REASUNOS(瑞森半导体)
瑞森半导体(REASUNOS)起步于2007年,是一家专注于功率半导体器件与功率集成芯片的设计、研发、系统解决方案的国家级高新技术企业。2013年注册成立广东晟日半导体科技有限公司,(2017年更名为“瑞森半导体”),2022年成立瑞森半导体科技(湖南)有限公司。瑞森半导体始终将产品研发放在首要位置,研发团队成员主要来自行业顶尖技术精英及知名院校,依靠专业的自主研发能力和品牌原厂生产力,全球出货量年均超10亿颗。公司专注高端产品研发领域,产品涵盖SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二级管、硅基平面MOS、超级结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电保护器件等。凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点,产品远销海内外,广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏、逆变、储能、白色家电、工业控制和消费类电子等领域。
型号/分类/品牌/封装
参数
阶梯价格(含税)
库存交期
数量
操作
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC02213910
描述:
详细:
20+
¥0.2211
200+
¥0.1771
600+
¥0.1551
现货仓: 15027
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC02186609
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):5.8A; 功率(Pd):350mW; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.8A
详细:
10+
¥0.252054
100+
¥0.201894
300+
¥0.176814
3000+
¥0.158004
现货仓: 18396
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC02186645
描述: 类型:P沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):4.2A; 功率(Pd):350mW; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4.2A
详细:
10+
¥0.252054
100+
¥0.201894
300+
¥0.176814
3000+
¥0.158004
现货仓: 17584
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-252
编码: YHSC02186822
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):60V; 连续漏极电流(Id):30A; 功率(Pd):45W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,20A
详细:
5+
¥0.75174
50+
¥0.60214
150+
¥0.52734
500+
¥0.47124
现货仓: 19714
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: SOP-8
编码: YHSC02186796
描述:
详细:
5+
¥0.95392
50+
¥0.75988
150+
¥0.67672
500+
¥0.57288
2500+
¥0.52668
4000+
¥0.49896
现货仓: 18015
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-251
编码: YHSC02214120
描述:
详细:
5+
¥1.02201
50+
¥0.81411
160+
¥0.72501
480+
¥0.6138
2480+
¥0.5643
4000+
¥0.5346
现货仓: 14565
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-252
编码: YHSC02214100
描述:
详细:
5+
¥1.02201
50+
¥0.81411
150+
¥0.72501
500+
¥0.6138
2500+
¥0.5643
现货仓: 11689
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-252
编码: YHSC02186707
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):60A; 功率(Pd):60W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,25A
详细:
5+
¥0.95392
50+
¥0.75988
150+
¥0.67672
500+
¥0.57288
现货仓: 17209
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-252
编码: YHSC02186505
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):500V; 连续漏极电流(Id):6A; 功率(Pd):75W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,3A
详细:
5+
¥1.0901
50+
¥0.86834
150+
¥0.7733
500+
¥0.65472
现货仓: 11560
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-252
编码: YHSC02186569
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):20V; 连续漏极电流(Id):90A; 功率(Pd):80W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@4.5V,20A
详细:
5+
¥1.0901
50+
¥0.86834
150+
¥0.7733
500+
¥0.65472
现货仓: 17126
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-251
编码: YHSC02187047
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):4A; 功率(Pd):107W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4Ω@10V,2A
详细:
5+
¥1.0901
50+
¥0.86834
160+
¥0.7733
480+
¥0.65472
现货仓: 19470
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-252
编码: YHSC02186365
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):4A; 功率(Pd):107W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4Ω@10V,2A
详细:
5+
¥1.0901
50+
¥0.86834
150+
¥0.7733
500+
¥0.65472
现货仓: 15385
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-252
编码: YHSC02186849
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):60V; 连续漏极电流(Id):50A; 功率(Pd):89W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,30A
详细:
5+
¥1.11287
50+
¥0.88649
150+
¥0.78947
500+
¥0.66836
现货仓: 10734
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-252
编码: YHSC02186742
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):86A; 功率(Pd):83W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A
详细:
5+
¥1.18096
50+
¥0.94072
150+
¥0.83776
500+
¥0.70928
现货仓: 12651
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-252
编码: YHSC02186410
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):5A; 功率(Pd):98W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9Ω@10V,2.5A
详细:
5+
¥1.27182
50+
¥1.0131
150+
¥0.90222
500+
¥0.76384
现货仓: 16103
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-252
编码: YHSC02186670
描述: 类型:P沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):65A; 功率(Pd):83W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,20A
详细:
5+
¥1.31725
50+
¥1.04929
150+
¥0.93445
500+
¥0.79112
现货仓: 19226
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-220F
编码: YHSC02187084
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):4A; 功率(Pd):51.6W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4Ω@10V,2A
详细:
5+
¥1.34002
50+
¥1.06744
150+
¥0.95062
500+
¥0.80476
现货仓: 11553
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-252
编码: YHSC02186769
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):100A; 功率(Pd):88W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,20A
详细:
5+
¥1.61249
50+
¥1.28447
150+
¥1.14389
500+
¥0.96844
现货仓: 10747
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-252
编码: YHSC02186438
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):7A; 功率(Pd):110W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.35Ω@10V,3.5A
详细:
5+
¥1.63515
50+
¥1.30251
150+
¥1.15995
500+
¥0.98208
现货仓: 11360
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
封装: TO-251
编码: YHSC02187157
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):7A; 功率(Pd):110W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.35Ω@10V,3.5A
详细:
5+
¥1.63515
50+
¥1.30251
160+
¥1.15995
480+
¥0.98208
现货仓: 17326
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金额: -
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