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吉林华微
吉林华微
华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年330万片,封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利,各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术,公司主要生产功率半导体器件及IC,应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品,成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。
分类:
肖特基二极管
快恢复/超快恢复二极管
场效应管(MOSFET)
三极管(BJT)
晶闸管(可控硅)/模块
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HBR2100-SMA
分类:
肖特基二极管
品牌:
吉林华微
封装:
SMA
编码:
YHSC02642077
描述:
直流反向耐压(Vr):100V;
平均整流电流(Io):2A;
正向压降(Vf):850mV@1A
详细:
无
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¥0.229051
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3DD13003E1D-92-FJ
分类:
三极管(BJT)
品牌:
吉林华微
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02643956
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):400V;
集电极电流(Ic):1.5A;
功率(Pd):1W;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):7@1.5A,5V
详细:
无
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3DD4242DT-92
分类:
三极管(BJT)
品牌:
吉林华微
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02643460
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):400V;
集电极电流(Ic):1.5A;
功率(Pd):1W;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V
详细:
无
10+
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3DD4243DT-92
分类:
三极管(BJT)
品牌:
吉林华微
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02643547
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):400V;
集电极电流(Ic):2A;
功率(Pd):1W;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V
详细:
无
10+
¥0.36972
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¥0.300614
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¥0.26606
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¥0.240145
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3DD4242DM-126
分类:
三极管(BJT)
品牌:
吉林华微
封装:
TO-126
编码:
YHSC02643515
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):400V;
集电极电流(Ic):1.5A;
功率(Pd):20W;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V
详细:
无
5+
¥0.444354
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¥0.362558
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¥0.32166
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3DD4613H-92-FJ
分类:
三极管(BJT)
品牌:
吉林华微
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02643822
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):500V;
集电极电流(Ic):1.5A;
功率(Pd):1W;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@1A,5V
详细:
无
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SBR560-SMB
分类:
肖特基二极管
品牌:
吉林华微
封装:
SMB(DO-214AA)
编码:
YHSC02642267
描述:
直流反向耐压(Vr):60V;
平均整流电流(Io):5A;
正向压降(Vf):550mV@5A
详细:
无
5+
¥0.554902
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3DD13003A-126
分类:
三极管(BJT)
品牌:
吉林华微
封装:
TO-126
编码:
YHSC02643056
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):450V;
集电极电流(Ic):1.5A;
功率(Pd):20W;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,5V
详细:
无
5+
¥0.566046
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3DD4243DM-126
分类:
三极管(BJT)
品牌:
吉林华微
封装:
TO-126
编码:
YHSC02643768
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):400V;
集电极电流(Ic):2A;
功率(Pd):20W;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V
详细:
无
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¥0.670634
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3DD4612DT-92
分类:
三极管(BJT)
品牌:
吉林华微
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC02643661
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):450V;
集电极电流(Ic):1.5A;
功率(Pd):1W;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V
详细:
无
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3DD4244DM
分类:
三极管(BJT)
品牌:
吉林华微
封装:
TO-126
编码:
YHSC02643621
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):400V;
集电极电流(Ic):3A;
功率(Pd):30W;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@500mA,5V
详细:
无
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HBR5150-DO-201AD
分类:
肖特基二极管
品牌:
吉林华微
封装:
DO-201AD
编码:
YHSC02641049
描述:
直流反向耐压(Vr):100V;
平均整流电流(Io):5A;
正向压降(Vf):900mV@5A
详细:
无
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HBR3100-DO-201AD
分类:
肖特基二极管
品牌:
吉林华微
封装:
DO-201AD
编码:
YHSC02640441
描述:
直流反向耐压(Vr):100V;
平均整流电流(Io):3A;
正向压降(Vf):800mV@3A
详细:
无
5+
¥0.597571
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HBR5100U-DO-201AD
分类:
肖特基二极管
品牌:
吉林华微
封装:
DO-201AD
编码:
YHSC02640514
描述:
直流反向耐压(Vr):100V;
平均整流电流(Io):5A;
正向压降(Vf):720mV@5A
详细:
无
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¥0.543129
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¥0.479769
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MBR340-DO-201AD
分类:
肖特基二极管
品牌:
吉林华微
封装:
DO-201AD
编码:
YHSC02640566
描述:
直流反向耐压(Vr):40V;
平均整流电流(Io):3A;
正向压降(Vf):550mV@3A
详细:
无
5+
¥0.681017
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¥0.562217
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MBR560-DO-201AD
分类:
肖特基二极管
品牌:
吉林华微
封装:
DO-201AD
编码:
YHSC02640627
描述:
直流反向耐压(Vr):60V;
平均整流电流(Io):5A;
正向压降(Vf):580mV@5A
详细:
无
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¥0.563563
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17335
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MBR540-DO-201AD
分类:
肖特基二极管
品牌:
吉林华微
封装:
DO-201AD
编码:
YHSC02640586
描述:
直流反向耐压(Vr):40V;
平均整流电流(Io):5A;
正向压降(Vf):580mV@5A
详细:
无
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HBR5100-DO-201AD
分类:
肖特基二极管
品牌:
吉林华微
封装:
DO-201AD
编码:
YHSC02640471
描述:
直流反向耐压(Vr):100V;
平均整流电流(Io):5A;
正向压降(Vf):830mV@5A
详细:
无
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JCS2N65VC-IPAK
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
吉林华微
封装:
TO-251
编码:
YHSC02644052
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):650V;
连续漏极电流(Id):2A;
功率(Pd):44W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5Ω@10V,1A
详细:
无
1+
¥1.22518
10+
¥0.99418
30+
¥0.89518
100+
¥0.77165
500+
¥0.71665
1000+
¥0.68365
现货仓:
10349
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JCS4N65RB
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
吉林华微
封装:
TO-252
编码:
YHSC01143664
描述:
无
详细:
无
1+
¥2.15325
200+
¥0.83336
500+
¥0.8041
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