PIP(丽隽)
PIP-Semi成立于美国科罗拉多州的一家高科技公司。公司研发团队来自仙童、IR、TFSS，自2003年组成后一直专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工和封装测试工艺技术。公司开发和生产VDMOS、SGMOSFET、Coolmos、IGBT、GateDriverIC等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路产品，广泛应用于节能、绿色照明、智能电网、电动汽车、工控设备、消费电子等领域。公司秉承“诚信、相信、信心、信仰"的企业文化，为客户提供完美、创新、专业的产品和全方位的服务。为客户创造价值是我们永远的宗旨。
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
PIP(丽隽)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC01637522
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：600V;
连续漏极电流(Id)：30mA;
功率(Pd)：500mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：700Ω@0V,3mA
详细： 无
10+
￥0.390029
100+
￥0.324029
300+
￥0.291029
3000+
￥0.237394
6000+
￥0.217594
9000+
￥0.207694
现货仓：
12116
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
PIP(丽隽)
封装：
TO-220F-3
编码：
YHSC01637360
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：650V;
连续漏极电流(Id)：5A;
功率(Pd)：36W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,2.5A
详细： 无
1+
￥1.61634
10+
￥1.31604
30+
￥1.18734
现货仓：
19404
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
PIP(丽隽)
封装：
TO-220F-3
编码：
YHSC01637392
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：650V;
连续漏极电流(Id)：8A;
功率(Pd)：42W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.3Ω@10V,4A
详细： 无
1+
￥2.739
10+
￥2.233
30+
￥2.013
现货仓：
17236
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
PIP(丽隽)
封装：
TO-220F-3
编码：
YHSC01637174
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：40V;
连续漏极电流(Id)：196A;
功率(Pd)：375W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5mΩ@10V,196A
详细： 无
1+
￥9.79
10+
￥8.47
30+
￥7.744
现货仓：
17574
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金额：
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