vdss)：100V;
连续漏极电流(Id)：68A;
功率(Pd)：66W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.4mΩ
详细： 无
1+
￥3.377
10+
￥2.849
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￥2.585
100+
￥2.387
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￥2.189
1000+
￥2.09
现货仓：
14702
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-220
编码：
YHSC02239242
描述： 漏源电压(Vdss)：85V;
连续漏极电流(Id)：119A;
功率(Pd)：183W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ
详细： 无
1+
￥3.333
10+
￥2.816
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￥2.552
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￥2.354
500+
￥2.167
现货仓：
15781
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-252
编码：
YHSC02238613
描述： 漏源电压(Vdss)：700V;
连续漏极电流(Id)：8A;
功率(Pd)：76W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：550mΩ
详细： 无
1+
￥3.509
10+
￥2.937
30+
￥2.695
100+
￥2.453
500+
￥2.288
1000+
￥2.189
现货仓：
13833
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
DFN-8(5x6)
编码：
YHSC02239016
描述： 漏源电压(Vdss)：100V;
连续漏极电流(Id)：76A;
功率(Pd)：91W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ
详细： 无
1+
￥3.608
10+
￥3.047
30+
￥2.761
100+
￥2.541
500+
￥2.343
1000+
￥2.233
现货仓：
15226
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-263
编码：
YHSC02239160
描述： 漏源电压(Vdss)：100V;
连续漏极电流(Id)：101A;
功率(Pd)：161W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.3mΩ
详细： 无
1+
￥3.509
10+
￥2.959
30+
￥2.673
100+
￥2.475
500+
￥2.277
现货仓：
12471
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-220F
编码：
YHSC02238430
描述： 漏源电压(Vdss)：650V;
连续漏极电流(Id)：8A;
功率(Pd)：86W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：550mΩ
详细： 无
1+
￥3.674
10+
￥3.091
50+
￥2.805
100+
￥2.585
500+
￥2.387
现货仓：
15990
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-220F
编码：
YHSC02238501
描述： 漏源电压(Vdss)：750V;
连续漏极电流(Id)：8A;
功率(Pd)：28W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：600mΩ
详细： 无
1+
￥3.696
10+
￥3.113
50+
￥2.827
100+
￥2.607
500+
￥2.398
现货仓：
15311
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
ANHI(安海)
封装：
TO-220F
编码：
YHSC02239133
描述： 漏源电压(Vdss)：850V;
连续漏极电流(Id)：8.5A;
功率(Pd)：43W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：710mΩ
详细： 无
1+
￥4.048
10+
￥3.41
50+
￥3.091
100+
￥2.849
500+
￥2.629
现货仓：
18762
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