MASPOWER(麦思浦)
一直以来专注半导体集成电路、功率器件、MCU等产品的研发与设计，总部位于深圳，在上海设立研发中心。整合海内外创新技术与产业资源，对产品的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动引用等各方面进行精细化管理，研制出更符合中国企业需求的产品，增强我们客户的综合竞争力。
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-252
编码：
YHSC02137261
描述： 漏源电压(Vdss)：200V;
连续漏极电流(Id)：13A200V
详细： 无
1+
￥1.87
10+
￥1.661
30+
￥1.628
100+
￥1.584
现货仓：
19276
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个
金额：
-
分类：
快恢复/超快恢复二极管
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-220C-2L
编码：
YHSC00114388
描述： 二极管配置：独立式;
直流反向耐压(Vr)：1.2kV;
平均整流电流(Io)：8A;
正向压降(Vf)：3.2V@8A;
反向恢复时间(trr)：70ns
详细： 无
1+
￥3.1008
10+
￥2.55
50+
￥2.2746
100+
￥1.9992
500+
￥1.7442
1000+
￥1.6524
现货仓：
18750
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-220F
编码：
YHSC02136815
描述： 漏源电压(Vdss)：1000V;
连续漏极电流(Id)：3A
详细： 无
1+
￥2.156
10+
￥1.925
50+
￥1.881
100+
￥1.826
现货仓：
11805
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个
金额：
-
分类：
快恢复/超快恢复二极管
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-220AC
编码：
YHSC00474804
描述： 二极管配置：独立式;
直流反向耐压(Vr)：600V;
平均整流电流(Io)：15A;
正向压降(Vf)：2.1V@15A;
反向恢复时间(trr)：35ns;
工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
1+
￥2.3868
10+
￥2.1216
50+
￥2.0808
100+
￥2.0196
现货仓：
11694
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-252
编码：
YHSC02226683
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：1kV;
连续漏极电流(Id)：5A;
功率(Pd)：68W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,1.75A
详细： 无
1+
￥2.981
10+
￥2.673
30+
￥2.629
100+
￥2.167
现货仓：
11053
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个
金额：
-
分类：
电压基准芯片
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
DIP-8
编码：
YHSC00473869
描述： 无
详细： 无
1+
￥2.6316
10+
￥2.3154
50+
￥2.2644
100+
￥2.193
现货仓：
15243
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-220
编码：
YHSC02137394
描述： 漏源电压(Vdss)：1000V;
连续漏极电流(Id)：33A
详细： 无
1+
￥2.651
10+
￥2.376
50+
￥2.332
100+
￥2.266
现货仓：
17555
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个
金额：
-
分类：
电压基准芯片
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC00473745
描述： 无
详细： 无
1+
￥2.3562
30+
￥2.2848
现货仓：
14247
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个
金额：
-
分类：
IGBT管/模块
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-220F
编码：
YHSC00472129
描述： 无
详细： 无
1+
￥2.7642
10+
￥2.4276
50+
￥2.3766
100+
￥2.295
现货仓：
19969
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-263
编码：
YHSC02362468
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：1kV;
连续漏极电流(Id)：5A;
功率(Pd)：56W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,1.75A
详细： 无
1+
￥2.816
10+
￥2.508
30+
￥2.464
100+
￥2.321
现货仓：
11876
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个
金额：
-
分类：
快恢复/超快恢复二极管
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-3PB
编码：
YHSC00474337
描述： 二极管配置：独立式;
直流反向耐压(Vr)：200V;
平均整流电流(Io)：25A;
正向压降(Vf)：0.9V@25A;
反向电流(Ir)：0.05uA@200V;
反向恢复时间(trr)：22ns;
工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
详细： 无
1+
￥2.4786
30+
￥2.4072
现货仓：
17553
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-220
编码：
YHSC02226715
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：1kV;
连续漏极电流(Id)：5A;
功率(Pd)：68W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,1.75A
详细： 无
1+
￥4.719
10+
￥3.96
50+
￥3.586
100+
￥3.212
500+
￥2.563
1000+
￥2.453
现货仓：
12109
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个
金额：
-
分类：
快恢复/超快恢复二极管
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-220C-2L
编码：
YHSC00114535
描述： 二极管配置：独立式;
直流反向耐压(Vr)：1.2kV;
平均整流电流(Io)：15A;
正向压降(Vf)：3.2V@15A;
反向恢复时间(trr)：75ns
详细： 无
1+
￥3.4884
10+
￥3.1314
50+
￥3.0702
100+
￥2.5194
现货仓：
10202
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个
金额：
-
分类：
电压基准芯片
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
DIP-7
编码：
YHSC00474252
描述： 无
详细： 无
1+
￥2.5908
30+
￥2.5194
现货仓：
12191
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
电压基准芯片
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
DIP-7
编码：
YHSC00474077
描述： 无
详细： 无
1+
￥2.5908
30+
￥2.5194
现货仓：
19198
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
快恢复/超快恢复二极管
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-220C-2L
编码：
YHSC00115059
描述： 二极管配置：独立式;
直流反向耐压(Vr)：1.4kV;
平均整流电流(Io)：15A;
正向压降(Vf)：2.2V@15A;
反向恢复时间(trr)：40ns
详细： 无
1+
￥5.457
10+
￥4.539
50+
￥4.08
100+
￥3.621
500+
￥2.8458
1000+
￥2.703
现货仓：
11764
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-220
编码：
YHSC02137220
描述： 漏源电压(Vdss)：200V;
连续漏极电流(Id)：18A200V
详细： 无
1+
￥3.344
10+
￥2.981
50+
￥2.915
100+
￥2.827
现货仓：
14657
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-220F
编码：
YHSC02362405
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：1kV;
连续漏极电流(Id)：5A;
功率(Pd)：30W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,1.75A
详细： 无
1+
￥3.267
10+
￥2.915
50+
￥2.86
现货仓：
16746
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-220F
编码：
YHSC02362517
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：1kV;
连续漏极电流(Id)：6A;
功率(Pd)：40W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.6Ω@10V,3A
详细： 无
1+
￥3.663
10+
￥3.267
50+
￥3.212
100+
￥2.97
现货仓：
13689
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
IGBT管/模块
品牌：
MASPOWER(麦思浦)
封装：
TO-263
编码：
YHSC02802765
描述： 无
详细： 无
1+
￥3.52
10+
￥3.146
30+
￥3.091
100+
￥3.003
现货仓：
14360
最快4小时发货
个
金额：
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