AGM-Semi(芯控源)
深圳市芯控源电子科技有限公司成立于2015年01月28日，注册地位于深圳市龙岗区坂田街道万科城社区新天下百瑞达大厦A座办公楼15F1501号房，法定代表人为丘展富。经营范围包括一般经营项目是：货物及技术进出口；经营电子商务；国内贸易（不含专营、专卖、专控商品）；经营进出口业务（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）；机械设备、五金产品、电子产品批发、销售；首饰、工艺品（象牙及其制品除外）销售；机械设备、五金产品、电子产品类:计算机、软件及辅助设备的销售；机械设备、五金产品、电子产品、通讯设备的销售；无线电及外部设备、网络游戏、多媒体产品的系统集成及无线数据产品（不含限制项目）的销售；无线接入设备、GSM与CDMA无线直放站设备的销售；信息传输、软件和信息技术服务；计算机软件、信息系统软件的开发、销售；信息系统设计、集成、运行维护；信息技术咨询；集成电路设计、研发。
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOT-523(SC-75)
编码：
YHSC02210360
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：0.8A;
功率(Pd)：0.43W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2mΩ@10V,0.2A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.9V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：1.4nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.034nF@25V,Vds=60V;
Rds=1.2mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
20+
￥0.07856
200+
￥0.069523
600+
￥0.068098
3000+
￥0.065956
现货仓：
13951
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC02190804
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：0.3A;
功率(Pd)：0.35W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.95mΩ@10V,0.3A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：1.7nC@4.5V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.028nF@25V,Vds=60V;
Rds=0.95mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
20+
￥0.088935
200+
￥0.078705
600+
￥0.077091
现货仓：
11918
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC02178982
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：4.5A;
功率(Pd)：1.2W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,4.1A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：6.8nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.53nF@15V,Vds=30V;
Rds=41mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
10+
￥0.152172
100+
￥0.134269
300+
￥0.131445
1000+
￥0.127203
现货仓：
18732
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC02178876
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：5.6A;
功率(Pd)：1.2W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,5.6A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：12nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.526nF@15V,Vds=30V;
Rds=17mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)；
详细： 无
10+
￥0.153621
100+
￥0.135548
300+
￥0.132696
现货仓：
11203
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC02178959
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：4.4A;
功率(Pd)：1.2W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.4A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.9V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：22nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：1.04nF@15V,Vds=30V;
Rds=40mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
10+
￥0.17391
100+
￥0.15345
300+
￥0.150222
现货仓：
13733
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC02094680
描述： 场效应管(MOSFET)类型：P沟道;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA;
，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
10+
￥0.255915
100+
￥0.207515
300+
￥0.183315
现货仓：
15046
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC02095089
描述： 场效应管(MOSFET)类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：40V;
连续漏极电流(Id)：3.3A;
功率(Pd)：1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@10V,3A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：14nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.6nF@20V,Vds=40V;
Rds=70mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
10+
￥0.255915
100+
￥0.207515
300+
￥0.183315
现货仓：
12766
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOT23-3
编码：
YHSC02160508
描述： 类型：P沟道;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6@250uA;
，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
10+
￥0.33269
100+
￥0.26977
300+
￥0.23831
现货仓：
18948
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOT-23-6
编码：
YHSC02210630
描述： 类型：双N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：5.5A;
功率(Pd)：1.15W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,3.4A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：4.5nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.39nF@15V;
Rds=28mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
5+
￥0.340918
50+
￥0.301703
150+
￥0.295515
现货仓：
18318
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC02228306
描述： 场效应管(MOSFET)@@类型：P沟道;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA;
输入电容(Ciss@Vds)：0.715nF@15V;
，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
10+
￥0.433254
100+
￥0.349654
300+
￥0.307854
现货仓：
12797
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC02210275
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：5A;
功率(Pd)：1.2W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,5A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.98nF@20V,Vds=60V;
Rds=32mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
5+
￥0.370563
50+
￥0.327938
150+
￥0.321211
现货仓：
17605
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
TO-252
编码：
YHSC02178863
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：20A;
功率(Pd)：3.8W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,11A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：8.6nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.333nF@10V,Vds=30V;
Rds=18mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)；
详细： 无
5+
￥0.40579
50+
￥0.35805
150+
￥0.350517
现货仓：
12215
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC02178903
描述： 类型：双N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：8A;
功率(Pd)：3.8W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,11A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：8.6nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.333nF@10V;
Rds=16mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
5+
￥0.434775
50+
￥0.383625
150+
￥0.375553
现货仓：
19658
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC02178921
描述： 类型：一个N沟道一个P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：10A/-8A;
功率(Pd)：3.6W;
栅极电荷(Qg@Vgs)：16nC@10V;45nC@-10V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.85nF@15V;1.38nF@-15V,Vds=30V;
Rds=12mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
5+
￥0.449268
50+
￥0.396413
150+
￥0.388072
现货仓：
15159
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
TO-252
编码：
YHSC02210246
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：30A;
功率(Pd)：35W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,20A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：19nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：1.05nF@30V,Vds=60V;
Rds=26mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
5+
￥0.477803
50+
￥0.424948
150+
￥0.416607
现货仓：
12854
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC02210741
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：48V;
连续漏极电流(Id)：18A;
功率(Pd)：46W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.8mΩ@10V,12A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：18.8nC@4.5V;
输入电容(Ciss@Vds)：2.332nF@15V,Vds=48V;
Rds=5.8mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
5+
￥0.489143
50+
￥0.432878
150+
￥0.423999
现货仓：
13593
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
PDFN5x6
编码：
YHSC02178853
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：28A;
功率(Pd)：40W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.7mΩ@10V,15A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：16nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.85nF@15V,Vds=30V;
Rds=9.7mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
5+
￥0.507238
50+
￥0.447563
150+
￥0.438145
500+
￥0.424008
现货仓：
18625
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
SOT-223
编码：
YHSC02093907
描述： 场效应管(MOSFET)类型：P沟道;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8@250uA;
，工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
5+
￥0.60489
50+
￥0.49049
150+
￥0.43329
现货仓：
16777
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
DFN3x3
编码：
YHSC02190462
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：10A;
功率(Pd)：3W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@10V,5A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：8.5nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.525nF@30V,Vds=60V;
Rds=57mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
5+
￥0.503965
50+
￥0.445995
150+
￥0.436847
现货仓：
16200
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
AGM-Semi(芯控源)
封装：
TO-252
编码：
YHSC02227551
描述： 场效应管(MOSFET)@@类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：40V;
连续漏极电流(Id)：30A;
功率(Pd)：57W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,15A;
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA;
栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@10V;
输入电容(Ciss@Vds)：0.475nF@15V;
Rds=10mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
5+
￥0.638479
50+
￥0.515279
150+
￥0.453679
现货仓：
12937
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个
金额：
-
