HUAYI(华羿微)
华羿微电子股份有限公司成立于2017年6月28日，位于西安经济技术开发区草滩生态产业园，占地面积200.775亩。企业注册资本2.6亿元，天水华天电子集团股份有限公司是公司的控股股东，持有公司88.46%的股权。
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
DFN-6L(2x3)
编码：
YHSC01649498
描述： 类型：2个N沟道(共漏);
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：12A;
功率(Pd)：1.56W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@4.5V,8A
详细： 无
5+
￥0.896051
50+
￥0.737651
150+
￥0.658451
500+
￥0.599051
3000+
￥0.551531
6000+
￥0.527771
现货仓：
11054
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
TO-252
编码：
YHSC01649360
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：100V;
连续漏极电流(Id)：9A;
功率(Pd)：21W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：143mΩ@10V,4.5A
详细： 无
5+
￥0.917346
50+
￥0.759386
150+
￥0.680406
500+
￥0.621171
2500+
￥0.573783
5000+
￥0.550089
现货仓：
11917
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC01649388
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：11A;
功率(Pd)：2.5W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,6A
详细： 无
5+
￥0.735178
50+
￥0.611973
150+
￥0.550371
现货仓：
12007
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
PPAK(5x6)
编码：
YHSC02170400
描述： 无
详细： 无
5+
￥0.63855
50+
￥0.57035
150+
￥0.55957
现货仓：
16415
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC01631681
描述： 无
详细： 无
5+
￥0.893384
50+
￥0.739384
150+
￥0.662384
500+
￥0.604634
现货仓：
15693
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC01173446
描述： 类型：1个N沟道和1个P沟道
详细： 无
1+
￥1.18327
10+
￥0.95227
30+
￥0.85327
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￥0.72974
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￥0.67474
1000+
￥0.64174
现货仓：
17336
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
DFN-8(5x6)
编码：
YHSC02170360
描述： 无
详细： 无
5+
￥1.22518
50+
￥0.99418
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￥0.89518
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￥0.73865
2500+
￥0.68365
5000+
￥0.65065
现货仓：
10797
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
TO-252
编码：
YHSC01649432
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：42A;
功率(Pd)：30W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,21A
详细： 无
5+
￥1.08779
50+
￥0.89122
150+
￥0.80707
500+
￥0.66935
现货仓：
17186
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
DFN-8(5x6)
编码：
YHSC01649401
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：50A;
功率(Pd)：42W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,12A
详细： 无
5+
￥0.80729
50+
￥0.71522
150+
￥0.7007
500+
￥0.67892
现货仓：
19075
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
DFN-8(3x3)
编码：
YHSC01631925
描述： 类型：2个N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：24A;
功率(Pd)：17.8W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15.6mΩ@10V,6A
详细： 无
1+
￥0.86801
10+
￥0.76912
30+
￥0.7535
100+
￥0.69179
现货仓：
18685
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC01634018
描述： 无
详细： 无
1+
￥1.24498
10+
￥1.02784
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￥0.93478
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￥0.81862
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￥0.76692
1000+
￥0.7359
现货仓：
15614
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
PPAK(5x6)
编码：
YHSC02170427
描述： 无
详细： 无
5+
￥1.02553
50+
￥0.83149
150+
￥0.74833
现货仓：
15291
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
DFN-8(3x3)
编码：
YHSC01649408
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：34A;
功率(Pd)：17.8W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,10A
详细： 无
1+
￥1.36983
10+
￥1.10649
30+
￥0.99363
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￥0.85272
500+
￥0.79002
1000+
￥0.7524
现货仓：
16435
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
DFN-8(3x3)
编码：
YHSC01485173
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：50A;
功率(Pd)：23W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.9mΩ@10V,20A
详细： 无
5+
￥0.90299
50+
￥0.80333
150+
￥0.7876
500+
￥0.76406
现货仓：
17278
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
DFN-8(3x3)
编码：
YHSC01631821
描述： 类型：2个N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：31A；33A;
功率(Pd)：21.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.3mΩ@10V,10A；8.8mΩ@10V,10A
详细： 无
1+
￥1.49479
10+
￥1.21297
30+
￥1.09219
100+
￥0.94149
500+
￥0.83413
1000+
￥0.79387
现货仓：
16117
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
TO-252
编码：
YHSC01618458
描述： 无
详细： 无
1+
￥1.42032
10+
￥1.16622
30+
￥1.05732
100+
￥0.92147
500+
￥0.86097
1000+
￥0.82467
现货仓：
13644
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
DFN-8(3x3)
编码：
YHSC01649396
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：30A;
功率(Pd)：3.1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,6A
详细： 无
1+
￥1.42494
10+
￥1.17007
30+
￥1.06073
100+
￥0.92444
500+
￥0.86372
1000+
￥0.82731
现货仓：
15837
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
PPAK(5x6)
编码：
YHSC02170409
描述： 无
详细： 无
5+
￥1.5928
50+
￥1.2925
150+
￥1.1638
500+
￥0.9603
2500+
￥0.8888
5000+
￥0.8459
现货仓：
13765
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
DFN-8(5x6)
编码：
YHSC01649428
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：40V;
连续漏极电流(Id)：65A;
功率(Pd)：48W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,20A
详细： 无
5+
￥1.08009
50+
￥0.96745
150+
￥0.94974
500+
￥0.89991
现货仓：
15056
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUAYI(华羿微)
封装：
DFN-8(3x3)
编码：
YHSC01642276
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：32A;
功率(Pd)：21.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,10A
详细： 无
1+
￥1.22947
10+
￥1.00309
30+
￥0.90607
现货仓：
12570
最快4小时发货
个
金额：
-
