Infineon(英飞凌)
分类：
可调电容
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变容二极管
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数字晶体管
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分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
-
编码：
YHSC01785460
描述： 无
详细： 无
1+
￥0.108214
200+
￥0.041878
500+
￥0.040406
1000+
￥0.039679
现货仓：
19556
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
变容二极管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
SOD-323-2
编码：
YHSC00091436
描述： 二极管配置：独立式;
直流反向耐压(Vr)：30V;
二极管电容(CT)：2.9pF@28V,1MHz;
电容比：20.9@C1/C28
详细： 无
1+
￥0.145953
200+
￥0.056483
500+
￥0.054498
1000+
￥0.053516
现货仓：
15907
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
SOT-323-3
编码：
YHSC00344782
描述： 晶体管类型：1个PNP-预偏置;
功率(Pd)：250mW;
集电极电流(Ic)：70mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：50@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.145953
200+
￥0.056483
500+
￥0.054498
1000+
￥0.053516
现货仓：
18543
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个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
-
编码：
YHSC00345422
描述： 晶体管类型：1个PNP-预偏置;
功率(Pd)：200mW;
集电极电流(Ic)：100mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.145953
200+
￥0.056483
500+
￥0.054498
1000+
￥0.053516
现货仓：
18117
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个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
-
编码：
YHSC00348284
描述： 晶体管类型：1个PNP-预偏置;
功率(Pd)：250mW;
集电极电流(Ic)：100mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.145953
200+
￥0.056483
500+
￥0.054498
1000+
￥0.053516
现货仓：
19160
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个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
-
编码：
YHSC00356922
描述： 晶体管类型：1个PNP-预偏置;
功率(Pd)：250mW;
集电极电流(Ic)：100mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.145953
200+
￥0.056483
500+
￥0.054498
1000+
￥0.053516
现货仓：
12491
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
-
编码：
YHSC00360644
描述： 晶体管类型：1个PNP-预偏置;
功率(Pd)：250mW;
集电极电流(Ic)：100mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.145953
200+
￥0.056483
500+
￥0.054498
1000+
￥0.053516
现货仓：
17442
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
SOT-323-3
编码：
YHSC00368699
描述： 晶体管类型：1个PNP-预偏置;
功率(Pd)：250mW;
集电极电流(Ic)：100mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.145953
200+
￥0.056483
500+
￥0.054498
1000+
￥0.053516
现货仓：
17509
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个
金额：
-
分类：
场效应管(MOSFET)
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
TO-252
编码：
YHSC02932223
描述： 类型：N沟道;
漏源电压(Vdss)：30V;
连续漏极电流(Id)：61A;
功率(Pd)：87W;
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13mΩ@15A,10V
详细： 无
1+
￥0.1574
200+
￥0.060913
500+
￥0.058772
1000+
￥0.057714
现货仓：
11335
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
SOT-323-3
编码：
YHSC02785507
描述： 晶体管类型：1个PNP-预偏置;
功率(Pd)：250mW;
集电极电流(Ic)：100mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.1574
200+
￥0.060913
500+
￥0.058772
1000+
￥0.057714
现货仓：
18414
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个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
SOT-323-3
编码：
YHSC02786657
描述： 晶体管类型：1个NPN-预偏置;
功率(Pd)：250mW;
集电极电流(Ic)：100mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：50@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.1574
200+
￥0.060913
500+
￥0.058772
1000+
￥0.057714
现货仓：
13327
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
-
编码：
YHSC02786421
描述： 无
详细： 无
1+
￥0.1574
200+
￥0.060913
500+
￥0.058772
1000+
￥0.057714
现货仓：
14012
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
SOT-23(TO-236)
编码：
YHSC02787727
描述： 晶体管类型：1个PNP-预偏置;
功率(Pd)：200mW;
集电极电流(Ic)：70mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：50@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.1574
200+
￥0.060913
500+
￥0.058772
1000+
￥0.057714
现货仓：
18464
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
SC-75
编码：
YHSC02792308
描述： 晶体管类型：1个NPN-预偏置;
功率(Pd)：200mW;
集电极电流(Ic)：100mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.1574
200+
￥0.060913
500+
￥0.058772
1000+
￥0.057714
现货仓：
11668
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
SOT-23-3-11
编码：
YHSC02793636
描述： 晶体管类型：1个NPN-预偏置;
功率(Pd)：200mW;
集电极电流(Ic)：100mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.1574
200+
￥0.060913
500+
￥0.058772
1000+
￥0.057714
现货仓：
11961
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
SOT-323-3
编码：
YHSC02795825
描述： 晶体管类型：1个PNP-预偏置;
功率(Pd)：250mW;
集电极电流(Ic)：100mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.1574
200+
￥0.060913
500+
￥0.058772
1000+
￥0.057714
现货仓：
15179
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
SOT-323-3
编码：
YHSC02798471
描述： 晶体管类型：1个NPN-预偏置;
功率(Pd)：250mW;
集电极电流(Ic)：100mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.1574
200+
￥0.060913
500+
￥0.058772
1000+
￥0.057714
现货仓：
10587
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
数字晶体管
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
SOT-323-3
编码：
YHSC02798793
描述： 晶体管类型：1个PNP-预偏置;
功率(Pd)：250mW;
集电极电流(Ic)：100mA;
集射极击穿电压(Vceo)：50V;
集电极截止电流(Icbo)：100nA;
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@5mA,5V
详细： 无
1+
￥0.1574
200+
￥0.060913
500+
￥0.058772
1000+
￥0.057714
现货仓：
11903
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
瞬态抑制二极管(TVS)
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
SC-79-2
编码：
YHSC02601154
描述： 反向截止电压(Vrwm)：5V@Max;
击穿电压：5.7V;
最大钳位电压：14.5V@Typ
详细： 无
1+
￥0.188267
200+
￥0.072857
500+
￥0.070297
1000+
￥0.069032
现货仓：
12022
最快4小时发货
个
金额：
-
分类：
静电放电(ESD)保护器件
品牌：
Infineon(英飞凌)
封装：
WLL-2-3
编码：
YHSC00207493
描述： 反向截止电压(Vrwm)：5.5V;
钳位电压(Vc)@Ipp：7.5V
详细： 无
1+
￥0.20166
200+
￥0.07804
500+
￥0.075297
1000+
￥0.073943
现货仓：
14598
最快4小时发货
个
金额：
-
