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onsemi(安森美)
onsemi(安森美)
安森美半导体(onsemi)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。
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DA121TT1G
分类:
开关二极管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SC-75-3
编码:
YHSC02526284
描述:
无
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DTA114TET1G
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SC-75-3
编码:
YHSC02526465
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):500nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
详细:
无
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1N4148-T26A
分类:
开关二极管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
DO-35
编码:
YHSC02428876
描述:
功率:500mW;
直流反向耐压(Vr):100V;
平均整流电流(Io):300mA;
正向压降(Vf):1V@10mA;
反向恢复时间(trr):4ns
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无
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1N4148-T50A
分类:
开关二极管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
DO-35
编码:
YHSC02428939
描述:
直流反向耐压(Vr):100V;
平均整流电流(Io):200mA;
正向压降(Vf):1V@10mA;
反向恢复时间(trr):4ns
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无
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SMMBTA13LT1
分类:
达林顿管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23-3(TO-236-3)
编码:
YHSC00759182
描述:
类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):30V;
集电极电流(Ic):300mA;
功率(Pd):225mW;
直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@100mA,5V
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无
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KSP13TF
分类:
达林顿管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00761037
描述:
类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):30V;
集电极电流(Ic):500mA;
功率(Pd):625mW;
直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@100mA,5V
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无
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KSP27TA
分类:
达林顿管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00765355
描述:
类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):60V;
集电极电流(Ic):500mA;
功率(Pd):625mW;
直流电流增益(hFE@Vce,Ic):10000@100mA,5V
详细:
无
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SMUN2212T1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
-
编码:
YHSC00338802
描述:
无
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无
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FJY4014R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00341788
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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FJY4001R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00341585
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@10mA,5V
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无
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MMUN2116LT1
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
-
编码:
YHSC00346026
描述:
无
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FJX3001RTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SC-70-3
编码:
YHSC00349912
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
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FJY3012R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00351285
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
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无
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FJY3005R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00351494
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
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FJNS4202RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92S
编码:
YHSC00354790
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
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FJY4013R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00356406
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
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FJY3014R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00357604
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
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FJY3007R
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-523F
编码:
YHSC00363257
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
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FJN4303RTA
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3
编码:
YHSC00364566
描述:
晶体管类型:1个PNP-预偏置;
功率(Pd):300mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):56@5mA,5V
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FJV3104RMTF
分类:
数字晶体管
品牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23-3
编码:
YHSC00365415
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
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