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RealChip(正芯半导体)
RealChip(正芯半导体)
正芯?高性能低功耗MOSFET功率器件系列产品均通过RoHS、欧盟REACH法规标准认证,广泛应用于:各种消费类电子、家电、智能机器人、BMS、电机驱动、电源充电器、TV、计算机及电脑、安防、新能源、5G设备、智能影音等领域。公司与多家著名晶圆厂及封测厂结成战略合作伙伴关系,确保产能及质量;正芯运用特殊电路先进制程设计,采用最新工艺平台设计各类新工艺结构产品,大大提高产品在系统中的能效转换,在日趋竞争的国际市场,正芯(RealChip?)将运用自主研发的各项专利技术,不断的为客户提供创新性、高效能、高稳定、低功耗、低成本的产品及技术方案。
分类:
通用二极管
快恢复/超快恢复二极管
瞬态抑制二极管(TVS)
电压基准芯片
电池管理
RS-485/RS-422芯片
场效应管(MOSFET)
三极管(BJT)
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1N4007
分类:
通用二极管
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC00308806
描述:
无
详细:
无
100+
¥0.035904
1000+
¥0.02856
3000+
¥0.02448
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1N4148WS
分类:
通用二极管
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-323
编码:
YHSC00308180
描述:
二极管配置:独立式;
功率:200mW;
直流反向耐压(Vr):100V;
平均整流电流(Io):150mA;
正向压降(Vf):1.25V@150mA;
反向恢复时间(trr):4ns
详细:
无
100+
¥0.035904
1000+
¥0.02856
3000+
¥0.02448
现货仓:
14609
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1N4148W
分类:
通用二极管
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123
编码:
YHSC00307789
描述:
二极管配置:独立式;
功率:350mW;
直流反向耐压(Vr):100V;
平均整流电流(Io):150mA;
正向压降(Vf):1.25V@150mA;
反向恢复时间(trr):4ns
详细:
无
100+
¥0.035904
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¥0.02856
3000+
¥0.02448
现货仓:
11846
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MMBT3904
分类:
三极管(BJT)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00126063
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极电流(Ic):200mA;
功率(Pd):200mW;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V
详细:
无
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¥0.040943
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¥0.032681
3000+
¥0.026989
现货仓:
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FR107
分类:
快恢复/超快恢复二极管
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC00307996
描述:
二极管配置:独立式;
直流反向耐压(Vr):1kV;
平均整流电流(Io):1A;
正向压降(Vf):1.3V@1A;
反向恢复时间(trr):500ns,F7
详细:
无
100+
¥0.040392
1000+
¥0.03213
3000+
¥0.02754
现货仓:
16693
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MMBT5551
分类:
三极管(BJT)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00308445
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):160V;
集电极电流(Ic):600mA;
功率(Pd):300mW;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
详细:
无
50+
¥0.064403
500+
¥0.05123
3000+
¥0.043911
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¥0.03952
现货仓:
12390
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2N7002K
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC02292898
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):300mA;
功率(Pd):350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,250mA
详细:
无
50+
¥0.07161
500+
¥0.056265
3000+
¥0.04774
现货仓:
11289
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SS14
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC00308702
描述:
无
详细:
无
50+
¥0.07854
500+
¥0.062475
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¥0.05355
5000+
¥0.048195
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13644
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RC2101
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOT-323(SC-70)
编码:
YHSC02216140
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):1.4A;
功率(Pd):290mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,1.0A
详细:
无
20+
¥0.175824
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¥0.139194
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¥0.118844
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¥0.10175
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SMF5.0CA
分类:
瞬态抑制二极管(TVS)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC02761855
描述:
反向截止电压(Vrwm):5V;
击穿电压:6.4V;
最大钳位电压:9.2V;
极性:双向
详细:
无
20+
¥0.15708
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SMF6.0CA
分类:
瞬态抑制二极管(TVS)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC02761916
描述:
反向截止电压(Vrwm):6V;
击穿电压:6.67V;
最大钳位电压:10.3V;
极性:双向
详细:
无
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SMF6.0A
分类:
瞬态抑制二极管(TVS)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC02761962
描述:
反向截止电压(Vrwm):6V;
击穿电压:6.67V;
最大钳位电压:10.3V;
极性:单向
详细:
无
20+
¥0.15708
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SMF6.5CA
分类:
瞬态抑制二极管(TVS)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC02762016
描述:
反向截止电压(Vrwm):6.5V;
击穿电压:7.22V;
最大钳位电压:11.2V;
极性:双向
详细:
无
20+
¥0.15708
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SMF6.5A
分类:
瞬态抑制二极管(TVS)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC02762065
描述:
反向截止电压(Vrwm):6.5V;
击穿电压:7.22V;
最大钳位电压:11.2V;
极性:单向
详细:
无
20+
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SMF9.0A
分类:
瞬态抑制二极管(TVS)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC02762494
描述:
反向截止电压(Vrwm):9V;
击穿电压:10V;
最大钳位电压:15.4V;
极性:单向
详细:
无
20+
¥0.15708
200+
¥0.12342
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¥0.10472
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SMF10CA
分类:
瞬态抑制二极管(TVS)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC02762525
描述:
反向截止电压(Vrwm):10V;
击穿电压:11.1V;
最大钳位电压:17V;
极性:双向
详细:
无
20+
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SMF10A
分类:
瞬态抑制二极管(TVS)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC02762564
描述:
反向截止电压(Vrwm):10V;
击穿电压:11.1V;
最大钳位电压:17V;
极性:单向
详细:
无
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¥0.15708
200+
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SMF11CA
分类:
瞬态抑制二极管(TVS)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC02762599
描述:
反向截止电压(Vrwm):11V;
击穿电压:12.2V;
最大钳位电压:18.2V;
极性:双向
详细:
无
20+
¥0.15708
200+
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SMF11A
分类:
瞬态抑制二极管(TVS)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC02762658
描述:
反向截止电压(Vrwm):11V;
击穿电压:12.2V;
最大钳位电压:18.2V;
极性:单向
详细:
无
20+
¥0.15708
200+
¥0.12342
600+
¥0.10472
现货仓:
19595
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SMF7.0CA
分类:
瞬态抑制二极管(TVS)
品牌:
RealChip(正芯半导体)
封装:
SOD-123FL
编码:
YHSC02762108
描述:
反向截止电压(Vrwm):7V;
击穿电压:7.78V;
最大钳位电压:12V;
极性:双向
详细:
无
20+
¥0.15708
200+
¥0.12342
600+
¥0.10472
现货仓:
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