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ALLPOWER(铨力)
ALLPOWER(铨力)
深圳铨力半导体有限公司成立于2016年,是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。公司研发团队主要来自台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英,公司总部坐落于中国深圳,在韩国和广州设有分公司。铨力依靠专业的自主研发能力和先进的制造能力,为行业提供了超400KK/年的性能卓越的半导体产品,现有产品包括中低压MOSFET、AC-DC电源管理芯片等,铨力已经成为电脑、网通、消费性产品、手机、电池等行业长期合作伙伴,产品远销国内外。我们始终坚持主动了解客户需求,通过不断研发创新,竭诚为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体产品和解决方案,为客户的成功提供强力支撑。
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AP2302B
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23-3
编码:
532000020019
描述:
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):2.8A;
额定功率(Pd):350mW;
通道:N通道;
最小包装数量:3000;
商品标签:无铅
详细:
无
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¥0.5
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¥0.06681
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AP2301B
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC01615544
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):2A;
功率(Pd):750mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@4.5V,2A
详细:
无
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¥0.077196
6000+
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24000+
¥0.063602
51000+
¥0.060203
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AP2N7002
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00564391
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):450mA;
功率(Pd):700mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,450mA
详细:
无
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AP1605
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
DFN-3(0.6x1)
编码:
YHSC02291389
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):700mA
详细:
无
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¥0.117623
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AP2300
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00596527
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):5.2A;
功率(Pd):1.25W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@2.5V,5.2A
详细:
无
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AP2301
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23-3
编码:
532000790019
描述:
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):3A;
额定功率(Pd):1W;
通道:P通道;
最小包装数量:3000;
商品标签:无铅
详细:
无
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¥0.166768
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AP2302
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00596460
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):4A;
功率(Pd):350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,3.6A
详细:
无
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AP3139
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02290525
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):660mA
详细:
无
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AP3134N5
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-523(SC-75)
编码:
YHSC02289974
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):1.2A
详细:
无
20+
¥0.176506
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¥0.141361
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¥0.121836
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9000+
¥0.099968
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AP2316
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01621863
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):4A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@12V,4A
详细:
无
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¥0.181068
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AP3400
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00564104
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):5.8A;
功率(Pd):1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,5.8A
详细:
无
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AP3401
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00564229
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):4.2A;
功率(Pd):1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.2A
详细:
无
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AP2305
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00564035
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):3.5A;
功率(Pd):350mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@4.5V,3.5A
详细:
无
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AP2300B
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01650219
描述:
无
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AP2310
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC01647295
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):3A;
功率(Pd):1.7W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@10V,3A
详细:
无
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AP3407
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01647266
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):4.1A;
功率(Pd):1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A
详细:
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AP3415E
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00970572
描述:
类型:P沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):4A;
功率(Pd):1.25W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@4.5V,4A
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AP8205
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23-6
编码:
YHSC01650226
描述:
类型:2个N沟道(共漏);
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):6A;
功率(Pd):1.14W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@4.5V,6A
详细:
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AP6802
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23-6
编码:
YHSC02291169
描述:
类型:2个N沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):4A;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@20V,4A
详细:
无
10+
¥0.28248
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¥0.22968
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¥0.20328
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¥0.16764
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AP3404
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
ALLPOWER(铨力)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00553542
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):5.8A;
功率(Pd):1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,5.8A
详细:
无
20+
¥0.325694
200+
¥0.2542
600+
¥0.214482
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