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VBsemi(微碧半导体)
VBsemi(微碧半导体)
分类:
场效应管(MOSFET)
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BSS138-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC01626228
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):250mA;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,0.25A
详细:
无
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ZXMN2A14FTA-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC01633571
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):6A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,6A
详细:
无
10+
¥0.44593
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2N7002BK-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC01458688
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):250mA;
功率(Pd):300mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3Ω@10V,200mA
详细:
无
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2N7002-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02122405
描述:
无
详细:
无
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¥0.409774
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¥0.334974
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¥0.297574
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19119
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VB162KX
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC01682706
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):700mA;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):910mΩ@10V,0.7A
详细:
无
10+
¥0.403907
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¥0.329327
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¥0.292037
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12841
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MMFTN170-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC01460113
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):250mA;
功率(Pd):300mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,200mA
详细:
无
10+
¥0.338283
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CES2321-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC01461897
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):5A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@4.5V,5A
详细:
无
5+
¥0.489319
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150+
¥0.355339
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SSF2341E-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC01632377
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):5A;
功率(Pd):2.5W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A
详细:
无
5+
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VBI1101MF
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-89
编码:
YHSC01164486
描述:
无
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Si2399DS-T1-GE3-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02127895
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):5A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V
详细:
无
10+
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IRLML2502GTRPBF-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02288390
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):6A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V
详细:
无
10+
¥0.442878
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¥0.361478
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AFP2307AS23RG-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC02235423
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):5A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V
详细:
无
10+
¥0.442878
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SI2301CDS-T1-GE3-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC02236742
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):5A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V
详细:
无
10+
¥0.442878
100+
¥0.361478
300+
¥0.320778
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AO2301-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01455647
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):4.5A;
功率(Pd):1.25W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A
详细:
无
10+
¥0.431531
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MGSF1N02LT1G-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT23-3
编码:
YHSC02149681
描述:
无
详细:
无
10+
¥0.44593
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2N7002LT1G-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT23-3
编码:
YHSC02147141
描述:
无
详细:
无
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BSS138LT1G-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT23-3
编码:
YHSC02147249
描述:
无
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无
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BVSS138LT1G-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT23-3
编码:
YHSC02147307
描述:
无
详细:
无
10+
¥0.366271
100+
¥0.298951
300+
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2N7002KT1G-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT23-3
编码:
YHSC02147129
描述:
无
详细:
无
10+
¥0.366271
100+
¥0.298951
300+
¥0.265291
现货仓:
11421
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NUD3160LT1G-VB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
VBsemi(微碧半导体)
封装:
SOT23-3
编码:
YHSC02150346
描述:
无
详细:
无
10+
¥0.366271
100+
¥0.298951
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