APM(永源微电子)
深圳市永源微电子科技有限公司，前身为台湾汉磊科技有限公司全资子公司，于2017年独立。目前在台湾深圳，分别设立了研发机构，是一家集研发、生产、销售为一体的半导体研发设计公司。公司从2017年开始就致力于集成电路和功率器件的研发与生产，目前在中山拥有自主可控的4条封装线，和多大1700款产品在销售。目前工厂满足16949和ISO9001等质量认证体系，APM自主品牌产品，满足RoshReach卤素和高可靠性AECQ101认证。永源微电子是一家致力于提供最具备性价比的半导体集成电路设计公司。
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01674534
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：2.3A;
功率(Pd)：700mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：48mΩ@4.5V,3A
详细： 无
50+
￥0.080924
500+
￥0.073933
3000+
￥0.055461
6000+
￥0.053804
现货仓：
12322
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01674583
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：2.3A;
功率(Pd)：700mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：43mΩ@4.5V,2A
详细： 无
50+
￥0.099098
500+
￥0.090743
3000+
￥0.066283
6000+
￥0.064303
现货仓：
17864
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01679692
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：2.3A;
功率(Pd)：700mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：135mΩ@4.5V,2A
详细： 无
50+
￥0.099098
500+
￥0.090743
3000+
￥0.066283
6000+
￥0.064303
现货仓：
15390
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01674629
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：3.2A;
功率(Pd)：770mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,3A
详细： 无
20+
￥0.137338
200+
￥0.110608
600+
￥0.095758
3000+
￥0.082744
9000+
￥0.075022
21000+
￥0.070864
现货仓：
19075
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01677048
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：300mA;
功率(Pd)：350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.3Ω@5V,400mA
详细： 无
50+
￥0.082685
500+
￥0.075295
3000+
￥0.074129
6000+
￥0.072378
现货仓：
16781
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC01868264
描述： 无
详细： 无
20+
￥0.200508
200+
￥0.158928
600+
￥0.135828
3000+
￥0.116424
9000+
￥0.104412
21000+
￥0.097944
现货仓：
11097
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01675387
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：4.2A;
功率(Pd)：1.1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,4A
详细： 无
20+
￥0.143873
200+
￥0.130233
600+
￥0.128081
3000+
￥0.104984
现货仓：
17754
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01679722
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：3.3A;
功率(Pd)：1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,3A
详细： 无
20+
￥0.125558
200+
￥0.111748
600+
￥0.109569
3000+
￥0.106296
现货仓：
11128
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23-3L
编码：
YHSC01866476
描述： 无
详细： 无
20+
￥0.256321
200+
￥0.210781
600+
￥0.185481
3000+
￥0.127512
9000+
￥0.114356
21000+
￥0.107272
现货仓：
19682
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01674683
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：3.2A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：23mΩ@4.5V,3A
详细： 无
20+
￥0.128658
200+
￥0.114507
600+
￥0.112274
3000+
￥0.108921
现货仓：
17313
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01674725
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：3.3A;
功率(Pd)：900mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@4.5V,3A
详细： 无
20+
￥0.226094
200+
￥0.185009
600+
￥0.162184
3000+
￥0.127181
9000+
￥0.115312
21000+
￥0.108921
现货仓：
17364
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01869625
描述： 无
详细： 无
20+
￥0.224378
200+
￥0.177848
600+
￥0.151998
3000+
￥0.130284
9000+
￥0.116842
21000+
￥0.109604
现货仓：
15845
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01675517
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：4.2A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,4A
详细： 无
20+
￥0.156399
200+
￥0.141566
600+
￥0.139225
3000+
￥0.11417
现货仓：
19984
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01869821
描述： 无
详细： 无
20+
￥0.233926
200+
￥0.185416
600+
￥0.158466
3000+
￥0.135828
9000+
￥0.121814
21000+
￥0.114268
现货仓：
17775
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01675419
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：5.8A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,4A
详细： 无
20+
￥0.178738
200+
￥0.162711
600+
￥0.160182
3000+
￥0.123356
现货仓：
12935
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01678103
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：100V;
连续漏极电流(Id)：5A;
功率(Pd)：3.1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@10V,4A
详细： 无
5+
￥0.154222
50+
￥0.137343
150+
￥0.13468
500+
￥0.13068
现货仓：
10362
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01675462
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：5.8A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,5.8A
详细： 无
10+
￥0.234582
100+
￥0.190216
300+
￥0.168034
3000+
￥0.151396
6000+
￥0.138087
9000+
￥0.131432
现货仓：
18110
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23-3L
编码：
YHSC01866914
描述： 无
详细： 无
20+
￥0.28413
200+
￥0.22176
600+
￥0.18711
3000+
￥0.16632
9000+
￥0.148302
21000+
￥0.1386
现货仓：
16564
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01674846
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：6.8A;
功率(Pd)：1.5W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,4A
详细： 无
10+
￥0.34774
100+
￥0.29802
300+
￥0.27316
3000+
￥0.16967
6000+
￥0.154754
9000+
￥0.147296
现货仓：
10859
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
APM(永源微电子)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01677085
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：3A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A
详细： 无
10+
￥0.290851
100+
￥0.230571
300+
￥0.200431
3000+
￥0.177826
6000+
￥0.159742
9000+
￥0.1507
现货仓：
15145
最快4小时发货
个
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