吉林华微
华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年330万片,封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利,各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术,公司主要生产功率半导体器件及IC,应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品,成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。
型号/分类/品牌/封装
参数
阶梯价格(含税)
库存交期
数量
操作
分类: 肖特基二极管
品牌: 吉林华微
封装: SMA
编码: YHSC02642077
描述: 直流反向耐压(Vr):100V; 平均整流电流(Io):2A; 正向压降(Vf):850mV@1A
详细:
10+
¥0.277451
100+
¥0.229051
300+
¥0.204851
1000+
¥0.186701
5000+
¥0.172181
10000+
¥0.164921
现货仓: 19583
最快4小时发货
金额: -
分类: 三极管(BJT)
品牌: 吉林华微
封装: TO-92-3
编码: YHSC02643956
描述: 晶体管类型:NPN; 集射极击穿电压(Vceo):400V; 集电极电流(Ic):1.5A; 功率(Pd):1W; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):7@1.5A,5V
详细:
10+
¥0.307954
100+
¥0.255154
300+
¥0.228754
2000+
¥0.208954
4000+
¥0.193114
10000+
¥0.185194
现货仓: 16357
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金额: -
分类: 三极管(BJT)
品牌: 吉林华微
封装: TO-92-3
编码: YHSC02643460
描述: 晶体管类型:NPN; 集射极击穿电压(Vceo):400V; 集电极电流(Ic):1.5A; 功率(Pd):1W; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V
详细:
10+
¥0.314612
100+
¥0.255806
300+
¥0.226403
现货仓: 15299
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金额: -
分类: 三极管(BJT)
品牌: 吉林华微
封装: TO-92-3
编码: YHSC02643547
描述: 晶体管类型:NPN; 集射极击穿电压(Vceo):400V; 集电极电流(Ic):2A; 功率(Pd):1W; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V
详细:
10+
¥0.36972
100+
¥0.300614
300+
¥0.26606
2000+
¥0.240145
现货仓: 15600
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金额: -
分类: 三极管(BJT)
品牌: 吉林华微
封装: TO-126
编码: YHSC02643515
描述: 晶体管类型:NPN; 集射极击穿电压(Vceo):400V; 集电极电流(Ic):1.5A; 功率(Pd):20W; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V
详细:
5+
¥0.444354
50+
¥0.362558
150+
¥0.32166
500+
¥0.290986
2500+
¥0.266448
5000+
¥0.254178
现货仓: 12648
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金额: -
分类: 三极管(BJT)
品牌: 吉林华微
封装: TO-92-3
编码: YHSC02643822
描述: 晶体管类型:NPN; 集射极击穿电压(Vceo):500V; 集电极电流(Ic):1.5A; 功率(Pd):1W; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@1A,5V
详细:
5+
¥0.478616
50+
¥0.389155
150+
¥0.344424
500+
¥0.310877
现货仓: 17360
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金额: -
分类: 肖特基二极管
品牌: 吉林华微
封装: SMB(DO-214AA)
编码: YHSC02642267
描述: 直流反向耐压(Vr):60V; 平均整流电流(Io):5A; 正向压降(Vf):550mV@5A
详细:
5+
¥0.554902
50+
¥0.458102
150+
¥0.409702
500+
¥0.373402
3000+
¥0.344362
6000+
¥0.329842
现货仓: 16537
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金额: -
分类: 三极管(BJT)
品牌: 吉林华微
封装: TO-126
编码: YHSC02643056
描述: 晶体管类型:NPN; 集射极击穿电压(Vceo):450V; 集电极电流(Ic):1.5A; 功率(Pd):20W; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,5V
详细:
5+
¥0.566046
50+
¥0.468577
150+
¥0.419843
500+
¥0.383292
2500+
¥0.354052
5000+
¥0.339431
现货仓: 11530
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金额: -
分类: 三极管(BJT)
品牌: 吉林华微
封装: TO-126
编码: YHSC02643768
