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Innoscience(英诺赛科)
Innoscience(英诺赛科)
英诺赛科(Innoscience)主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率与射频器件的研发与产业化,并已于2017年底建成了我国首条8英寸硅基氮化镓功率器件的量产线,产品性能达到国际领先水平,加上其IDM全产业链模式的商业模式,使得公司产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。
分类:
场效应管(MOSFET)
结型场效应管(JFET)
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INN650DA04
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
Innoscience(英诺赛科)
封装:
DFN(5x6)
编码:
YHSC00093314
描述:
无
详细:
无
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INN650DA260A
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
Innoscience(英诺赛科)
封装:
DFN(5x6)
编码:
YHSC00093506
描述:
栅源击穿电压(V(BR)GSS):7V
详细:
无
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INN650D260A
分类:
结型场效应管(JFET)
品牌:
Innoscience(英诺赛科)
封装:
DFN(8x8)
编码:
YHSC00093107
描述:
无
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INN650D02
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
Innoscience(英诺赛科)
封装:
DFN(8x8)
编码:
YHSC02171529
描述:
无
详细:
无
1+
¥11.814
10+
¥10.153
30+
¥9.119
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