GOFORD(谷峰)
深圳市谷峰电子有限公司GOFORDSEMICONDUCTOR,于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应管的研发、生产和销售。公司通过严格的品质管理体系和考核,提供高可靠性的产品;不断的技术研发创新,满足细分市场的需求和产品的性价比;全球布局的视野,不断推广GOFORD品牌在功率器件领域的知名度。GOFORD致力于打造全球知名的功率器件品牌!
型号/分类/品牌/封装
参数
阶梯价格(含税)
库存交期
数量
操作
分类: 电压基准芯片
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-92-3
编码: YHSC00963631
描述:
详细:
50+
¥0.092316
500+
¥0.073956
2000+
¥0.057528
4000+
¥0.051408
24000+
¥0.046104
50000+
¥0.043248
现货仓: 18796
最快4小时发货
金额: -
分类: 电压基准芯片
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-92-3
编码: YHSC00963610
描述:
详细:
50+
¥0.115112
500+
¥0.0867
2000+
¥0.07395
5000+
¥0.0663
25000+
¥0.05967
50000+
¥0.0561
现货仓: 17507
最快4小时发货
金额: -
分类: 电压基准芯片
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: TO-92-3
编码: YHSC00963583
描述:
详细:
20+
¥0.160095
200+
¥0.127965
600+
¥0.110115
2000+
¥0.089964
10000+
¥0.080682
20000+
¥0.075684
现货仓: 10669
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC01656505
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):20V; 连续漏极电流(Id):5.2A; 功率(Pd):1.25W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ
详细:
20+
¥0.100637
600+
¥0.0924
现货仓: 14251
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC01621540
描述:
详细:
10+
¥0.26226
100+
¥0.21386
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¥0.15004
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¥0.13552
9000+
¥0.12826
现货仓: 13680
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC01656532
描述: 类型:P沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):5.3A; 功率(Pd):1.2W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ
详细:
10+
¥0.267274
100+
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9000+
¥0.145618
现货仓: 12891
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC01656559
描述:
详细:
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¥0.278069
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¥0.147353
现货仓: 17103
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC01656578
描述: 类型:P沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):4.1A; 功率(Pd):1.4W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ
详细:
10+
¥0.29172
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¥0.15873
9000+
¥0.15015
现货仓: 14401
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC01656617
描述:
详细:
10+
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¥0.15873
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¥0.15015
现货仓: 19082
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC01623210
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):20V; 连续漏极电流(Id):6A; 功率(Pd):1.25W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@4.5V,2.3A
详细:
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¥0.209154
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¥0.161963
现货仓: 16094
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC01633780
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):5.6A; 功率(Pd):1.2W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ
详细:
10+
¥0.35971
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¥0.20295
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¥0.18315
9000+
¥0.17325
现货仓: 16739
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23-3
编码: YHSC01621720
描述:
详细:
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¥0.189539
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¥0.179385
现货仓: 18260
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC02215237
描述: 37m?@2.5V@@封装:SOT-23
详细:
10+
¥0.34276
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¥0.21736
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¥0.197296
9000+
¥0.187264
现货仓: 16793
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC01623178
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):3.6A; 功率(Pd):1.7W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10A,3.6A
详细:
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¥0.202043
现货仓: 12565
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23-3L
编码: YHSC01658852
描述: 类型:P沟道; 漏源电压(Vdss):30V; 连续漏极电流(Id):4.2A; 功率(Pd):1.2W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@2A,10V
详细:
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9000+
¥0.20856
现货仓: 16312
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23-6
编码: YHSC02215526
描述: 300m?/630m?@1.8V@@封装:SOT-23-6L
详细:
10+
¥0.40139
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¥0.25454
6000+
¥0.231044
9000+
¥0.219296
现货仓: 16830
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23-6
编码: YHSC02216893
描述: 480m?@4.5V@@封装:SOT-23-6L
详细:
10+
¥0.4059
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¥0.2871
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¥0.23364
9000+
¥0.22176
现货仓: 16743
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23(TO-236)
编码: YHSC02216817
描述: @@封装:SOT-23
详细:
10+
¥0.41184
100+
¥0.33264
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¥0.29304
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¥0.26334
6000+
¥0.23958
9000+
¥0.2277
现货仓: 11109
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: SOT-23-6
编码: YHSC02215631
描述: 45m?@1.8V@@封装:SOT-23-6L
详细:
10+
¥0.421685
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¥0.339405
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¥0.298265
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¥0.26741
6000+
¥0.242726
9000+
¥0.230384
现货仓: 14730
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金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: GOFORD(谷峰)
封装: DFN-6(2x2)
编码: YHSC01684038
描述:
详细:
10+
¥0.27856
100+
¥0.24446
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¥0.239078
1000+
¥0.231
现货仓: 11129
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金额: -
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