描述: 晶体管类型:NPN; 集射极击穿电压(Vceo):400V; 集电极电流(Ic):2A; 功率(Pd):20W; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V
详细:
5+
¥0.670634
50+
¥0.551423
150+
¥0.491819
500+
¥0.414256
2500+
¥0.378492
现货仓: 12101
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金额: -
分类: 三极管(BJT)
品牌: 吉林华微
封装: TO-92-3
编码: YHSC02643661
描述: 晶体管类型:NPN; 集射极击穿电压(Vceo):450V; 集电极电流(Ic):1.5A; 功率(Pd):1W; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V
详细:
5+
¥0.638821
50+
¥0.528821
150+
¥0.473821
1000+
¥0.432571
2000+
¥0.399571
5000+
¥0.383071
现货仓: 13270
最快4小时发货
金额: -
分类: 三极管(BJT)
品牌: 吉林华微
封装: TO-126
编码: YHSC02643621
描述: 晶体管类型:NPN; 集射极击穿电压(Vceo):400V; 集电极电流(Ic):3A; 功率(Pd):30W; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@500mA,5V
详细:
5+
¥0.533073
50+
¥0.433433
150+
¥0.383614
现货仓: 18367
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金额: -
分类: 肖特基二极管
品牌: 吉林华微
封装: DO-201AD
编码: YHSC02641049
描述: 直流反向耐压(Vr):100V; 平均整流电流(Io):5A; 正向压降(Vf):900mV@5A
详细:
5+
¥0.655794
50+
¥0.541394
150+
¥0.484194
1250+
¥0.441294
2500+
¥0.406974
5000+
¥0.389814
现货仓: 14934
最快4小时发货
金额: -
分类: 肖特基二极管
品牌: 吉林华微
封装: DO-201AD
编码: YHSC02640441
描述: 直流反向耐压(Vr):100V; 平均整流电流(Io):3A; 正向压降(Vf):800mV@3A
详细:
5+
¥0.597571
50+
¥0.487571
150+
¥0.432571
现货仓: 18492
最快4小时发货
金额: -
分类: 肖特基二极管
品牌: 吉林华微
封装: DO-201AD
编码: YHSC02640514
描述: 直流反向耐压(Vr):100V; 平均整流电流(Io):5A; 正向压降(Vf):720mV@5A
详细:
5+
¥0.807129
50+
¥0.666329
150+
¥0.595929
1250+
¥0.543129
2500+
¥0.500889
5000+
¥0.479769
现货仓: 18876
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金额: -
分类: 肖特基二极管
品牌: 吉林华微
封装: DO-201AD
编码: YHSC02640566
描述: 直流反向耐压(Vr):40V; 平均整流电流(Io):3A; 正向压降(Vf):550mV@3A
详细:
5+
¥0.681017
50+
¥0.562217
150+
¥0.502817
现货仓: 11225
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金额: -
分类: 肖特基二极管
品牌: 吉林华微
封装: DO-201AD
编码: YHSC02640627
描述: 直流反向耐压(Vr):60V; 平均整流电流(Io):5A; 正向压降(Vf):580mV@5A
详细:
5+
¥0.920486
50+
¥0.766971
150+
¥0.690214
1250+
¥0.632645
2500+
¥0.58659
5000+
¥0.563563
现货仓: 17335
最快4小时发货
金额: -
分类: 肖特基二极管
品牌: 吉林华微
封装: DO-201AD
编码: YHSC02640586
描述: 直流反向耐压(Vr):40V; 平均整流电流(Io):5A; 正向压降(Vf):580mV@5A
详细:
5+
¥0.836122
50+
¥0.68221
150+
¥0.605254
现货仓: 10672
最快4小时发货
金额: -
分类: 肖特基二极管
品牌: 吉林华微
封装: DO-201AD
编码: YHSC02640471
描述: 直流反向耐压(Vr):100V; 平均整流电流(Io):5A; 正向压降(Vf):830mV@5A
详细:
5+
¥0.857667
50+
¥0.699788
150+
¥0.620849
现货仓: 12800
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 吉林华微
封装: TO-251
编码: YHSC02644052
描述: 类型:N沟道; 漏源电压(Vdss):650V; 连续漏极电流(Id):2A; 功率(Pd):44W; 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5Ω@10V,1A
详细:
1+
¥1.22518
10+
¥0.99418
30+
¥0.89518
100+
¥0.77165
500+
¥0.71665
1000+
¥0.68365
现货仓: 10349
最快4小时发货
金额: -
分类: 场效应管(MOSFET)
品牌: 吉林华微
封装: TO-252
编码: YHSC01143664
描述:
详细:
1+
¥2.15325
200+
¥0.83336
500+
¥0.8041
1000+
¥0.78958
现货仓: 10482
最快4小时发货
金额: -
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