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LONTEN(龙腾半导体)
LONTEN(龙腾半导体)
分类:
场效应管(MOSFET)
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LNSA3400
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01625863
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):30V;
连续漏极电流(Id):5.8A;
功率(Pd):1.4W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@10V,5.8A
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LNU2N65
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-126
编码:
YHSC01625338
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):650V;
连续漏极电流(Id):2A;
功率(Pd):27W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2Ω@10V,1A
详细:
无
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LNG045R210
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01626323
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):45V;
连续漏极电流(Id):35A;
功率(Pd):54W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,20A
详细:
无
1+
¥1.10154
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LNG06R310
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01626804
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):28A;
功率(Pd):50W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V,15A
详细:
无
1+
¥1.12134
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¥0.8954
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LNG06R200
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01626756
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):35A;
功率(Pd):50W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,10A
详细:
无
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LNG04R165
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01626182
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):40V;
连续漏极电流(Id):39A;
功率(Pd):37W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16.5mΩ@10V,10A
详细:
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LNH5N50
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-251
编码:
YHSC01625508
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):500V;
连续漏极电流(Id):5A;
功率(Pd):75W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,2.5A
详细:
无
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LNL04R075
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
SOP-8
编码:
YHSC01626077
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):40V;
连续漏极电流(Id):18A;
功率(Pd):3.1W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,10A
详细:
无
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LNND04R120
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
DFN-8(3x3)
编码:
YHSC01626157
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):40V;
连续漏极电流(Id):20A;
功率(Pd):20W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,12A
详细:
无
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LNG045R090
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01619639
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):45V;
连续漏极电流(Id):70A;
功率(Pd):83W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.2mΩ@10V,20A
详细:
无
1+
¥2.145
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LNG06R140
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01626717
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):45A;
功率(Pd):62.5W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A
详细:
无
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¥1.69686
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¥1.33782
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LNG05R230
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01626417
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):50V;
连续漏极电流(Id):32A;
功率(Pd):50W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,10A
详细:
无
1+
¥1.21528
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LSGG06R098W3
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01627113
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):80A;
功率(Pd):106W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13.9mΩ@4.5V,20A
详细:
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LNG045R140
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01626300
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):45V;
连续漏极电流(Id):43A;
功率(Pd):54W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A
详细:
无
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LNG04R120
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01626119
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):40V;
连续漏极电流(Id):47A;
功率(Pd):54W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@4.5V,10A
详细:
无
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¥1.00925
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¥0.89309
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LNG5N50
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01625469
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):500V;
连续漏极电流(Id):5A;
功率(Pd):75W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,2.5A
详细:
无
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LSG65R1K5HT
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01625254
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):650V;
连续漏极电流(Id):3A;
功率(Pd):30W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,1.5A
详细:
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LNG04R075
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01626053
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):40V;
连续漏极电流(Id):80A;
功率(Pd):83W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@4.5V,10A
详细:
无
1+
¥1.85735
10+
¥1.48313
30+
¥1.32275
100+
¥1.12266
500+
¥1.03356
1000+
¥0.9801
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LSG60R2K5HT
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01625309
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):600V;
连续漏极电流(Id):1.9A;
功率(Pd):18W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,950mA
详细:
无
1+
¥1.40811
10+
¥1.12167
30+
¥0.99891
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10276
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LNG06R110
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
LONTEN(龙腾半导体)
封装:
TO-252
编码:
YHSC01626664
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):60A;
功率(Pd):83W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@4.5V,10A
详细:
无
1+
¥2.02433
10+
¥1.59588
30+
¥1.41229
100+
¥1.18327
500+
¥1.0813
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