KY(韩景元)
深圳市韩景元电子有限公司专业从事于功率半导体开关元件及防护器件的研发与生产，公司原位于韩国，随着中国区域迅速的发展和需求，2004年在山东省威海市全资兴建了现代化的生产基地，工厂现占地面积2万平方米，建筑面积3万平方米，现有职工305人，大、中专学历以上职工占比50%以上，其中工程技术、品质管理60多人。目前产品主要销往韩国、台湾、新加坡及东南亚等地区，经过多年的努力，公司产品已被国外市场认可，并为国外多家知名股份公司OEM全系列产品。 目前生产产品有1-100A单，双向可控硅，防护器件瞬态电压抑制二极管（TVS）、肖特基二极管（Schottky)及高压触发二极管（SIDAC）等。 深圳市韩景元电子有限公司对利润的追求永远让位于对质量的保证，我们明白每一个芯片的品质对产品的重要性，所有供应产品全部采用原装进口芯片，我们也有强大的产品应用、技术支持团队，有来自韩国总部的资深工程师及技术专业人才，能为客户提供最全面、最有保障的产品应用及技术支持。 卓越的品质，是大家共同的目标。品质是企业信誉与发展的基础，我们将根据用户的需求提供高产品质量和高效率服务！
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01888984
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：2A;
功率(Pd)：960mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@4.5V,2A
详细： 无
50+
￥0.086312
500+
￥0.068492
3000+
￥0.058212
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￥0.052272
24000+
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51000+
￥0.044352
现货仓：
11870
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01891779
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：340mA;
功率(Pd)：830mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3Ω@10V,500mA
详细： 无
50+
￥0.107201
500+
￥0.08552
3000+
￥0.070825
6000+
￥0.063598
24000+
￥0.057334
51000+
￥0.053962
现货仓：
11613
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01889165
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：2A;
功率(Pd)：400mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：53mΩ@4.5V,2A
详细： 无
50+
￥0.077617
500+
￥0.069724
3000+
￥0.061017
6000+
￥0.059147
现货仓：
19653
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01891675
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：500mA;
功率(Pd)：830mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.6Ω@10V,0.5A
详细： 无
20+
￥0.136246
200+
￥0.108378
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￥0.092895
3000+
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9000+
￥0.073697
21000+
￥0.069362
现货仓：
18474
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01889768
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：660mA;
功率(Pd)：350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：380mΩ@4.5V,0.5A
详细： 无
20+
￥0.149875
200+
￥0.118938
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￥0.10175
3000+
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21000+
￥0.075625
现货仓：
19016
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
DFN-3L(1x0.6)
编码：
YHSC01889959
描述： 漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：750mA;
功率(Pd)：150mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：250mΩ@4.5V,0.5A
详细： 无
20+
￥0.181911
200+
￥0.144786
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￥0.124161
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￥0.09075
现货仓：
18564
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01888894
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：3A;
功率(Pd)：400mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：76mΩ@4.5V,1A
详细： 无
20+
￥0.1815
200+
￥0.144375
600+
￥0.12375
3000+
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9000+
￥0.098175
21000+
￥0.0924
现货仓：
19423
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01889074
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：4A;
功率(Pd)：840mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：24mΩ@4.5V,4A
详细： 无
20+
￥0.111034
200+
￥0.098247
600+
￥0.096229
3000+
￥0.0924
现货仓：
10776
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
DFN-3L(1x0.6)
编码：
YHSC01889869
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：660mA;
功率(Pd)：150mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：650mΩ@4.5V,0.15A
详细： 无
20+
￥0.114772
200+
￥0.101984
600+
￥0.099966
2000+
￥0.0924
现货仓：
17414
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-523(SC-75)
编码：
YHSC01890061
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：500mA;
功率(Pd)：150mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：410mΩ@4.5V,0.6A
详细： 无
20+
￥0.1815
200+
￥0.144375
600+
￥0.12375
3000+
￥0.1089
9000+
￥0.098175
21000+
￥0.0924
现货仓：
12236
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01890165
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：5.8A;
功率(Pd)：350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@10V,5A
详细： 无
20+
￥0.199408
200+
￥0.15862
600+
￥0.13596
3000+
￥0.119645
9000+
￥0.107862
21000+
￥0.101517
现货仓：
12802
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01890329
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：4A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：31mΩ@10V,4A
详细： 无
20+
￥0.19965
200+
￥0.158813
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￥0.11979
9000+
￥0.107993
21000+
￥0.10164
现货仓：
11400
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01889341
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：5A;
功率(Pd)：350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21.6mΩ@4.5V,4A
详细： 无
10+
￥0.123636
100+
￥0.109775
300+
￥0.107587
1000+
￥0.104752
现货仓：
16610
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个
金额：
-
分类：
晶闸管(可控硅)/模块
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23-3L
编码：
YHSC00327895
描述： 无
详细： 无
20+
￥0.230372
200+
￥0.189572
600+
￥0.169172
3000+
￥0.13056
9000+
￥0.11832
21000+
￥0.1122
现货仓：
16148
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23-6
编码：
YHSC01889605
描述： 类型：2个N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：3A;
功率(Pd)：830mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@4.5V,3A
详细： 无
10+
￥0.15028
100+
￥0.13323
300+
￥0.130539
1500+
￥0.1232
现货仓：
16704
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个
金额：
-
分类：
晶闸管(可控硅)/模块
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC00321699
描述： 无
详细： 无
10+
￥0.247962
100+
￥0.203082
300+
￥0.180642
3000+
￥0.143616
6000+
￥0.130152
9000+
￥0.12342
现货仓：
17277
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
晶闸管(可控硅)/模块
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC00327672
描述： 无
详细： 无
10+
￥0.252151
100+
￥0.207271
300+
￥0.184831
3000+
￥0.143616
6000+
￥0.130152
9000+
￥0.12342
现货仓：
13847
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23-6
编码：
YHSC01889687
描述： 类型：2个P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：2A;
功率(Pd)：800mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@4.5V,2A
详细： 无
10+
￥0.155019
100+
￥0.136894
300+
￥0.134034
1000+
￥0.128623
现货仓：
18556
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KY(韩景元)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01890859
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：3.2A;
功率(Pd)：1.25W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@10V,3A
详细： 无
10+
￥0.240726
100+
￥0.193954
300+
￥0.170568
3000+
￥0.152009
6000+
￥0.137977
9000+
￥0.130962
现货仓：
11740
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
晶闸管(可控硅)/模块
品牌：
KY(韩景元)
封装：
TO-92
编码：
YHSC00321475
描述： 无
详细： 无
10+
￥0.25721
100+
￥0.2081
300+
￥0.183546
1000+
￥0.154696
5000+
￥0.139963
10000+
￥0.132597
现货仓：
16164
最快4小时发货
个
金额：
-
