无锡紫光微
无锡紫光微电子有限公司是由北京同方微电子有限公司投资的一家高新技术企业,是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业,公司总部位于无锡新吴区的中国传感网国际创新园D2栋四层。公司的团队是由一批在国内外著名半导体公司工作多年的具有丰富产品设计、经营管理经验的成员组成,不仅掌握了世界先进的产品研发与生产技术,而且拥有丰富的半导体公司经营管理经验。公司开发和生产的SJMOSFET、DTMOSFET、HVVDMOS、IGBT、IGTO、HalfBridgeGateDriver等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路等产品广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。公司将秉承“用我们的努力和出色的产品服务客户,造福社会”的企业宗旨,将世界级水平的先进技术与中国市场相结合,打破国外企业高压大功率器件在国内的垄断,并致力在功率半导体领域成为技术先进、品质一流的专业的品牌供应商,为客户提供高性价比的产品与全方位的服务。如今,紫光微电子给TMC以新的诠释——ThinkingMakesChange!思考,带来改变!并因此提出了新的公司理念:“veryTMC,veryInnovation”,通过思维、服务、产品、商务、管理等创新来持续不断地满足客户日益提升的需求。
型号/分类/品牌/封装
参数
阶梯价格(含税)
库存交期
数量
操作
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC01249553
描述: 类型:P沟道; 漏源电压(Vdss):20V; 连续漏极电流(Id):2.6A; 功率(Pd):890mW; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):54mΩ@10V,2.6A
详细:
10+
¥0.262931
100+
¥0.214531
300+
¥0.190331
现货仓: 14709
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-252
编码: YHSC01249650
描述:
详细:
6+
¥0.861692
60+
¥0.703073
144+
¥0.623763
576+
¥0.540487
2880+
¥0.492902
5760+
¥0.469109
现货仓: 10558
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-252
编码: YHSC01250018
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):46A; 功率(Pd):65W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.6mΩ@10V,30A
详细:
5+
¥1.22078
50+
¥0.98978
150+
¥0.89078
500+
¥0.73436
现货仓: 19593
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: SOP-8
编码: YHSC01251468
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):100V; 连续漏极电流(Id):8A; 功率(Pd):3.1W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,8A
详细:
1+
¥1.6808
10+
¥1.32506
30+
¥1.17271
100+
¥0.98252
500+
¥0.89782
1000+
¥0.847
现货仓: 12357
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-252
编码: YHSC01249584
描述:
详细:
1+
¥1.76836
10+
¥1.39414
30+
¥1.23376
100+
¥1.03356
500+
¥0.94446
1000+
¥0.891
现货仓: 14803
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: DFN-8(3x3)
编码: YHSC01249622
描述:
详细:
1+
¥1.9866
10+
¥1.56618
30+
¥1.386
100+
¥1.16116
500+
¥1.06106
1000+
¥1.001
现货仓: 19883
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-252
编码: YHSC01249960
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):120A; 功率(Pd):120W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,20A
详细:
1+
¥1.80763
10+
¥1.48423
30+
¥1.34563
100+
¥1.17271
500+
¥1.09571
1000+
¥1.04951
现货仓: 12758
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: SOT-223-2
编码: YHSC01248830
描述:
详细:
1+
¥2.09572
10+
¥1.6522
30+
¥1.46212
100+
¥1.22496
500+
¥1.11936
1000+
¥1.056
现货仓: 15976
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-252
编码: YHSC01249729
描述: 类型:P沟道; 漏源电压(Vdss):100V; 连续漏极电流(Id):18A; 功率(Pd):113W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,9A
详细:
5+
¥2.20671
50+
¥1.80939
150+
¥1.63911
500+
¥1.26302
2500+
¥1.16842
现货仓: 16033
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-220F
编码: YHSC01246754
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):600V; 连续漏极电流(Id):1.4A; 功率(Pd):6W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,700mA
详细:
1+
¥1.64175
10+
¥1.33221
50+
¥1.19955
现货仓: 17911
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-252
编码: YHSC01248074
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):600V; 连续漏极电流(Id):3A; 功率(Pd):28W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,1.5A
详细:
1+
¥1.71523
10+
¥1.39183
30+
¥1.25323
现货仓: 12623
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-252
编码: YHSC01249159
描述:
详细:
1+
¥1.71523
10+
¥1.39183
30+
¥1.25323
现货仓: 15587
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-252
编码: YHSC01248124
描述:
详细:
1+
¥1.76429
10+
¥1.43165
30+
¥1.28909
现货仓: 14770
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-220F
编码: YHSC01248770
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):3A; 功率(Pd):25W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.3Ω@10V,1.5A
详细:
1+
¥2.717
10+
¥2.145
30+
¥1.892
100+
¥1.584
500+
¥1.452
1000+
¥1.364
现货仓: 11761
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-252
编码: YHSC01249932
描述:
详细:
1+
¥2.45036
10+
¥1.98836
30+
¥1.79036
100+
¥1.5433
500+
¥1.4333
1000+
¥1.3673
现货仓: 13821
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-252
编码: YHSC01250315
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):68V; 连续漏极电流(Id):46A; 功率(Pd):160W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@10V,30A
详细:
1+
¥3.014
10+
¥2.376
30+
¥2.112
100+
¥1.771
500+
¥1.617
1000+
¥1.518
现货仓: 19114
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-252
编码: YHSC01248732
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):4.5A; 功率(Pd):37W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):870mΩ@10V,2A
详细:
1+
¥3.399
10+
¥2.783
30+
¥2.519
100+
¥2.189
500+
¥1.826
1000+
¥1.738
现货仓: 19393
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-220F
编码: YHSC01170034
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):600V; 连续漏极电流(Id):4A; 功率(Pd):23W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):840mΩ@10V,1A
详细:
1+
¥4.719
200+
¥1.837
500+
¥1.771
1000+
¥1.738
现货仓: 19633
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-220
编码: YHSC01250428
描述:
详细:
1+
¥2.794
10+
¥2.266
50+
¥2.035
100+
¥1.76
现货仓: 17799
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 无锡紫光微
封装: TO-220
编码: YHSC01250595
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):82V; 连续漏极电流(Id):105A; 功率(Pd):217W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,30A
详细:
1+
¥3.674
10+
¥2.893
30+
¥2.563
100+
¥2.145
500+
¥1.969
1000+
¥1.848
现货仓: 18986
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金额: -
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