onsemi(安森美)
安森美半导体(onsemi)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。
型号/分类/品牌/封装
参数
阶梯价格(含税)
库存交期
数量
操作
分类: 开关二极管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SC-75-3
编码: YHSC02526284
描述:
详细:
1+
¥0.068199
10+
¥0.054656
30+
¥0.047132
100+
¥0.042617
500+
¥0.038705
1000+
¥0.036598
现货仓: 11056
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SC-75-3
编码: YHSC02526465
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):500nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
详细:
1+
¥0.109811
200+
¥0.042496
500+
¥0.041003
1000+
¥0.040264
现货仓: 13487
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金额: -
分类: 开关二极管
品牌: onsemi(安森美)
封装: DO-35
编码: YHSC02428876
描述: 功率:500mW; 直流反向耐压(Vr):100V; 平均整流电流(Io):300mA; 正向压降(Vf):1V@10mA; 反向恢复时间(trr):4ns
详细:
1+
¥0.111192
200+
¥0.04303
500+
¥0.041518
1000+
¥0.04077
现货仓: 10923
最快4小时发货
金额: -
分类: 开关二极管
品牌: onsemi(安森美)
封装: DO-35
编码: YHSC02428939
描述: 直流反向耐压(Vr):100V; 平均整流电流(Io):200mA; 正向压降(Vf):1V@10mA; 反向恢复时间(trr):4ns
详细:
1+
¥0.138423
200+
¥0.053568
500+
¥0.051686
1000+
¥0.050755
现货仓: 19921
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金额: -
分类: 达林顿管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-23-3(TO-236-3)
编码: YHSC00759182
描述: 类型:NPN; 集射极击穿电压(Vceo):30V; 集电极电流(Ic):300mA; 功率(Pd):225mW; 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@100mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
¥0.054498
1000+
¥0.053516
现货仓: 12242
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金额: -
分类: 达林顿管
品牌: onsemi(安森美)
封装: TO-92-3
编码: YHSC00761037
描述: 类型:NPN; 集射极击穿电压(Vceo):30V; 集电极电流(Ic):500mA; 功率(Pd):625mW; 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@100mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
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1000+
¥0.053516
现货仓: 16569
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金额: -
分类: 达林顿管
品牌: onsemi(安森美)
封装: TO-92-3
编码: YHSC00765355
描述: 类型:NPN; 集射极击穿电压(Vceo):60V; 集电极电流(Ic):500mA; 功率(Pd):625mW; 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@100mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
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1000+
¥0.053516
现货仓: 18148
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: -
编码: YHSC00338802
描述:
详细:
1+
¥0.145953
200+
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¥0.053516
现货仓: 13763
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523F
编码: YHSC00341788
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
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1000+
¥0.053516
现货仓: 14600
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523F
编码: YHSC00341585
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
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500+
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1000+
¥0.053516
现货仓: 13756
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: -
编码: YHSC00346026
描述:
详细:
1+
¥0.145953
200+
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1000+
¥0.053516
现货仓: 13396
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SC-70-3
编码: YHSC00349912
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
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1000+
¥0.053516
现货仓: 10460
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523F
编码: YHSC00351285
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):40V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
¥0.054498
1000+
¥0.053516
现货仓: 14782
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523F
编码: YHSC00351494
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
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¥0.054498
1000+
¥0.053516
现货仓: 10953
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: TO-92S
编码: YHSC00354790
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):300mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
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1+
¥0.145953
200+
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1000+
¥0.053516
现货仓: 15759
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523F
编码: YHSC00356406
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
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500+
¥0.054498
1000+
¥0.053516
现货仓: 17411
最快4小时发货
金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523F
编码: YHSC00357604
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
¥0.054498
1000+
¥0.053516
现货仓: 10284
最快4小时发货
金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-523F
编码: YHSC00363257
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
¥0.054498
1000+
¥0.053516
现货仓: 13199
最快4小时发货
金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: TO-92-3
编码: YHSC00364566
描述: 晶体管类型:1个PNP-预偏置; 功率(Pd):300mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
¥0.054498
1000+
¥0.053516
现货仓: 10200
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金额: -
分类: 数字晶体管
品牌: onsemi(安森美)
封装: SOT-23-3
编码: YHSC00365415
描述: 晶体管类型:1个NPN-预偏置; 功率(Pd):200mW; 集电极电流(Ic):100mA; 集射极击穿电压(Vceo):50V; 集电极截止电流(Icbo):100nA; 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
详细:
1+
¥0.145953
200+
¥0.056483
500+
¥0.054498
1000+
¥0.053516
现货仓: 18353
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金额: -
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