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银河微电子
银河微电子
常州银河世纪微电子股份有限公司(以下简称“公司”)系在原常州银河世纪微电子有限公司基础上于2016年11月18日整体变更设立的股份有限公司。公司现有股本总额9580万股(每股面值人民币1元),公司股权结构详见组织架构。公司注册资本为人民币9580万元,核准的经营范围为片式二极管、半导体分立器件、集成电路、光电子器件及其他电子器件、电力电子元器件、半导体芯片及专用材料的制造。公司系国内半导体分立器件细分行业的专业供应商,及电子器件封测行业的优质制造商。目前的主营业务为各类二极管、三极管、桥式整流器等半导体分立器件的研发设计、芯片制造、封装测试、销售及技术服务。公司产品已广泛应用于家用电器、电源及充电器、绿色照明、网络与通信、汽车电子、智能电表及仪器等领域。
分类:
稳压二极管
开关二极管
电压基准芯片
场效应管(MOSFET)
三极管(BJT)
光耦-光电晶体管输出
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S9014G
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02472418
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):45V;
集电极电流(Ic):100mA;
功率(Pd):200mW;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V
详细:
无
50+
¥0.078925
500+
¥0.0616
3000+
¥0.051975
6000+
¥0.0462
24000+
¥0.041195
51000+
¥0.0385
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MMBT3904G
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02472029
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极电流(Ic):200mA;
功率(Pd):250mW;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V
详细:
无
50+
¥0.078925
500+
¥0.0616
3000+
¥0.051975
6000+
¥0.0462
24000+
¥0.041195
51000+
¥0.0385
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1N4148WSG
分类:
开关二极管
品牌:
银河微电子
封装:
SOD-323
编码:
YHSC02473236
描述:
无
详细:
无
50+
¥0.0902
500+
¥0.0704
3000+
¥0.0594
6000+
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¥0.04708
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1N4148WG
分类:
开关二极管
品牌:
银河微电子
封装:
SOD-123
编码:
YHSC02473284
描述:
二极管配置:独立式;
功率:350mW;
直流反向耐压(Vr):75V;
平均整流电流(Io):200mA;
正向压降(Vf):1.25V@150mA;
反向恢复时间(trr):4ns
详细:
无
50+
¥0.0902
500+
¥0.0704
3000+
¥0.0594
6000+
¥0.0528
24000+
¥0.04708
51000+
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10782
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S8550G
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02472951
描述:
晶体管类型:PNP;
集射极击穿电压(Vceo):25V;
集电极电流(Ic):500mA;
功率(Pd):300mW
详细:
无
50+
¥0.0902
500+
¥0.0704
3000+
¥0.0594
6000+
¥0.0528
24000+
¥0.04708
51000+
¥0.044
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14612
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S9013G
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02472606
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):25V;
集电极电流(Ic):500mA;
功率(Pd):300mW;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,1V
详细:
无
50+
¥0.0902
500+
¥0.0704
3000+
¥0.0594
6000+
¥0.0528
24000+
¥0.04708
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¥0.044
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19435
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MMBT5551G
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02471767
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):160V;
集电极电流(Ic):600mA;
功率(Pd):350mW;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
详细:
无
50+
¥0.101475
500+
¥0.0792
3000+
¥0.066825
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¥0.052965
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S9015G
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02473015
描述:
晶体管类型:PNP;
集射极击穿电压(Vceo):45V;
集电极电流(Ic):100mA;
功率(Pd):200mW
详细:
无
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2SA812G
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02472678
描述:
晶体管类型:PNP;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极电流(Ic):100mA;
功率(Pd):200mW
详细:
无
50+
¥0.078925
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¥0.0616
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2SC945G
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02472481
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极电流(Ic):100mA;
功率(Pd):200mW
详细:
无
50+
¥0.10824
500+
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3000+
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2SA733G-CS
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02473408
描述:
晶体管类型:PNP;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极电流(Ic):100mA;
功率(Pd):250mW
详细:
无
50+
¥0.10824
500+
¥0.08448
3000+
¥0.07128
6000+
¥0.06336
24000+
¥0.056496
51000+
¥0.0528
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SS8050G-Y1
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02473468
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):25V;
集电极电流(Ic):1.5A;
功率(Pd):300mW
详细:
无
50+
¥0.10824
500+
¥0.08448
3000+
¥0.07128
6000+
¥0.06336
24000+
¥0.056496
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¥0.0528
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18119
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SS8550G
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02473512
描述:
晶体管类型:PNP;
集射极击穿电压(Vceo):25V;
集电极电流(Ic):1.5A;
功率(Pd):300mW
详细:
无
50+
¥0.10824
500+
¥0.08448
3000+
¥0.07128
6000+
¥0.06336
24000+
¥0.056496
51000+
¥0.0528
现货仓:
18529
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BAV99G
分类:
开关二极管
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02473077
描述:
二极管配置:1对串联式;
功率:350mW;
直流反向耐压(Vr):75V;
平均整流电流(Io):215mA;
正向压降(Vf):1.25V@150mA;
反向恢复时间(trr):4ns
详细:
无
50+
¥0.11275
500+
¥0.088
3000+
¥0.07425
6000+
¥0.066
24000+
¥0.05885
51000+
¥0.055
现货仓:
13039
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MMBT2907AG
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02472262
描述:
晶体管类型:PNP;
集射极击穿电压(Vceo):60V;
集电极电流(Ic):600mA;
功率(Pd):300mW;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V
详细:
无
50+
¥0.11275
500+
¥0.088
3000+
¥0.07425
6000+
¥0.066
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¥0.05885
51000+
¥0.055
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MMBT4403G
分类:
三极管(BJT)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02472727
描述:
晶体管类型:PNP;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极电流(Ic):600mA;
功率(Pd):350mW
详细:
无
50+
¥0.11275
500+
¥0.088
3000+
¥0.07425
6000+
¥0.066
24000+
¥0.05885
51000+
¥0.055
现货仓:
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BZT52C5V1SG
分类:
稳压二极管
品牌:
银河微电子
封装:
SOD-323
编码:
YHSC01460447
描述:
二极管配置:独立式;
稳压值(标称值):5.1V;
稳压值(范围):4.8V~5.4V;
功率:200mW
详细:
无
50+
¥0.1353
500+
¥0.1056
3000+
¥0.0891
6000+
¥0.0792
24000+
¥0.07062
51000+
¥0.066
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BL431(0.5%)
分类:
电压基准芯片
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC02472142
描述:
输出类型:可编程;
输出电压:2.5V~36V;
输出电流:100mA
详细:
无
20+
¥0.25476
200+
¥0.20196
600+
¥0.17556
3000+
¥0.15576
9000+
¥0.13992
21000+
¥0.132
现货仓:
18877
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BL817B
分类:
光耦-光电晶体管输出
品牌:
银河微电子
封装:
DIP-4
编码:
YHSC00824639
描述:
输入电压类型:DC;
输出通道数:1;
正向电压:1.2V;
反向电压:6V;
输出电流:30mA;
接收端电压:80V;
集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):100mV@1mA,20mA
详细:
无
10+
¥0.29529
100+
¥0.23409
300+
¥0.20349
1000+
¥0.18054
5000+
¥0.16218
10000+
¥0.153
现货仓:
17716
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BL2302G
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
银河微电子
封装:
SOT-23(TO-236)
编码:
YHSC01460419
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):20V;
连续漏极电流(Id):2.8A;
功率(Pd):1.25W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,2.9A
详细:
无
10+
¥0.292974
100+
¥0.232254
300+
¥0.201894
现货仓:
11785
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