GL(光磊)
无锡光磊电子科技是一家专业功率半导体产品及方案设计公司,其产品主要应用于功率管理领域。当前光磊的目标市场为消费电子、家用电器、信息技术和大功率能源电子。公司团队的核心竞争力为功率管理产品的设计、开发和营销,如功率MOSFET,IGBT,肖特基二极管,快恢复整流二极管和集成电路,从事功率半导体研发、运营、销售都有17年以上的经验。光磊拥有的功率半导体技术能提供整体的系统解决方案,有效地降低功率损耗,提高电路效率和节约电能。在功率半导体开发中,光磊已经拥有的几个关键的技术:包括Bipolar,高压大功率VDMOS(增强型和耗尽型MOSFET)和大功率IGB。
型号/分类/品牌/封装
参数
阶梯价格(含税)
库存交期
数量
操作
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: SOT-23-3L
编码: YHSC01663030
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):40V; 连续漏极电流(Id):5A; 功率(Pd):1.4W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,2.5A
详细:
10+
¥0.349029
100+
¥0.283019
300+
¥0.250014
现货仓: 17594
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: SOT-23
编码: YHSC01616648
描述: 类型:P沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):4.1A; 功率(Pd):1.2W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4.2A
详细:
10+
¥0.372885
100+
¥0.304245
300+
¥0.269925
现货仓: 13090
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: SOP-8
编码: YHSC01654821
描述:
详细:
5+
¥0.668898
50+
¥0.550098
150+
¥0.490698
500+
¥0.446148
2500+
¥0.369765
4000+
¥0.351945
现货仓: 10264
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: SOP-8
编码: YHSC01654845
描述:
详细:
5+
¥0.764889
50+
¥0.624089
150+
¥0.553689
500+
¥0.500889
现货仓: 10827
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: SOP-8
编码: YHSC01616502
描述: 类型:P沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):9A; 功率(Pd):3.1W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,9.1A
详细:
5+
¥0.845851
50+
¥0.690148
150+
¥0.612296
500+
¥0.553907
2500+
¥0.507197
现货仓: 14354
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: TO-252
编码: YHSC01654886
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):100V; 连续漏极电流(Id):10A; 功率(Pd):40W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,10A
详细:
5+
¥0.929082
50+
¥0.761882
150+
¥0.678282
500+
¥0.57057
2500+
¥0.52041
现货仓: 13634
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: SOP-8
编码: YHSC01654875
描述:
详细:
5+
¥0.932209
50+
¥0.760609
150+
¥0.674809
500+
¥0.533143
现货仓: 10816
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: SOP-8
编码: YHSC01654862
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):40V; 连续漏极电流(Id):10A; 功率(Pd):3.1W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,10A
详细:
5+
¥0.943192
50+
¥0.771592
150+
¥0.685792
500+
¥0.585585
2500+
¥0.534105
现货仓: 14086
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: TO-252
编码: YHSC01654983
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):50A; 功率(Pd):60W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,25A
详细:
1+
¥0.98604
10+
¥0.78738
30+
¥0.70224
100+
¥0.59598
500+
¥0.54868
现货仓: 15375
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: TO-252
编码: YHSC01654976
描述:
详细:
5+
¥0.887871
50+
¥0.716271
150+
¥0.630471
500+
¥0.54912
现货仓: 15141
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: TO-252
编码: YHSC01654916
描述:
详细:
1+
¥1.17623
10+
¥0.95447
30+
¥0.85943
100+
¥0.74085
500+
¥0.68805
1000+
¥0.56122
现货仓: 17585
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: SOP-8
编码: YHSC01654851
描述:
详细:
1+
¥1.11958
10+
¥0.91861
30+
¥0.83248
100+
¥0.72501
500+
¥0.67716
1000+
¥0.56221
现货仓: 18997
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: QFN(3.3x3.3)
编码: YHSC01655100
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):35A; 功率(Pd):35W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.7mΩ@10V,12A
详细:
1+
¥1.34772
10+
¥1.09362
30+
¥0.98472
100+
¥0.84887
500+
¥0.78837
1000+
¥0.64306
现货仓: 15027
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: TO-252
编码: YHSC02226562
描述:
详细:
5+
¥1.16094
50+
¥0.92708
150+
¥0.82687
500+
¥0.7018
2500+
¥0.64603
现货仓: 14273
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: TO-252
编码: YHSC02208815
描述:
详细:
1+
¥1.78398
200+
¥0.71192
500+
¥0.68805
1000+
¥0.67628
现货仓: 15739
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: TO-252
编码: YHSC01654998
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):100A; 功率(Pd):105W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,50A
详细:
1+
¥1.54374
10+
¥1.25268
30+
¥1.12794
100+
¥0.97229
500+
¥0.90299
1000+
¥0.75735
现货仓: 12119
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: SOIC-8
编码: YHSC01664049
描述: 类型:2个N沟道; 漏源电压(Vdss):60V; 连续漏极电流(Id):12A; 功率(Pd):2W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10V,6A
详细:
1+
¥1.3101
10+
¥1.07866
30+
¥0.97944
100+
¥0.85569
500+
¥0.80058
1000+
¥0.76758
现货仓: 11281
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: TO-252
编码: YHSC01654899
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):80A; 功率(Pd):83W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8mΩ@10V,30A
详细:
1+
¥1.37225
10+
¥1.11353
30+
¥1.00265
100+
¥0.86427
500+
¥0.80267
现货仓: 13501
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: TO-252
编码: YHSC01654924
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):100V; 连续漏极电流(Id):20A; 功率(Pd):45W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,10A
详细:
1+
¥1.4212
10+
¥1.15324
30+
¥1.0384
100+
¥0.89518
500+
¥0.83138
现货仓: 11402
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GL(光磊)
封装: SOP-8
编码: YHSC01654829
描述: 类型:P沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):12A; 功率(Pd):3W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,10A
详细:
1+
¥1.3959
10+
¥1.13267
30+
¥1.01992
100+
¥0.87912
现货仓: 19043
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金额: -
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