Truesemi(信安)
信安半导体成立于2008年,属安联集团全资子公司,致力于大中华地区MOSFET产品销售,2009年安联集团投资韩国半导体DESIGN领域,同年收购韩国POWERSOLUSTION8英寸VD-MOS芯片工厂。POWERSOLUSTION是一家专业电力半导体FABOWN公司。公司成立于2005年,工厂坐落在韩国第一工业城市--浦项,主营POWERMOSFET及IGBT的生产于研发。目前8英寸月产能12000片,是东亚地区唯一的PLANNER8英寸晶圆生产线,目前公司员工195人,所有技术骨干均来自韩国SAMSUNG(三星)半导体和美国FAIRCHILD(仙童)半导体。他们在产品研发和生产制程方面具有丰富的行业经验。公司2009年获得韩国政府ITVENTURE企业认可。在韩国极东大学和富川设有附属研究所。目前VD-MOSFET和IGBT产品获得韩国政府12项技术专利。POWERSOLUSTION生产的产品广泛应用于电焊机、逆变器、镇流器、适配器、充电器、PC电源、电视机电源等各领域。韩国三星电子、LG电子、康佳等公司均为POWERSOLUSTION终端客户。
型号/分类/品牌/封装
参数
阶梯价格(含税)
库存交期
数量
操作
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-252
编码: YHSC01618960
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):5A; 功率(Pd):58W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω
详细:
5+
¥0.91916
50+
¥0.80663
150+
¥0.78892
500+
¥0.7623
现货仓: 18204
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-251
编码: YHSC01669295
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):5A; 功率(Pd):58W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω
详细:
5+
¥1.09263
50+
¥0.9801
160+
¥0.96239
480+
¥0.80685
现货仓: 19660
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-252
编码: YHSC01618433
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):600V; 连续漏极电流(Id):5A; 功率(Pd):48W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω
详细:
1+
¥1.13773
10+
¥1.0252
30+
¥1.00738
100+
¥0.86493
现货仓: 10324
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-251
编码: YHSC01669284
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):600V; 连续漏极电流(Id):5A; 功率(Pd):48W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω
详细:
1+
¥1.0219
10+
¥0.90937
30+
¥0.89166
80+
¥0.86493
现货仓: 11048
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220
编码: YHSC01664102
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):200V; 连续漏极电流(Id):9A
详细:
5+
¥1.20164
50+
¥1.07547
150+
¥1.05556
500+
¥0.9768
现货仓: 19300
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220F
编码: YHSC01618353
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):600V; 连续漏极电流(Id):5A; 功率(Pd):34W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω
详细:
1+
¥1.20626
10+
¥1.07349
50+
¥1.05248
100+
¥1.02102
现货仓: 15636
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220F
编码: YHSC01618887
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):5A; 功率(Pd):34W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω
详细:
5+
¥1.22485
50+
¥1.09186
150+
¥1.07085
500+
¥1.03939
现货仓: 13071
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220
编码: YHSC01654775
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):600V; 连续漏极电流(Id):8A; 功率(Pd):152W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω
详细:
1+
¥2.41978
10+
¥1.9624
50+
¥1.76638
100+
¥1.52185
500+
¥1.21968
1000+
¥1.15434
现货仓: 19748
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220F
编码: YHSC01619015
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):7A; 功率(Pd):48W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω
详细:
1+
¥1.573
10+
¥1.375
50+
¥1.353
100+
¥1.331
现货仓: 11722
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220F
编码: YHSC01619078
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):8A; 功率(Pd):48W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω
详细:
1+
¥1.804
10+
¥1.606
50+
¥1.573
100+
¥1.364
现货仓: 11313
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220F
编码: YHSC01618508
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):600V; 连续漏极电流(Id):7A; 功率(Pd):48W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.3Ω
详细:
1+
¥1.936
10+
¥1.738
50+
¥1.705
100+
¥1.452
现货仓: 17389
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220F
编码: YHSC01617899
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):500V; 连续漏极电流(Id):9A; 功率(Pd):45.5W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ
详细:
1+
¥1.793
10+
¥1.595
50+
¥1.573
100+
¥1.463
现货仓: 17607
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220
编码: YHSC01654787
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):400V; 连续漏极电流(Id):10.5A; 功率(Pd):193.6W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):510mΩ@10V,5.5A
详细:
1+
¥1.892
10+
¥1.683
50+
¥1.65
100+
¥1.595
现货仓: 16968
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220FP-3
编码: YHSC01669324
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):900V; 连续漏极电流(Id):4A; 功率(Pd):40W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω
详细:
1+
¥2.365
10+
¥2.123
50+
¥2.09
100+
¥1.694
现货仓: 13364
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220F
编码: YHSC01619144
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):10A; 功率(Pd):52W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω
详细:
1+
¥2.431
10+
¥2.156
50+
¥2.112
100+
¥1.903
现货仓: 15506
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220F
编码: YHSC01618621
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):600V; 连续漏极电流(Id):10A; 功率(Pd):52W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ
详细:
1+
¥3.982
10+
¥3.355
50+
¥3.036
100+
¥2.728
500+
¥2.112
1000+
¥2.013
现货仓: 10076
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220F
编码: YHSC01617949
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):500V; 连续漏极电流(Id):13A; 功率(Pd):48W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):460mΩ
详细:
1+
¥2.618
10+
¥2.332
50+
¥2.288
100+
¥2.112
现货仓: 10462
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220F
编码: YHSC01619191
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):12A; 功率(Pd):54W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):750mΩ
详细:
1+
¥2.893
10+
¥2.585
50+
¥2.541
100+
¥2.321
现货仓: 15201
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220F
编码: YHSC01618688
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):600V; 连续漏极电流(Id):12A; 功率(Pd):54W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):700mΩ
详细:
1+
¥4.235
10+
¥3.542
50+
¥3.201
100+
¥2.86
500+
¥2.651
1000+
¥2.552
现货仓: 11161
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: Truesemi(信安)
封装: TO-220F
编码: YHSC01618014
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):500V; 连续漏极电流(Id):16A; 功率(Pd):38.5W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ
详细:
1+
¥4.917
10+
¥4.114
50+
¥3.718
100+
¥3.322
500+
¥3.08
1000+
¥2.959
现货仓: 17107
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金额: -
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