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DL4002-13-F
分类:
通用二极管
品牌:
DIODES(美台)
封装:
MELF
编码:
YHSC02779138
描述:
直流反向耐压(Vr):100V;
平均整流电流(Io):1A;
正向压降(Vf):1.1V@1A
详细:
无
1+
¥0.07557
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¥0.029245
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¥0.028217
1000+
¥0.027709
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1N4148WSF
分类:
开关二极管
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOD-323F
编码:
YHSC02808017
描述:
无
详细:
无
20+
¥0.079259
200+
¥0.063925
600+
¥0.055407
3000+
¥0.050295
9000+
¥0.045866
21000+
¥0.043481
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1N4148W-7-F
分类:
通用二极管
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOD-123
编码:
531000320053
描述:
直流反向耐压(Vr):100V;
正向压降(Vf):1.25V@150mA;
平均整流电流(Io):300mA;
反向电流(Ir):1uA@75V;
最小包装数量:3000;
商品标签:无铅
详细:
无
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¥0.067311
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DDZ12ASF-7
分类:
稳压二极管
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOD-323F
编码:
YHSC01831264
描述:
稳压值(标称值):11.4V;
精度:±3%;
功率:500mW
详细:
无
1+
¥0.15512
200+
¥0.06003
500+
¥0.057921
1000+
¥0.056878
现货仓:
16150
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D24V0L1B2LPSQ-7B
分类:
静电放电(ESD)保护器件
品牌:
DIODES(美台)
封装:
X1-DFN1006-2
编码:
YHSC00858358
描述:
反向截止电压(Vrwm):24V;
击穿电压(VBR):26V;
钳位电压(Vc)@Ipp:46V
详细:
无
1+
¥0.160956
200+
¥0.062288
500+
¥0.060099
1000+
¥0.059017
现货仓:
11856
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DDTC123YCA-7-F
分类:
数字晶体管
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00034179
描述:
晶体管类型:1个NPN-预偏置;
功率(Pd):200mW;
集电极电流(Ic):100mA;
集射极击穿电压(Vceo):50V;
集电极截止电流(Icbo):500nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):33@10mA,5V
详细:
无
10+
¥0.11455
100+
¥0.092389
300+
¥0.080077
3000+
¥0.07269
6000+
¥0.066288
9000+
¥0.06284
现货仓:
12760
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1N4148WS-13-F
分类:
开关二极管
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOD-323
编码:
YHSC00649769
描述:
二极管配置:独立式;
功率:200mW;
直流反向耐压(Vr):75V;
平均整流电流(Io):150mA;
正向压降(Vf):1.25V@150mA;
反向恢复时间(trr):4ns
详细:
无
20+
¥0.077975
200+
¥0.068912
600+
¥0.067482
2000+
¥0.065335
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16101
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D18V0L1B2LP-7B
分类:
静电放电(ESD)保护器件
品牌:
DIODES(美台)
封装:
X1-DFN1006-2
编码:
YHSC00119734
描述:
无
详细:
无
1+
¥0.178398
200+
¥0.069038
500+
¥0.066612
1000+
¥0.065413
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11728
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2N7002K-7
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-23-3
编码:
532000800053
描述:
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):380mA;
额定功率(Pd):310mW;
通道:N通道;
最小包装数量:3000;
商品标签:无铅
详细:
无
20+
¥0.090609
200+
¥0.080785
600+
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3000+
¥0.068244
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1N4148WS-7-F-89
分类:
开关二极管
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOD-323
编码:
YHSC02824831
描述:
无
详细:
无
20+
¥0.141698
200+
¥0.114285
600+
¥0.099055
3000+
¥0.082072
9000+
¥0.074153
21000+
¥0.069889
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74LVC1G06FW4-7
分类:
反相器
品牌:
DIODES(美台)
封装:
DFN-6(1x1)
编码:
YHSC02444807
描述:
电路数:1;
电源电压:1.65V~5.5V;
供电电流(最大值):200uA;
最大传播延迟(tpd):4ns@5V,50pF
详细:
无
1+
¥0.191869
200+
¥0.074251
500+
¥0.071642
1000+
¥0.070353
现货仓:
13780
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2N7002-7-F
分类:
场效应管(MOSFET)
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00835610
描述:
类型:N沟道;
漏源电压(Vdss):60V;
连续漏极电流(Id):115mA;
功率(Pd):370mW;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@5V,50mA
详细:
无
20+
¥0.097301
200+
¥0.087319
600+
¥0.085743
3000+
¥0.071027
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D5V0L1B2DLP3-7
分类:
静电放电(ESD)保护器件
品牌:
DIODES(美台)
封装:
X3-DFN0603
编码:
YHSC00212749
描述:
反向截止电压(Vrwm):5V;
击穿电压(VBR):6V;
钳位电压(Vc)@Ipp:14V
详细:
无
1+
¥0.196406
200+
¥0.076007
500+
¥0.073336
1000+
¥0.072016
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MMBT3906-7-F
分类:
三极管(BJT)
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00808023
描述:
晶体管类型:PNP;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极电流(Ic):200mA;
功率(Pd):300mW;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V
详细:
无
20+
¥0.087378
200+
¥0.077537
600+
¥0.075984
3000+
¥0.073653
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12410
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MMBD4148-7-F
分类:
开关二极管
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00581140
描述:
二极管配置:独立式;
功率:350mW;
直流反向耐压(Vr):75V;
平均整流电流(Io):200mA;
正向压降(Vf):1.25V@150mA;
反向恢复时间(trr):4ns
详细:
无
20+
¥0.088237
200+
¥0.078058
600+
¥0.076451
3000+
¥0.074039
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1N4007A-01
分类:
预售晶体管
品牌:
DIODES(美台)
封装:
DO-41
编码:
YHSC00112932
描述:
无
详细:
无
1+
¥0.20502
200+
¥0.079341
500+
¥0.076552
1000+
¥0.075174
现货仓:
18984
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MMBT2222A-7-F
分类:
三极管(BJT)
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00051064
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):40V;
集电极电流(Ic):600mA;
功率(Pd):310mW;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V
详细:
无
20+
¥0.106475
200+
¥0.095396
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¥0.093646
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¥0.076619
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1N4448W-7-F
分类:
开关二极管
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOD-123
编码:
YHSC00708488
描述:
二极管配置:独立式;
功率:150mW;
直流反向耐压(Vr):80V;
平均整流电流(Io):125mA;
正向压降(Vf):1.25V@150mA;
反向恢复时间(trr):4ns
详细:
无
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¥0.127898
600+
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¥0.079909
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BC847AT-7-F
分类:
三极管(BJT)
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-523-3
编码:
YHSC00730249
描述:
晶体管类型:NPN;
集射极击穿电压(Vceo):45V;
集电极电流(Ic):100mA;
功率(Pd):150mW;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):110@2mA,5V
详细:
无
20+
¥0.096126
200+
¥0.084749
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¥0.082953
3000+
¥0.080258
现货仓:
19200
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MMBD7000-7-F
分类:
开关二极管
品牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-23
编码:
YHSC00724959
描述:
二极管配置:1对串联式;
功率:350mW;
直流反向耐压(Vr):75V;
平均整流电流(Io):300mA;
正向压降(Vf):1.25V@150mA;
反向恢复时间(trr):4ns
详细:
无
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