HUASHUO(华朔)
华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。公司秉持发展新科技，制造新产品，设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压，中压，低压全系列PowerMosfet分立器件，以及特殊制程的ICDesigninHouse。产品广泛应用于计算机，消费类电子，通讯电源，锂电等新能源产业。华朔以追求绿色节能，高效可靠的产品态度，我们的使命就是为客户及员工创造价值。
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683874
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：60V;
连续漏极电流(Id)：300mA;
功率(Pd)：350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,200mA
详细： 无
50+
￥0.099185
500+
￥0.080429
3000+
￥0.063355
6000+
￥0.057102
24000+
￥0.051684
51000+
￥0.048766
现货仓：
14479
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683844
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：4A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@4.5V,3A
详细： 无
50+
￥0.10791
500+
￥0.085635
3000+
￥0.07326
6000+
￥0.065835
现货仓：
15652
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683890
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：50V;
连续漏极电流(Id)：230mA;
功率(Pd)：230mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.4Ω@10V,220mA
详细： 无
50+
￥0.116701
500+
￥0.09438
3000+
￥0.074405
现货仓：
18463
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC00250156
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：5.2A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5A
详细： 无
10+
￥0.206785
100+
￥0.167515
300+
￥0.147319
3000+
￥0.130683
6000+
￥0.124878
9000+
￥0.120951
现货仓：
18147
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683938
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：2.9A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,3A
详细： 无
20+
￥0.189171
200+
￥0.152046
600+
￥0.131421
现货仓：
12549
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC00250295
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：4.2A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,3A
详细： 无
10+
￥0.225329
100+
￥0.182489
300+
￥0.160457
3000+
￥0.14231
6000+
￥0.135977
9000+
￥0.131693
现货仓：
10998
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683829
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：3.6A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,3A
详细： 无
20+
￥0.187639
200+
￥0.152426
600+
￥0.132862
现货仓：
11578
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683902
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：4.6A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@10V,4A
详细： 无
10+
￥0.249838
100+
￥0.205836
300+
￥0.183836
3000+
￥0.150153
现货仓：
12689
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683898
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：5.3A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：34mΩ@10V,4A
详细： 无
10+
￥0.261964
100+
￥0.215764
300+
￥0.192664
3000+
￥0.157658
现货仓：
15999
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683878
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：3A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,3A
详细： 无
10+
￥0.254771
100+
￥0.204171
300+
￥0.178871
3000+
￥0.159896
现货仓：
11384
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01901991
描述： 无
详细： 无
10+
￥0.299154
100+
￥0.246354
300+
￥0.219954
3000+
￥0.18018
现货仓：
19744
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683906
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：3A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,3A
详细： 无
10+
￥0.25098
100+
￥0.20478
300+
￥0.18168
现货仓：
19071
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683807
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：5.5A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,5.9A
详细： 无
10+
￥0.248608
100+
￥0.204607
300+
￥0.182606
现货仓：
19815
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3L
编码：
YHSC01683821
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：6A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,4A
详细： 无
10+
￥0.370494
100+
￥0.302294
300+
￥0.268194
3000+
￥0.221684
6000+
￥0.201224
9000+
￥0.190994
现货仓：
14253
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683943
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：3.2A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,3A
详细： 无
10+
￥0.280198
100+
￥0.229598
300+
￥0.204298
现货仓：
17237
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC02208611
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：6A;
功率(Pd)：720mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6A
详细： 无
10+
￥0.375425
100+
￥0.305025
300+
￥0.269825
2500+
￥0.236403
5000+
￥0.215283
10000+
￥0.204723
现货仓：
14427
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
电池管理
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-6
编码：
YHSC00250569
描述： 无
详细： 无
10+
￥0.284292
100+
￥0.231252
300+
￥0.204732
现货仓：
19767
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683833
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：6A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@4.5V,4A
详细： 无
10+
￥0.290813
100+
￥0.235813
300+
￥0.208313
现货仓：
14857
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683947
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：3.2A;
功率(Pd)：1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,3A
详细： 无
10+
￥0.288423
100+
￥0.235623
300+
￥0.209223
现货仓：
11477
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01683858
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：4.9A;
功率(Pd)：1.31W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,4.9A
详细： 无
10+
￥0.341167
100+
￥0.275167
300+
￥0.242167
3000+
￥0.212177
现货仓：
10969
最快4小时发货
个
金额：
-
