EPC
电力成本是社会经济活力的关键驱动力，因为它使我们能够提高生活质量，促进新的应用和产业。硅已经达到了它的物理极限，因此，它不再能够满足我们对越来越高效的功率的需求。为了重新建立动力，需要一种新材料。EPC是基于氮化镓（GaN）的电源管理技术的领先供应商，并不仅仅是提高电力效率。它还使五年前不存在的新的、改变生活的应用程序得以实现。从无线电力和自主车辆到高速移动通信、低成本卫星和医疗保健的转变，在许多其他领域中，GaN正在成为那些渴望保持在行业前沿的进步型公司的首选技术。
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
BGA-9(1.35x1.35)
编码：
YHSC01862206
描述： 类型：3个N沟道(半桥);
漏源电压(Vdss)：100V;
连续漏极电流(Id)：1.7A；500mA;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.3Ω@2A,5V；320mΩ@2A,5V
详细： 无
1+
￥7.326
200+
￥2.838
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￥2.739
1000+
￥2.684
现货仓：
13995
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01893926
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：100V;
连续漏极电流(Id)：4A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@500mA,5V
详细： 无
1+
￥7.447
200+
￥2.882
500+
￥2.783
1000+
￥2.728
现货仓：
19036
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01893613
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：200V;
连续漏极电流(Id)：3A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：43mΩ@1A,5V
详细： 无
1+
￥7.711
200+
￥2.992
500+
￥2.882
1000+
￥2.827
现货仓：
13057
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01894099
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：100V;
连续漏极电流(Id)：29A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@16A,5V
详细： 无
1+
￥9.097
200+
￥3.52
500+
￥3.399
1000+
￥3.333
现货仓：
16449
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01893698
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：65V;
连续漏极电流(Id)：2A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：530mΩ@500mA,5V
详细： 无
1+
￥12.045
200+
￥4.664
500+
￥4.499
1000+
￥4.422
现货仓：
12042
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金额：
-
分类：
激光驱动器
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC00605928
描述： 无
详细： 无
1+
￥12.2604
200+
￥4.7532
500+
￥4.5798
1000+
￥4.4982
现货仓：
17962
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01833571
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：170V;
连续漏极电流(Id)：24A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10A,5V
详细： 无
1+
￥13.937
200+
￥5.401
500+
￥5.203
1000+
￥5.115
现货仓：
12819
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
BGA-4
编码：
YHSC02288427
描述： 无
详细： 无
1+
￥11.506
10+
￥10.01
30+
￥9.064
100+
￥8.107
500+
￥7.678
1000+
￥7.491
现货仓：
18645
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01788100
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：40V;
连续漏极电流(Id)：69A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.55mΩ@37A,5V
详细： 无
1+
￥20.669
200+
￥7.997
500+
￥7.722
1000+
￥7.579
现货仓：
11364
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01853916
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：350V;
连续漏极电流(Id)：6.3A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@6A,5V
详细： 无
1+
￥23.375
200+
￥9.053
500+
￥8.734
1000+
￥8.58
现货仓：
11472
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01894309
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：90A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2mΩ@31A,5V
详细： 无
1+
￥35.068
200+
￥13.574
500+
￥13.101
1000+
￥12.859
现货仓：
14448
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01894171
描述： 类型：2个N沟道(半桥);
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：23A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.4mΩ@20A,5V
详细： 无
1+
￥36.124
200+
￥13.981
500+
￥13.497
1000+
￥13.255
现货仓：
16799
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01894898
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：200V;
连续漏极电流(Id)：5A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@3A,5V
详细： 无
1+
￥75.9
200+
￥29.381
500+
￥28.347
1000+
￥27.83
现货仓：
18531
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01894668
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：80V;
连续漏极电流(Id)：60A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6mΩ@25A,5V
详细： 无
1+
￥92.4
200+
￥35.761
500+
￥34.507
1000+
￥33.88
现货仓：
15167
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01894788
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：80V;
连续漏极电流(Id)：90A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2mΩ@29A,5V
详细： 无
1+
￥171.6
200+
￥66.407
500+
￥64.075
1000+
￥62.92
现货仓：
18743
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
EPC
封装：
-
编码：
YHSC01894434
描述： 类型：2个N沟道(半桥);
漏源电压(Vdss)：100V;
连续漏极电流(Id)：23A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mΩ@20A,5V
详细： 无
1+
￥234.3
200+
￥90.673
500+
￥87.494
1000+
￥85.91
现货仓：
14253
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
专业电源管理(PMIC)
品牌：
EPC
封装：
LGA-12(2.6x3.9)
编码：
YHSC02651871
描述： 无
详细： 无
1+
￥258.06
200+
￥99.869
500+
￥96.36
1000+
￥94.622
现货仓：
10400
最快4小时发货
个
金额：
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