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NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)
分类:
栅极驱动IC
场效应管(MOSFET)
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2N7002K
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00942533
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):300mA;
功率(Pd):350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@5V,400mA
详细:
无
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NCE3400X
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01480907
描述:
无
详细:
无
20+
¥0.280822
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¥0.230076
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NCE2301
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01666319
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):3A;
功率(Pd):1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@4.5V,3A
详细:
无
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NCE3401
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00665301
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):4.2A;
功率(Pd):1.2W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4.2A
详细:
无
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18974
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NCE3407
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01667373
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):4.1A;
功率(Pd):1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4.1A
详细:
无
10+
¥0.204168
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¥0.198
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NCE2309
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00582192
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):1.6A;
功率(Pd):1.5W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,1.5A
详细:
无
10+
¥0.342791
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¥0.280753
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15778
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NCE0102
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00825916
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):100V;
连续漏极电流(Id):2A;
功率(Pd):1.25W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):240mΩ@10V,1A
详细:
无
10+
¥0.213095
300+
¥0.208082
现货仓:
19294
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NCE3416
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00665346
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):6.5A;
功率(Pd):1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@4.5V,6.5A
详细:
无
10+
¥0.377564
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¥0.308202
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¥0.273522
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¥0.216299
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13592
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NCE3420
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00666959
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):6A;
功率(Pd):1.25W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A
详细:
无
10+
¥0.368318
100+
¥0.301051
300+
¥0.267417
3000+
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¥0.222011
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NCE2304
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01633354
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):3.6A;
功率(Pd):1.7W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10A,3.6A
详细:
无
10+
¥0.295551
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¥0.246971
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¥0.222681
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NCE3400
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00661452
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):5.8A;
功率(Pd):1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):41mΩ@10V,5.8A
详细:
无
10+
¥0.37508
100+
¥0.309613
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¥0.27688
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¥0.25233
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NCE3415
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00942765
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):4A;
功率(Pd):1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,4A
详细:
无
10+
¥0.351788
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¥0.287555
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NCE3400AY
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23-3L
编码:
YHSC01633275
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):5.8A;
功率(Pd):1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,5.8A
详细:
无
5+
¥0.417428
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¥0.344764
150+
¥0.308432
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¥0.281184
2500+
¥0.259384
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11267
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NCE2312
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00665394
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):4.5A;
功率(Pd):1.25W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@4.5V,4.5A
详细:
无
10+
¥0.392864
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¥0.322453
300+
¥0.287247
3000+
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NCE2303
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01629074
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):2A;
功率(Pd):1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@10V,2A
详细:
无
10+
¥0.358487
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¥0.297031
300+
¥0.266302
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NCE6003
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01663742
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):3A;
功率(Pd):1.7W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@10V,3A
详细:
无
10+
¥0.469261
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¥0.384333
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¥0.34187
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¥0.284544
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NCE2305A
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01170853
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):12V;
连续漏极电流(Id):4.1A;
功率(Pd):1.7W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,4.1A
详细:
无
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¥0.419338
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NCE6602N
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23-6
编码:
YHSC01170833
描述:
无
详细:
无
5+
¥0.498059
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¥0.401259
150+
¥0.352859
500+
¥0.316559
3000+
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6000+
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NCE3407AY
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23-3L
编码:
YHSC01675350
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):4.3A;
功率(Pd):1.5W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@10V,4A
详细:
无
10+
¥0.375887
100+
¥0.31215
300+
¥0.280282
现货仓:
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NCE2312A
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01658682
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):5A;
功率(Pd):1.25W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@4.5V,5A
详细:
无
10+
¥0.405296
100+
¥0.332696
300+
¥0.296396
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