Gem-micro(晶群)
晶群科技有限公司Gem-microsemiconductorInc.成立于2006年3月主要致力于类比半导体技术应用研发营销，自始启用8英吋0.18微米高密度垂直沟槽式设计。 应用于金属氧化物场效应晶体管MOSFET迄今已发行超过100种低压MOSFET规格产品；此外类比IC技术亦展现于锂电池保护IC、LED恒流户内外显示屏幕、恒流照明等市场应用。营销于各大型制造商，如鸿海集团、金仁宝集团、海尔集团、海信集团、飞毛腿集团及兴能电等。
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Gem-micro(晶群)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01614440
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：4.2A;
功率(Pd)：1.38W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：48Ω@4.5V,4.2A
详细： 无
10+
￥0.195947
300+
￥0.167638
现货仓：
17082
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Gem-micro(晶群)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01614594
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：4.3A;
功率(Pd)：1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4.3A
详细： 无
10+
￥0.195743
300+
￥0.169455
现货仓：
19472
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Gem-micro(晶群)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01614522
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：5.8A;
功率(Pd)：1.25W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A
详细： 无
10+
￥0.181951
300+
￥0.177146
现货仓：
17694
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Gem-micro(晶群)
封装：
SOT-23-3L
编码：
YHSC01614680
描述： 无
详细： 无
10+
￥0.225858
300+
￥0.195525
现货仓：
12008
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Gem-micro(晶群)
封装：
TSSOP-8
编码：
YHSC01614904
描述： 无
详细： 无
5+
￥0.376428
150+
￥0.325875
现货仓：
10449
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Gem-micro(晶群)
封装：
DFN-6(2x2)
编码：
YHSC01614946
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：8A;
功率(Pd)：2.5W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5.7A
详细： 无
5+
￥0.406542
150+
￥0.351945
现货仓：
15855
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Gem-micro(晶群)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC01614810
描述： 无
详细： 无
5+
￥0.60115
150+
￥0.517
现货仓：
19807
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Gem-micro(晶群)
封装：
TO-252
编码：
YHSC01614998
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：100V;
连续漏极电流(Id)：20A;
功率(Pd)：2.5W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：68mΩ@10V,20A
详细： 无
5+
￥1.81434
50+
￥1.46784
150+
￥1.31934
500+
￥1.10143
2500+
￥1.01893
5000+
￥0.96943
现货仓：
10765
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金额：
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