SPS(美国源芯)
源芯半导体2004年成立于美国。本公司拥有IC设计技术与系統设计技术的研发团队，并领先同行，擁有晶圆制程和封装技术的设计能力，能提供客户效能佳、品质好以及高整合的产品。同时源芯半导体还致力于材料电子的开发与生产。目前市场跨越地区有美国、日本、韩国、新加坡、香港、台湾、大陆等地区。
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOT-23
编码：
YHSC00789315
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：5.8A;
功率(Pd)：1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A
详细： 无
10+
￥0.468813
100+
￥0.387213
300+
￥0.346413
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6000+
￥0.25704
9000+
￥0.2448
现货仓：
11042
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01648344
描述： 无
详细： 无
10+
￥0.456531
100+
￥0.368531
300+
￥0.324531
3000+
￥0.2816
现货仓：
19337
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOT-23-3
编码：
YHSC01648354
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：20V;
连续漏极电流(Id)：6A;
功率(Pd)：1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18.9mΩ@10V,6A
详细： 无
10+
￥0.409618
100+
￥0.334561
300+
￥0.297033
现货仓：
15893
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC01648333
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：5A;
功率(Pd)：1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30.1mΩ@10V,5A
详细： 无
10+
￥0.493906
100+
￥0.405919
300+
￥0.361925
3000+
￥0.324056
现货仓：
15739
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOIC-8
编码：
YHSC01648175
描述： 类型：2个P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：5A;
功率(Pd)：2W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：51.8mΩ@10V,5A
详细： 无
5+
￥0.69608
50+
￥0.57288
150+
￥0.51128
500+
￥0.46508
3000+
￥0.42812
现货仓：
18288
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOIC-8
编码：
YHSC01648249
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：10A;
功率(Pd)：3.1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18.2mΩ@10V,10A
详细： 无
5+
￥0.792425
50+
￥0.647225
150+
￥0.574625
500+
￥0.44649
现货仓：
18967
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC00289792
描述： 类型：P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：6A;
功率(Pd)：3.1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：59.5mΩ@10V,6A
详细： 无
5+
￥0.88128
50+
￥0.70992
150+
￥0.63648
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￥0.52224
3000+
￥0.48144
现货仓：
19047
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC01648262
描述： 无
详细： 无
1+
￥1.02102
10+
￥0.82698
30+
￥0.74382
100+
￥0.64009
500+
￥0.59389
1000+
￥0.4851
现货仓：
14704
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC01648218
描述： 无
详细： 无
5+
￥0.864943
50+
￥0.719743
150+
￥0.647143
500+
￥0.534772
3000+
￥0.491212
现货仓：
16832
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC01648321
描述： 无
详细： 无
5+
￥0.97273
50+
￥0.78793
150+
￥0.70873
500+
￥0.5764
3000+
￥0.5324
6000+
￥0.506
现货仓：
10038
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOT-23-6
编码：
YHSC01648362
描述： 无
详细： 无
5+
￥0.891968
50+
￥0.724851
150+
￥0.641292
500+
￥0.513885
现货仓：
19637
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金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOIC-8
编码：
YHSC01648233
描述： 类型：2个P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：6A;
功率(Pd)：2W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40.6mΩ@10V,6A
详细： 无
1+
￥1.06876
10+
￥0.87472
30+
￥0.79156
100+
￥0.68783
500+
￥0.64163
1000+
￥0.58828
现货仓：
11813
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC01648268
描述： 类型：2个N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：4.5A;
功率(Pd)：1.7W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45.5mΩ@10V,4.5A
详细： 无
5+
￥1.07844
50+
￥0.8844
150+
￥0.80124
500+
￥0.66231
现货仓：
18619
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC01648309
描述： 类型：1个N沟道和1个P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
功率(Pd)：2W
详细： 无
1+
￥1.42923
10+
￥1.16336
30+
￥1.0494
100+
￥0.90728
500+
￥0.84403
1000+
￥0.66462
现货仓：
13966
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOP-8
编码：
YHSC01648280
描述： 类型：2个N沟道;
漏源电压(Vdss)：40V;
连续漏极电流(Id)：6A;
功率(Pd)：2W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26.6mΩ@10V,6A
详细： 无
5+
￥1.17128
50+
￥0.95876
150+
￥0.86768
500+
￥0.75394
3000+
￥0.70334
6000+
￥0.67298
现货仓：
11251
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
DFN-8(5x6)
编码：
YHSC01648129
描述： 无
详细： 无
5+
￥1.42384
50+
￥1.15379
150+
￥1.03807
500+
￥0.77803
3000+
￥0.71368
现货仓：
17210
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
DFN-8-EP(6.1x5.2)
编码：
YHSC00289591
描述： 无
详细： 无
5+
￥1.42188
50+
￥1.139136
150+
￥1.01796
500+
￥0.828036
3000+
￥0.760716
6000+
￥0.720324
现货仓：
13279
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOIC-8
编码：
YHSC01648242
描述： 无
详细： 无
1+
￥1.40998
10+
￥1.11892
30+
￥0.99418
100+
￥0.83853
500+
￥0.76923
1000+
￥0.72765
现货仓：
16727
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
SOIC-8
编码：
YHSC01648195
描述： 类型：1个N沟道和1个P沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
功率(Pd)：2W
详细： 无
5+
￥1.26467
50+
￥1.01057
150+
￥0.90167
500+
￥0.73205
现货仓：
10795
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
SPS(美国源芯)
封装：
TO-251
编码：
YHSC01670335
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：650V;
连续漏极电流(Id)：4A;
功率(Pd)：55W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3Ω@10V,2A
详细： 无
1+
￥1.46322
10+
￥1.1814
30+
￥1.06062
100+
￥0.90992
500+
￥0.79178
1000+
￥0.75152
现货仓：
15093
最快4小时发货
个
金额：
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